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1. 发明专利

TW201503178A 電子零件及其製造方法审中-公开
简体标题：电子零件及其制造方法
公开(公告)号：TW201503178A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103108999
申请日：2014-03-13
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：渡邊文男 , WATANABE, FUMIO , 石川直純 , ISHIKAWA, NAOZUMI , 神山浩 , KAMIYAMA, HIROSHI
IPC分类号： H01F27/28 , H01F41/04
CPC分类号： H01F17/0013 , H01F27/29 , H01F41/042 , H01F2017/0066 , H01F2017/0093 , Y10T29/4902
摘要：本發明提供一種於積層導體圖案時抑制各導體層的高度偏差並確保最上層的導體圖案之上表面的平坦性的電子零件及其製造方法。電子零件係具備有包含第1導體圖案(P1)之第1導體層、覆蓋第1導體層之第1絕緣層、貫穿第1絕緣層且露出第1導體圖案(P1)之上表面與側面露出之第1開口(h1)、及設置在第1絕緣層上且包含有通過第1開口(h1)而連接至第1導體圖案(P1)之第2導體圖案(P2)的第2導體層。第1開口(h1)之內側的平面區域即第1開口區域係具有形成第1導體圖案(P1)之第1區域、以及未形成有第1導體圖案(P1)之第2區域，第2導體圖案(P2)係被埋入至第1開口(h1)之第1區域與第2區域之雙方。
简体摘要：本发明提供一种于积层导体图案时抑制各导体层的高度偏差并确保最上层的导体图案之上表面的平坦性的电子零件及其制造方法。电子零件系具备有包含第1导体图案(P1)之第1导体层、覆盖第1导体层之第1绝缘层、贯穿第1绝缘层且露出第1导体图案(P1)之上表面与侧面露出之第1开口(h1)、及设置在第1绝缘层上且包含有通过第1开口(h1)而连接至第1导体图案(P1)之第2导体图案(P2)的第2导体层。第1开口(h1)之内侧的平面区域即第1开口区域系具有形成第1导体图案(P1)之第1区域、以及未形成有第1导体图案(P1)之第2区域，第2导体图案(P2)系被埋入至第1开口(h1)之第1区域与第2区域之双方。

2. 发明专利

TWI620212B 電子零件及其製造方法有权
简体标题：电子零件及其制造方法
公开(公告)号：TWI620212B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103111696
申请日：2014-03-28
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：渡邊文男 , WATANABE, FUMIO , 石川直純 , ISHIKAWA, NAOZUMI , 神山浩 , KAMIYAMA, HIROSHI
IPC分类号： H01F27/29 , H01F41/10
CPC分类号： H01F27/29 , C25D5/022 , H01F17/0013 , H01F41/042 , H01F2017/0066

3. 发明专利

TWI543210B 電子零件及其製造方法有权
简体标题：电子零件及其制造方法
公开(公告)号：TWI543210B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103108999
申请日：2014-03-13
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：渡邊文男 , WATANABE, FUMIO , 石川直純 , ISHIKAWA, NAOZUMI , 神山浩 , KAMIYAMA, HIROSHI
IPC分类号： H01F27/28 , H01F41/04
CPC分类号： H01F17/0013 , H01F27/29 , H01F41/042 , H01F2017/0066 , H01F2017/0093 , Y10T29/4902

4. 发明专利

TW201503180A 電子零件及其製造方法审中-公开
简体标题：电子零件及其制造方法
公开(公告)号：TW201503180A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103111696
申请日：2014-03-28
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：渡邊文男 , WATANABE, FUMIO , 石川直純 , ISHIKAWA, NAOZUMI , 神山浩 , KAMIYAMA, HIROSHI
IPC分类号： H01F27/29 , H01F41/10
CPC分类号： H01F27/29 , C25D5/022 , H01F17/0013 , H01F41/042 , H01F2017/0066
摘要：本發明的目的係在於提高線圈零件之凸塊電極與其下層之內部端子電極的接合強度。其中，線圈零件(1)係具備有被設置在基板(10)上的薄膜線圈層(11)、及被設置在薄膜線圈層(11)之表面的凸塊電極(12a~12d)。薄膜線圈層(11)係具備有分別連接至螺旋形導體(16、17)之所對應之一端的內部端子電極(24a~24d)、覆蓋內部端子電極(24a~24d)的第4絕緣層(15d)、形成在絕緣層(15d)且露出內部端子電極(24a~24d)的開口(ha~hd)。開口(ha~hd)係具有在俯視中比對應之內部端子電極的周緣為更向外側突出的部分，藉此，自內部端子電極(24a~24d)之上表面(TS)與側面(SS)之兩者所對應之開口(ha~hd)露出。凸塊電極(12a~12d)係在開口(ha~hd)的內部而與內部端子電極(24a~24d)之上表面(TS)與側面(SS)之兩者產生接觸。
简体摘要：本发明的目的系在于提高线圈零件之凸块电极与其下层之内部端子电极的接合强度。其中，线圈零件(1)系具备有被设置在基板(10)上的薄膜线圈层(11)、及被设置在薄膜线圈层(11)之表面的凸块电极(12a~12d)。薄膜线圈层(11)系具备有分别连接至螺旋形导体(16、17)之所对应之一端的内部端子电极(24a~24d)、覆盖内部端子电极(24a~24d)的第4绝缘层(15d)、形成在绝缘层(15d)且露出内部端子电极(24a~24d)的开口(ha~hd)。开口(ha~hd)系具有在俯视中比对应之内部端子电极的周缘为更向外侧突出的部分，借此，自内部端子电极(24a~24d)之上表面(TS)与侧面(SS)之两者所对应之开口(ha~hd)露出。凸块电极(12a~12d)系在开口(ha~hd)的内部而与内部端子电极(24a~24d)之上表面(TS)与侧面(SS)之两者产生接触。

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