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1. 发明专利

TW200935592A 非揮發性記憶裝置及其形成方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：非挥发性记忆设备及其形成方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200935592A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097143915
申请日：2008-11-13
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：薛鐘善 SEL, JONG-SUN , 李忠浩 LEE, CHOONG-HO , 鄭周赫 CHUNG, JU-HYUCK , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL , 姜熙秀 KANG, HEE-SOO , 崔東郁 CHOI, DONG-UK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/76804 , H01L21/76816 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：半導體記憶裝置包括具有第一主動區與第二主動區的基底。第一主動區包括第一源極與汲極區,第二主動區包括第二源極與汲極區。第一層間介電層配置在基底上方。第一導電結構延伸地穿過第一層間介電層。第一位元線配置於第一層間介電層上。第二層間介電層配置於第一層間介電層上。接觸窗延伸地穿過第二與第一層間介電層。半導體記憶裝置包括第二導電結構,其配置於接觸窗中且延伸地穿過第一與第二層間介電層。第二位元線配置於第二層間介電層上。位於第二層間介電層之底面處的接觸窗的寬度小於或實質上等於位於第二層間介電層之頂面處的接觸窗的寬度。
简体摘要：半导体记忆设备包括具有第一主动区与第二主动区的基底。第一主动区包括第一源极与汲极区,第二主动区包括第二源极与汲极区。第一层间介电层配置在基底上方。第一导电结构延伸地穿过第一层间介电层。第一比特线配置于第一层间介电层上。第二层间介电层配置于第一层间介电层上。接触窗延伸地穿过第二与第一层间介电层。半导体记忆设备包括第二导电结构,其配置于接触窗中且延伸地穿过第一与第二层间介电层。第二比特线配置于第二层间介电层上。位于第二层间介电层之底面处的接触窗的宽度小于或实质上等于位于第二层间介电层之顶面处的接触窗的宽度。

2. 发明专利

TW200805636A 具虛擬字元線之非揮發性記憶元件及相關之結構與方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICES INCLUDING DUMMY WORD LINES AND RELATED STRUCTURES AND METHODS 审中-公开
简体标题：具虚拟字符线之非挥发性记忆组件及相关之结构与方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICES INCLUDING DUMMY WORD LINES AND RELATED STRUCTURES AND METHODS
公开(公告)号：TW200805636A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096122913
申请日：2007-06-25
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：薛鐘善 SEL, JONG-SUN , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL , 朴泳雨 PARK, YOUNG-WOO , 朴鎮澤 PARK, JIN-TAEK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/3427
摘要：一種非揮發性記憶元件可包括在表面處包括主動區域之半導體基板、在主動區域上之第一記憶體單元串,以及在主動區域上之第二記憶體單元串。第一記憶體單元串可包括穿越第一接地選擇線與第一串選擇線之間的主動區域之第一多個字元線,且在第一多個字元線中之鄰近者之間提供大約相同之第一間隔。第二記憶體單元串可包括穿越第二接地選擇線與第二串選擇線之間的主動區域之第二多個字元線,且在第二多個字元線中之鄰近者之間提供有大約相同之所述第一間隔。此外,第一接地選擇線可位在第二接地選擇線與第一多個字元線之間,且第二接地選擇線可位在第一接地選擇線與第二多個字元線之間。此外,在第一接地選擇線與第二接地選擇線之間的主動區域部分並沒有字元線,且第一接地選擇線與第二接地選擇線之間的第二間隔可比第一間隔大至少約3倍。
简体摘要：一种非挥发性记忆组件可包括在表面处包括主动区域之半导体基板、在主动区域上之第一内存单元串,以及在主动区域上之第二内存单元串。第一内存单元串可包括穿越第一接地选择线与第一串选择线之间的主动区域之第一多个字符线,且在第一多个字符线中之邻近者之间提供大约相同之第一间隔。第二内存单元串可包括穿越第二接地选择线与第二串选择线之间的主动区域之第二多个字符线,且在第二多个字符线中之邻近者之间提供有大约相同之所述第一间隔。此外,第一接地选择线可位在第二接地选择线与第一多个字符线之间,且第二接地选择线可位在第一接地选择线与第二多个字符线之间。此外,在第一接地选择线与第二接地选择线之间的主动区域部分并没有字符线,且第一接地选择线与第二接地选择线之间的第二间隔可比第一间隔大至少约3倍。

3. 发明专利

TW200912932A 非揮發性記憶體裝置以及其程式化方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD 审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备以及其进程化方法 NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD
公开(公告)号：TW200912932A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097129832
申请日：2008-08-06
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：申有哲 SHIN, YOO-CHEOL , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3427
摘要：本發明提供一種非揮發性記憶體裝置及其程式化方法。此程式化方法包括:施加程式電壓至選取的字元線;施加高通過電壓至多條字元線之中與選取的字元線相鄰的字元線;以及施加通過電壓至多條字元線之中剩餘的字元線。
简体摘要：本发明提供一种非挥发性内存设备及其进程化方法。此进程化方法包括:施加进程电压至选取的字符线;施加高通过电压至多条字符线之中与选取的字符线相邻的字符线;以及施加通过电压至多条字符线之中剩余的字符线。

4. 发明专利

TW200822298A 非揮發性記憶體裝置以及其製造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备以及其制造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200822298A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096141651
申请日：2007-11-05
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：田尚勳 JEON, SANG-HUN , 姜昌錫 KANG, CHANG-SEOK , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL , 朴鎮澤 PARK, ZIN-TAEK , 孫雄喜 SOHN, WOONG-HEE , 鄭元皙 JUNG, WON-SEOK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11546 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11568 , H01L29/518 , H01L29/78
摘要：一種非揮發性記憶體裝置,其包括半導體基板,半導體基板包括單元區域以及周邊電路區域,在單元區域上之單元閘極,以及在周邊電路區域上之周邊電路閘極。其中,單元閘極包括在半導體基板上的電荷儲存絕緣層、在電荷儲存絕緣層上之閘電極以及在閘電極上之導電層,且周邊電路閘極包括在半導體基板上之閘極絕緣層、在閘極絕緣層上的半導體層、在半導體層上之歐姆層以及在歐姆層上之導電層。
简体摘要：一种非挥发性内存设备,其包括半导体基板,半导体基板包括单元区域以及周边电路区域,在单元区域上之单元闸极,以及在周边电路区域上之周边电路闸极。其中,单元闸极包括在半导体基板上的电荷存储绝缘层、在电荷存储绝缘层上之闸电极以及在闸电极上之导电层,且周边电路闸极包括在半导体基板上之闸极绝缘层、在闸极绝缘层上的半导体层、在半导体层上之欧姆层以及在欧姆层上之导电层。

5. 发明专利

TW200822297A 非揮發性記憶體以及其製造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：非挥发性内存以及其制造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200822297A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096139295
申请日：2007-10-19
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：崔正達 CHOI, JUNG-DAL , 薛鐘善 SEL, JONG-SUN , 姜昌錫 KANG, CHANG SEOK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/823456 , H01L21/823475 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11546 , Y10S257/903
摘要：一種非揮發性記憶體以及其製造方法。一種記憶體,其包括具有晶胞區域、低壓區域以及高壓區域的基板。地選擇電晶體、串選擇電晶體以及晶胞電晶體位於晶胞區域內,低壓電晶體位於低壓區域內,且高壓電晶體位於高壓區域內。共用源極接觸插塞位於地選擇電晶體上,且低壓接觸插塞位於低壓電晶體上。位元線接觸插塞位於串選擇電晶體上,高壓接觸插塞位於高壓電晶體上,且位元線位於位元線接觸插塞上。第一絕緣層位於基板上,且第二絕緣層位於第一絕緣層上。共用源極接觸插塞和第一低壓接觸插塞延伸到第一絕緣層的高度,且位元線接觸插塞和第一高壓接觸插塞延伸到第二絕緣層的高度。
简体摘要：一种非挥发性内存以及其制造方法。一种内存,其包括具有晶胞区域、低压区域以及高压区域的基板。地选择晶体管、串选择晶体管以及晶胞晶体管位于晶胞区域内,低压晶体管位于低压区域内,且高压晶体管位于高压区域内。共享源极接触插塞位于地选择晶体管上,且低压接触插塞位于低压晶体管上。比特线接触插塞位于串选择晶体管上,高压接触插塞位于高压晶体管上,且比特线位于比特线接触插塞上。第一绝缘层位于基板上,且第二绝缘层位于第一绝缘层上。共享源极接触插塞和第一低压接触插塞延伸到第一绝缘层的高度,且比特线接触插塞和第一高压接触插塞延伸到第二绝缘层的高度。

6. 发明专利

TW200926185A 抑制寄生電荷累積之非揮發性記憶體元件以及其操作方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING SAME TO INHIBIT PARASITIC CHARGE ACCUMULATION THEREIN 审中-公开
简体标题：抑制寄生电荷累积之非挥发性内存组件以及其操作方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING SAME TO INHIBIT PARASITIC CHARGE ACCUMULATION THEREIN
公开(公告)号：TW200926185A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097144946
申请日：2008-11-20
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李昌炫 LEE, CHANG-HYUN , 徐康德 SUH, KANG-DEOG , 林瀛湖 LIM, YOUNG-HO , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/16
摘要：電荷捕集非揮發性記憶體元件之操作方法包括:(1)藉由選擇性地擦除在第一串中之第一多個非揮發性記憶體單元,然後(2)選擇性地擦除在第一串中之第二多個非揮發性記憶體單元來擦除非揮發性記憶體單元之第一串,第二多個與第一多個非揮發性記憶體單元交錯。步驟(1)包括將第二多個非揮發性記憶體單元偏壓成抑制第二多個非揮發性記憶體單元的擦除之阻斷條件的同時擦除第一多個非揮發性記憶體。步驟(2)包括將第一多個非揮發性記憶體單元偏壓成抑制第一多個非揮發性記憶體單元的擦除之阻斷條件同時擦除第二多個非揮發性記憶體單元。
简体摘要：电荷捕集非挥发性内存组件之操作方法包括:(1)借由选择性地擦除在第一串中之第一多个非挥发性内存单元,然后(2)选择性地擦除在第一串中之第二多个非挥发性内存单元来擦除非挥发性内存单元之第一串,第二多个与第一多个非挥发性内存单元交错。步骤(1)包括将第二多个非挥发性内存单元偏压成抑制第二多个非挥发性内存单元的擦除之阻断条件的同时擦除第一多个非挥发性内存。步骤(2)包括将第一多个非挥发性内存单元偏压成抑制第一多个非挥发性内存单元的擦除之阻断条件同时擦除第二多个非挥发性内存单元。

7. 发明专利

TW200907981A 快閃記憶體裝置以及抹除期間在正常記憶胞以外之多餘記憶胞同時施加不同偏壓的操作方法 FLASH MEMORY DEVICES AND OPERATING METHODS THAT CONCURRENTLY APPLY DIFFERENT PREDETERMINED BIAS VOLTAGES TO DUMMY FLASH MEMORY CELLS THAN TO REGULAR MEMORY CELLS DURING ERASE 审中-公开
简体标题：闪存设备以及抹除期间在正常记忆胞以外之多余记忆胞同时施加不同偏压的操作方法 FLASH MEMORY DEVICES AND OPERATING METHODS THAT CONCURRENTLY APPLY DIFFERENT PREDETERMINED BIAS VOLTAGES TO DUMMY FLASH MEMORY CELLS THAN TO REGULAR MEMORY CELLS DURING ERASE
公开(公告)号：TW200907981A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097123737
申请日：2008-06-25
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李昌炫 LEE, CHANG-HYUN , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL , 崔炳仁 CHOI, BYEONG-IN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/06 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/30
摘要：諸如“反及"快閃記憶體裝置之積體電路快閃記憶體裝置包含正常快閃記憶胞陣列、虛擬快閃記憶胞陣列及抹除控制器。抹除控制器經組態以在積體電路快閃記憶體裝置之抹除操作期間,向正常快閃記憶胞及虛擬快閃記憶胞同時施加不同的預定偏壓。亦描述相關方法。
简体摘要：诸如“反及"闪存设备之集成电路闪存设备包含正常快闪记忆胞数组、虚拟快闪记忆胞数组及抹除控制器。抹除控制器经组态以在集成电路闪存设备之抹除操作期间,向正常快闪记忆胞及虚拟快闪记忆胞同时施加不同的预定偏压。亦描述相关方法。

8. 发明专利

TW200834891A 記憶體裝置以及其製造方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：内存设备以及其制造方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200834891A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096146564
申请日：2007-12-06
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李昌炫 LEE, CHANG-HYUN , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/115 , G11C16/0483 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11568
摘要：本發明提供一種非揮發性記憶體,其包括:多個串聯之記憶電晶體,其中,其間之源極/汲極區及通道區為第一類型;以及選擇電晶體,其位於此多個串聯記憶電晶體之每一端處,其中每一選擇電晶體之通道區皆為第一類型。第一類型可為n型或p型。此非揮發性記憶體更包括:第一虛設選擇電晶體,其位於此多個串聯記憶電晶體之一端處、此選擇電晶體其中之一與此多個串聯記憶電晶體之間;以及第二虛設選擇電晶體,其位於此多個串聯記憶電晶體之另一端處、另一選擇電晶體與此多個串聯記憶電晶體之間。
简体摘要：本发明提供一种非挥发性内存,其包括:多个串联之记忆晶体管,其中,其间之源极/汲极区及信道区为第一类型;以及选择晶体管,其位于此多个串联记忆晶体管之每一端处,其中每一选择晶体管之信道区皆为第一类型。第一类型可为n型或p型。此非挥发性内存更包括:第一虚设选择晶体管,其位于此多个串联记忆晶体管之一端处、此选择晶体管其中之一与此多个串联记忆晶体管之间;以及第二虚设选择晶体管,其位于此多个串联记忆晶体管之另一端处、另一选择晶体管与此多个串联记忆晶体管之间。

9. 发明专利

TWI239031B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI239031B
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW090131515
申请日：2001-12-19
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：申有哲 SHIN, YOO-CHCOL , 朴奎燦 PARK, KYU-CHARN , 李源弘 LEE, WON-HONG , 崔正達 CHOI, JUNG-DAL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/115
摘要：一種半導體裝置其包含有複數閘極線，其由線形所組成，在複數電晶體為閘極之作用，及藉由閘極絕緣層與一基板分開，每一個上面有金屬矽化層；以及複數源極與及極區域，其形成在該閘極線之間之基板上，其僅藉由執行不純物植入製程。
简体摘要：一种半导体设备其包含有复数闸极线，其由线形所组成，在复数晶体管为闸极之作用，及借由闸极绝缘层与一基板分开，每一个上面有金属硅化层；以及复数源极与及极区域，其形成在该闸极线之间之基板上，其仅借由运行不纯物植入制程。

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