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1. 发明专利

TWI264426B 介電體陶瓷組合物、電子元件、以及其製造方法无效
简体标题：介电体陶瓷组合物、电子组件、以及其制造方法
公开(公告)号：TWI264426B
公开(公告)日：2006-10-21
申请号：TW092136127
申请日：2003-12-19
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：佐佐木洋 HIROSHI SASAKI , 田中均 HITOSHI TANAKA , 丹羽康夫 YASUO NIWA , 渡邊松巳 NATSUMI WATANABE , 野中智明 TOMOAKI NONAKA
IPC分类号： C04B , H01G
CPC分类号： H01G4/10 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/36 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01G4/1245 , Y10T428/24926
摘要：本發明係關於一種介電體陶瓷組合物、電子元件、以及其製造方法；也就是說，本發明之介電體陶瓷組合物係至少包括：含有藉由[CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]所示之組成之介電體氧化物之主成分、含有Mn氧化物及/或Al氧化物之第1副成分以及玻璃成分的介電體陶瓷組合物。顯示主成分所包括之化學式中之組成莫爾數比之記號m、 x、y及z係包括0.90≦m≦1.04、最好是1.005≦m≦1.025、0.5≦x＜1、最好是0.6≦x≦0.9、0.01≦y≦0.10、最好是0.02≦y≦0.07、0＜z≦0.20、最好是0＜z≦0.10之關係。
简体摘要：本发明系关于一种介电体陶瓷组合物、电子组件、以及其制造方法；也就是说，本发明之介电体陶瓷组合物系至少包括：含有借由[CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]所示之组成之介电体氧化物之主成分、含有Mn氧化物及/或Al氧化物之第1副成分以及玻璃成分的介电体陶瓷组合物。显示主成分所包括之化学式中之组成莫尔数比之记号m、 x、y及z系包括0.90≦m≦1.04、最好是1.005≦m≦1.025、0.5≦x＜1、最好是0.6≦x≦0.9、0.01≦y≦0.10、最好是0.02≦y≦0.07、0＜z≦0.20、最好是0＜z≦0.10之关系。

2. 发明专利

TWI291943B 介電體陶瓷組合物、電子元件、以及其製造方法 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, ELECTRONIC DEVICE AND THEIR PROCESS OF MANUFACTURING 有权
简体标题：介电体陶瓷组合物、电子组件、以及其制造方法 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, ELECTRONIC DEVICE AND THEIR PROCESS OF MANUFACTURING
公开(公告)号：TWI291943B
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW092136135
申请日：2003-12-19
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：佐佐木洋 HIROSHI SASAKI , 丹羽康夫 YASUO NIWA , 渡邊松巳 MATSUMI WATANABE
IPC分类号： C04B
CPC分类号： H01G4/1209 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/465 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/5445 , C04B2235/549 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/6583 , C04B2235/663 , C04B2235/786 , C04B2237/12 , C04B2237/40 , C04B2237/403 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706
摘要：本發明之介電體陶瓷組合物係包括：含有將氧化鎂換算成為MgO之53.00～80.00mol%、將氧化鈦換算成為TiO2之19.60～47.00mol%以及將氧化錳換算成為MnO之0.05～0.85mol%之主成分的介電體陶瓷組合物。該介電體陶瓷組合物係可以包含將氧化釩、氧化釔、氧化鐿和氧化鈥之至少其中任何一種來分別換算成為V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3而作為副成分之0.00～0.20mol%。
简体摘要：本发明之介电体陶瓷组合物系包括：含有将氧化镁换算成为MgO之53.00～80.00mol%、将氧化钛换算成为TiO2之19.60～47.00mol%以及将氧化锰换算成为MnO之0.05～0.85mol%之主成分的介电体陶瓷组合物。该介电体陶瓷组合物系可以包含将氧化钒、氧化钇、氧化镱和氧化钬之至少其中任何一种来分别换算成为V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3而作为副成分之0.00～0.20mol%。

3. 发明专利

TW200418743A 介電體陶瓷組合物、電子元件、以及其製造方法无效
简体标题：介电体陶瓷组合物、电子组件、以及其制造方法
公开(公告)号：TW200418743A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092136127
申请日：2003-12-19
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：佐佐木洋 HIROSHI SASAKI , 田中均 HITOSHI TANAKA , 丹羽康夫 YASUO NIWA , 渡邊松巳 MATSUMI WATANABE , 野中智明 TOMOAKI NONAKA
IPC分类号： C04B , H01G
CPC分类号： H01G4/10 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/36 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01G4/1245 , Y10T428/24926
摘要：本發明係關於一種介電體陶瓷組合物、電子元件、以及其製造方法；也就是說，本發明之介電體陶瓷組合物係至少包括：含有藉由【(CaxSrl-x)O】m【(TiyZrl-y-zHfz)O2】所示之組成之介電體氧化物之主成分、含有Mn氧化物及／或Al氧化物之第1副成分以及玻璃成分的介電體陶瓷組合物。顯示主成分所包括之化學式中之組成莫爾數比之記號m、x、y及z係包括0.90≦m≦1.04、最好是1.005≦m≦1.025、0.5≦x≦1、最好是0.6≦x≦0.9、0.01≦y≦0.10、最好是0.02≦y≦0.07、0＜z≦0.20、最好是0＜z≦0.10之關係。
简体摘要：本发明系关于一种介电体陶瓷组合物、电子组件、以及其制造方法；也就是说，本发明之介电体陶瓷组合物系至少包括：含有借由【(CaxSrl-x)O】m【(TiyZrl-y-zHfz)O2】所示之组成之介电体氧化物之主成分、含有Mn氧化物及／或Al氧化物之第1副成分以及玻璃成分的介电体陶瓷组合物。显示主成分所包括之化学式中之组成莫尔数比之记号m、x、y及z系包括0.90≦m≦1.04、最好是1.005≦m≦1.025、0.5≦x≦1、最好是0.6≦x≦0.9、0.01≦y≦0.10、最好是0.02≦y≦0.07、0＜z≦0.20、最好是0＜z≦0.10之关系。

4. 发明专利

TW200529261A 介電體陶瓷組合物、電子元件、以及該組合物與元件之製造方法审中-公开
简体标题：介电体陶瓷组合物、电子组件、以及该组合物与组件之制造方法
公开(公告)号：TW200529261A
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW093137351
申请日：2004-12-03
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：佐佐木洋 HIROSHI SASAKI , 丹羽康夫 YASUO NIWA , 渡邊松巳 MATSUMI WATANABE
IPC分类号： H01G
摘要：具有組成式〔(CaxSr1-x)O〕m〔(TiyZr1-y-zHfZ)O2〕所示，該式中表組成莫耳比之記號x、y、z、m係0.5≦ x≦ 1.0，0.01≦ y≦0.10，0＜z≦ 0.20，0.90≦m≦ 1.04之介電體氧化物，氧化錳，氧化鋁以及燒結助劑的介電體陶瓷組合物之製造方法，其特徵為使用含有以SiO2為主要成分，更含MO(其中M係Ba、Ca、Sr及Mg之至少1種)之第1玻璃組合物，以及含B2O3、Al2O3、ZnO及SiO2而構成，平均粒徑1.5μm以下之第2玻璃組合物的燒結助劑，製造介電體陶瓷組合物。根據本發明可以提供，於低溫燒亦無損於各種電特性，可得緻密化之介電體陶瓷組合物的介電體陶瓷組合物之製造方法。
简体摘要：具有组成式〔(CaxSr1-x)O〕m〔(TiyZr1-y-zHfZ)O2〕所示，该式中表组成莫耳比之记号x、y、z、m系0.5≦ x≦ 1.0，0.01≦ y≦0.10，0＜z≦ 0.20，0.90≦m≦ 1.04之介电体氧化物，氧化锰，氧化铝以及烧结助剂的介电体陶瓷组合物之制造方法，其特征为使用含有以SiO2为主要成分，更含MO(其中M系Ba、Ca、Sr及Mg之至少1种)之第1玻璃组合物，以及含B2O3、Al2O3、ZnO及SiO2而构成，平均粒径1.5μm以下之第2玻璃组合物的烧结助剂，制造介电体陶瓷组合物。根据本发明可以提供，于低温烧亦无损于各种电特性，可得致密化之介电体陶瓷组合物的介电体陶瓷组合物之制造方法。

5. 发明专利

TW200415136A 介電體陶瓷組合物、電子元件、以及其製造方法 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, ELECTRONIC DEVICE AND THEIR PROCESS OF MANUFACTURING 审中-公开
简体标题：介电体陶瓷组合物、电子组件、以及其制造方法 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, ELECTRONIC DEVICE AND THEIR PROCESS OF MANUFACTURING
公开(公告)号：TW200415136A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092136135
申请日：2003-12-19
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：佐佐木洋 HIROSHI SASAKI , 丹羽康夫 YASUO NIWA , 渡邊松巳 MATSUMI WATANABE
IPC分类号： C04B
CPC分类号： H01G4/1209 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/465 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/5445 , C04B2235/549 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/6583 , C04B2235/663 , C04B2235/786 , C04B2237/12 , C04B2237/40 , C04B2237/403 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706
摘要：本發明之介電體陶瓷組合物係包括：含有將氧化鎂換算成為MgO之53.00～80.00mol％、將氧化鈦換算成為TiO2之19.60～47.00mol％以及將氧化錳換算成為MnO之0.05～0.85mol％之主成分的介電體陶瓷組合物。該介電體陶瓷組合物係可以包含將氧化釩、氧化釔、氧化鐿和氧化鈥之至少其中任何一種來分別換算成為V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3而作為副成分之0.00～0.20mol％。
简体摘要：本发明之介电体陶瓷组合物系包括：含有将氧化镁换算成为MgO之53.00～80.00mol％、将氧化钛换算成为TiO2之19.60～47.00mol％以及将氧化锰换算成为MnO之0.05～0.85mol％之主成分的介电体陶瓷组合物。该介电体陶瓷组合物系可以包含将氧化钒、氧化钇、氧化镱和氧化钬之至少其中任何一种来分别换算成为V2O5、Y2O3、Yb2O3、Ho2O3而作为副成分之0.00～0.20mol％。

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