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1. 发明专利

TW201725440A 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩审中-公开
简体标题：用于极紫外线微影之空白遮罩及使用其之光罩
公开(公告)号：TW201725440A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105112747
申请日：2016-04-25
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 崔珉箕 , CHOI, MIN-KI , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN
IPC分类号： G03F1/22 , G03F7/20
摘要：揭示一種用於極紫外線微影之空白遮罩，其中一多反射膜、一吸收體膜、及一光阻膜(resist film)之至少一者堆疊於一透明基材上。該吸收體膜包含選自鉑(Pt)、鎳(Ni)、鉭(Ta)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、銀(Ag)、銦(In)、鋨(Os)、銥(Ir)、及金(Au)之一或多種金屬材料，並且除包含該金屬材料外，亦包含氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)、及氫(H)之一或多種輕元素。運用此，有可能使該吸收體膜較薄，同時保證該吸收體膜之遮光性質。進一步，有可能改善耐化學性及耐曝光性。
简体摘要：揭示一种用于极紫外线微影之空白遮罩，其中一多反射膜、一吸收体膜、及一光阻膜(resist film)之至少一者堆栈于一透明基材上。该吸收体膜包含选自铂(Pt)、镍(Ni)、钽(Ta)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、银(Ag)、铟(In)、锇(Os)、铱(Ir)、及金(Au)之一或多种金属材料，并且除包含该金属材料外，亦包含氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)、及氢(H)之一或多种轻元素。运用此，有可能使该吸收体膜较薄，同时保证该吸收体膜之遮光性质。进一步，有可能改善耐化学性及耐曝光性。

2. 发明专利

TWI579639B 極紫外線微影用空白罩幕以及使用該空白罩幕的光罩有权
简体标题：极紫外线微影用空白罩幕以及使用该空白罩幕的光罩
公开(公告)号：TWI579639B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW103110205
申请日：2014-03-19
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 鄭始俊 , JEONG, SEE-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/22

3. 发明专利

TW201537284A 空白罩幕及利用該空白罩幕的光罩审中-公开
简体标题：空白罩幕及利用该空白罩幕的光罩
公开(公告)号：TW201537284A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104102447
申请日：2015-01-26
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 崔珉箕 , CHOI, MIN-KI , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/48 , G03F1/26 , G03F1/80
摘要：本發明提供了一種空白罩幕和使用所述空白罩幕的光罩。所述空白罩幕可以適用於在所述光罩的製造之後藉由在遮光膜或相移膜上形成具有相對於硬膜或遮光膜的圖案的蝕刻選擇性的保護膜來防止遮光膜或相移膜的圖案的側表面、頂表面以及底表面的厚度損失，以使得在光罩的製造方法中在清洗製程和硬膜圖案的去除製程期間，當執行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜圖案的去除製程時，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的損失，由此確保厚度均勻性。
简体摘要：本发明提供了一种空白罩幕和使用所述空白罩幕的光罩。所述空白罩幕可以适用于在所述光罩的制造之后借由在遮光膜或相移膜上形成具有相对于硬膜或遮光膜的图案的蚀刻选择性的保护膜来防止遮光膜或相移膜的图案的侧表面、顶表面以及底表面的厚度损失，以使得在光罩的制造方法中在清洗制程和硬膜图案的去除制程期间，当运行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜图案的去除制程时，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的损失，由此确保厚度均匀性。

4. 发明专利

TWI380127B 半調式相轉移空白遮罩、半調式相轉移光罩及其製造方法 HALF-TONE PHASE SHIFT BLANKMASK, HALF-TONE PHASE SHIFT PHOTOMASK AND ITS MANUFACTURING METHOD 有权
简体标题：半调式相转移空白遮罩、半调式相转移光罩及其制造方法 HALF-TONE PHASE SHIFT BLANKMASK, HALF-TONE PHASE SHIFT PHOTOMASK AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI380127B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW096150331
申请日：2007-12-26
申请人： S&S技術股份有限公司
发明人：南基守 , 車韓宣 , 梁信柱 , 梁澈圭 , 姜周鉉
IPC分类号： G03F
摘要：在製造半調式相轉移空白遮罩時，使用比基板表面面積大的、同時含鉬、鉭、矽的濺鍍靶形成相移膜。這樣可以製造均勻性高的優質的相移膜；而且投入批量生產時，可以製造出均勻性非常高的產品；還有，在相移膜上添加鉭，可以確保優秀的耐化學性，可以生產出在熱力學上具有穩定性好的特徵的相移膜；同時，基於這些穩定性，可以生產出透視率、相移等特徵不發生变化、因低殘餘應力不發生缺陷的、品質優秀的半調式相轉移空白遮罩；而且，由於添加鉭的原因，改善相移膜的離子及揮發性有機化學物的吸附特性，從而可以生產出不發生生長缺陷的半調式相轉移空白遮罩。
简体摘要：在制造半调式相转移空白遮罩时，使用比基板表面面积大的、同时含钼、钽、硅的溅镀靶形成相移膜。这样可以制造均匀性高的优质的相移膜；而且投入批量生产时，可以制造出均匀性非常高的产品；还有，在相移膜上添加钽，可以确保优秀的耐化学性，可以生产出在热力学上具有稳定性好的特征的相移膜；同时，基于这些稳定性，可以生产出透视率、相移等特征不发生变化、因低残余应力不发生缺陷的、品质优秀的半调式相转移空白遮罩；而且，由于添加钽的原因，改善相移膜的离子及挥发性有机化学物的吸附特性，从而可以生产出不发生生长缺陷的半调式相转移空白遮罩。

5. 发明专利

TW201001055A 空白光罩、光罩及其製造方法 BLANKMASK, PHOTOMASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：空白光罩、光罩及其制造方法 BLANKMASK, PHOTOMASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201001055A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW097132308
申请日：2008-08-25
申请人： S&S技術股份有限公司
发明人：南基守 , 車翰宣 , 梁信主 , 梁澈圭 , 金世蕓
IPC分类号： G03F
摘要：本申請案揭示了一種光罩、一種空白光罩及其製造方法，以減小導致一光罩之單一型樣與緻密型樣之間尺寸差異之負載效應。該方法包括：在一透明基板上沈積至少允許濕蝕刻之一抗蝕刻膜或一光屏蔽膜；在該抗蝕刻膜或者該光屏蔽膜上沈積與其具有相同蝕刻特性之一硬質罩膜；在硬質罩膜上塗覆一小厚度之光阻，接著曝光並顯影；以及蝕刻該硬質罩膜，以去除用作一蝕刻罩之光阻型樣和硬質罩膜，用於形成至少該光屏蔽膜。
简体摘要：本申请案揭示了一种光罩、一种空白光罩及其制造方法，以减小导致一光罩之单一型样与致密型样之间尺寸差异之负载效应。该方法包括：在一透明基板上沉积至少允许湿蚀刻之一抗蚀刻膜或一光屏蔽膜；在该抗蚀刻膜或者该光屏蔽膜上沉积与其具有相同蚀刻特性之一硬质罩膜；在硬质罩膜上涂覆一小厚度之光阻，接着曝光并显影；以及蚀刻该硬质罩膜，以去除用作一蚀刻罩之光阻型样和硬质罩膜，用于形成至少该光屏蔽膜。

6. 发明专利

TWI567480B 空白罩幕以及製造光罩的方法有权
简体标题：空白罩幕以及制造光罩的方法
公开(公告)号：TWI567480B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW102101543
申请日：2013-01-15
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 權順基 , KWON, SOON-GI
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F1/80

7. 发明专利

TWI525384B 空白罩幕和光罩有权
公开(公告)号：TWI525384B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW103134327
申请日：2014-10-02
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 鄭始俊 , JEONG, SEE-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/50 , G03F1/74
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/38 , G03F1/54 , G03F1/58

8. 发明专利

TWI505018B 空白罩幕和使用所述空白罩幕來製造光罩的方法有权
简体标题：空白罩幕和使用所述空白罩幕来制造光罩的方法
公开(公告)号：TWI505018B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102123098
申请日：2013-06-28
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/22
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/24

9. 发明专利

TW201514610A 空白罩幕和光罩审中-公开
公开(公告)号：TW201514610A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103134327
申请日：2014-10-02
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 鄭始俊 , JEONG, SEE-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/50 , G03F1/74
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/38 , G03F1/54 , G03F1/58
摘要：本發明提供具有半節距為32奈米或小於32奈米(尤其半節距為22奈米或小於22奈米)的高解析度圖案的光罩，其通過形成空白罩幕來製造，在所述空白罩幕中，在透明基底上形成不透光膜和相對於所述不透光膜厚度較小並且蝕刻選擇性較高的硬膜。光罩可以通過調節構成不透光膜的金屬、矽以及少量元素的組成比率而具有較高品質，以抑制在電子束修復製程期間二氟化氙氣體對圖案的破壞。
简体摘要：本发明提供具有半节距为32奈米或小于32奈米(尤其半节距为22奈米或小于22奈米)的高分辨率图案的光罩，其通过形成空白罩幕来制造，在所述空白罩幕中，在透明基底上形成不透光膜和相对于所述不透光膜厚度较小并且蚀刻选择性较高的硬膜。光罩可以通过调节构成不透光膜的金属、硅以及少量元素的组成比率而具有较高品质，以抑制在电子束修复制程期间二氟化氙气体对图案的破坏。

10. 发明专利

TW201137513A 空白遮罩、光罩以及其製造方法 BLANKMASK, PHOTOMASK AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME 审中-公开
简体标题：空白遮罩、光罩以及其制造方法 BLANKMASK, PHOTOMASK AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME
公开(公告)号：TW201137513A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099121841
申请日：2010-07-02
申请人： S&S技術股份有限公司
发明人：南基守 , 梁信柱 , 梁澈圭 , 李在煥
IPC分类号： G03F
摘要：本發明揭露一種空白遮罩、光罩以及其製造方法。所述空白遮罩包含依序堆疊於透明膜上之金屬膜、硬遮罩膜以及抗蝕劑膜。所述金屬膜或所述硬遮罩膜中之至少一者包含至少一可變組成區,其中在所述可變組成區中構成所述膜之元素中之至少一者的組成比率在所述膜之深度方向上連續改變。由此,光學密度均一性、反射率均一性、表面粗糙度、化學耐久性以及暴露耐久性與在所述深度方向上具有均一組成比率之習知薄膜相比可改良,且因此生長缺陷及殘餘應力問題可減少。
简体摘要：本发明揭露一种空白遮罩、光罩以及其制造方法。所述空白遮罩包含依序堆栈于透明膜上之金属膜、硬遮罩膜以及抗蚀剂膜。所述金属膜或所述硬遮罩膜中之至少一者包含至少一可变组成区,其中在所述可变组成区中构成所述膜之元素中之至少一者的组成比率在所述膜之深度方向上连续改变。由此,光学密度均一性、反射率均一性、表面粗糙度、化学耐久性以及暴露耐久性与在所述深度方向上具有均一组成比率之习知薄膜相比可改良,且因此生长缺陷及残余应力问题可减少。

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