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1. 发明专利

TWI453533B 空白罩幕以及光罩有权
公开(公告)号：TWI453533B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW101114210
申请日：2012-04-20
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 權順基 , KWON, SOON-GI
IPC分类号： G03F1/26

2. 发明专利

TWI579639B 極紫外線微影用空白罩幕以及使用該空白罩幕的光罩有权
简体标题：极紫外线微影用空白罩幕以及使用该空白罩幕的光罩
公开(公告)号：TWI579639B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW103110205
申请日：2014-03-19
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 鄭始俊 , JEONG, SEE-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/22

3. 发明专利

TW201537284A 空白罩幕及利用該空白罩幕的光罩审中-公开
简体标题：空白罩幕及利用该空白罩幕的光罩
公开(公告)号：TW201537284A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104102447
申请日：2015-01-26
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 崔珉箕 , CHOI, MIN-KI , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/48 , G03F1/26 , G03F1/80
摘要：本發明提供了一種空白罩幕和使用所述空白罩幕的光罩。所述空白罩幕可以適用於在所述光罩的製造之後藉由在遮光膜或相移膜上形成具有相對於硬膜或遮光膜的圖案的蝕刻選擇性的保護膜來防止遮光膜或相移膜的圖案的側表面、頂表面以及底表面的厚度損失，以使得在光罩的製造方法中在清洗製程和硬膜圖案的去除製程期間，當執行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜圖案的去除製程時，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的損失，由此確保厚度均勻性。
简体摘要：本发明提供了一种空白罩幕和使用所述空白罩幕的光罩。所述空白罩幕可以适用于在所述光罩的制造之后借由在遮光膜或相移膜上形成具有相对于硬膜或遮光膜的图案的蚀刻选择性的保护膜来防止遮光膜或相移膜的图案的侧表面、顶表面以及底表面的厚度损失，以使得在光罩的制造方法中在清洗制程和硬膜图案的去除制程期间，当运行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜图案的去除制程时，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的损失，由此确保厚度均匀性。

4. 发明专利

TW201518855A 極紫外線微影用空白罩幕以及使用該空白罩幕的光罩审中-公开
简体标题：极紫外线微影用空白罩幕以及使用该空白罩幕的光罩
公开(公告)号：TW201518855A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103110205
申请日：2014-03-19
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 鄭始俊 , JEONG, SEE-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/22
摘要：本發明提供一種極紫外線微影用空白罩幕以及一種使用極紫外線微影用空白罩幕的光罩。極紫外線微影用空白罩幕包含皆順序地堆疊於透明基板上的多層反射膜、罩蓋膜、吸收膜以及抗蝕劑膜。此處，吸收膜包含鎳(Ni)以及鎳鉭(NiTa)中的至少一者。極紫外線微影用空白罩幕可用於實現極佳圖案準確度，並藉由調整構成吸收膜的金屬與輕元素的成分比率來確保吸收膜的光學性質，以及實現吸收膜的薄化，其中實現極佳圖案準確度是因為空白罩幕包含硬膜而經由使抗蝕劑膜薄化來形成次解析度特徵尺寸為14奈米或小於14奈米(特別是10奈米或小於10奈米)的圖案。
简体摘要：本发明提供一种极紫外线微影用空白罩幕以及一种使用极紫外线微影用空白罩幕的光罩。极紫外线微影用空白罩幕包含皆顺序地堆栈于透明基板上的多层反射膜、罩盖膜、吸收膜以及抗蚀剂膜。此处，吸收膜包含镍(Ni)以及镍钽(NiTa)中的至少一者。极紫外线微影用空白罩幕可用于实现极佳图案准确度，并借由调整构成吸收膜的金属与轻元素的成分比率来确保吸收膜的光学性质，以及实现吸收膜的薄化，其中实现极佳图案准确度是因为空白罩幕包含硬膜而经由使抗蚀剂膜薄化来形成次分辨率特征尺寸为14奈米或小于14奈米(特别是10奈米或小于10奈米)的图案。

5. 发明专利

TW201346429A 空白罩幕、光罩以及其製造方法审中-公开
简体标题：空白罩幕、光罩以及其制造方法
公开(公告)号：TW201346429A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102101543
申请日：2013-01-15
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 權順基 , KWON, SOON-GI
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F1/80
摘要：提供一種製造光罩(其中硬罩膜圖案是用來作為蝕刻罩幕，以蝕刻在硬罩膜圖案下的相移層)的方法、空白罩幕以及使用空白罩幕之光罩。在所述方法中，可將用於圖案化硬罩膜之光阻膜形成為薄厚度，並且可使用對於相移層具有高蝕刻選擇性的硬罩膜圖案來蝕刻相移層。於是，因使用遮光膜圖案而可將光學密度維持為3.0，藉此增加圖案的解析度與精確度、減少負載效應以及改善關鍵尺寸特性(如關鍵尺寸均勻度與關鍵尺寸線性度)。
简体摘要：提供一种制造光罩(其中硬罩膜图案是用来作为蚀刻罩幕，以蚀刻在硬罩膜图案下的相移层)的方法、空白罩幕以及使用空白罩幕之光罩。在所述方法中，可将用于图案化硬罩膜之光阻膜形成为薄厚度，并且可使用对于相移层具有高蚀刻选择性的硬罩膜图案来蚀刻相移层。于是，因使用遮光膜图案而可将光学密度维持为3.0，借此增加图案的分辨率与精确度、减少负载效应以及改善关键尺寸特性(如关键尺寸均匀度与关键尺寸线性度)。

6. 发明专利

TWI612374B 空白罩幕及利用該空白罩幕的光罩有权
简体标题：空白罩幕及利用该空白罩幕的光罩
公开(公告)号：TWI612374B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104102447
申请日：2015-01-26
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 崔珉箕 , CHOI, MIN-KI , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/48 , G03F1/26 , G03F1/80

7. 发明专利

TWI567481B 相移空白遮罩及其製造方法有权
简体标题：相移空白遮罩及其制造方法
公开(公告)号：TWI567481B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW102115474
申请日：2013-04-30
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 金東建 , KIM, DONG-GEUN , 張種沅 , JANG, JONG-WON , 崔珉箕 , CHOI, MIN-KI
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/26

8. 发明专利

TWI501023B 空白遮罩及使用其的光罩有权
公开(公告)号：TWI501023B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101138108
申请日：2012-10-16
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 權順基 , KWON, SOON-GI
IPC分类号： G03F1/22
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/80

9. 发明专利

TW201400975A 空白罩幕和使用所述空白罩幕來製造光罩的方法审中-公开
简体标题：空白罩幕和使用所述空白罩幕来制造光罩的方法
公开(公告)号：TW201400975A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102123098
申请日：2013-06-28
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/22
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/24
摘要：提供一種具有光遮罩層以及硬罩幕膜的空白罩幕，所述光遮罩層包含光阻擋層以及抗反射層。所述光阻擋層以及所述抗反射層通過組合由MoSi化合物形成的層與由MoTaSi化合物形成的層而形成。因此，所述空白罩幕實現32奈米或更小的圖案的形成，這是因為所述光遮罩層可較薄地形成為200埃到700埃的厚度且可形成具有對應於所述圖案的解析度的圖案逼真度的光罩。所述光遮罩層具有在193奈米的曝光波長下的2.0到4.0的光學密度、耐化學性以及用於缺陷修補的充足製程裕量。另外，硬罩幕膜使用包含錫和鉻的化合物而形成為20埃到50埃的厚度，進而降低硬罩幕膜的蝕刻速率。因此，抗蝕劑膜可形成為薄膜，進而製造高解析度空白罩幕。
简体摘要：提供一种具有光遮罩层以及硬罩幕膜的空白罩幕，所述光遮罩层包含光阻挡层以及抗反射层。所述光阻挡层以及所述抗反射层通过组合由MoSi化合物形成的层与由MoTaSi化合物形成的层而形成。因此，所述空白罩幕实现32奈米或更小的图案的形成，这是因为所述光遮罩层可较薄地形成为200埃到700埃的厚度且可形成具有对应于所述图案的分辨率的图案逼真度的光罩。所述光遮罩层具有在193奈米的曝光波长下的2.0到4.0的光学密度、耐化学性以及用于缺陷修补的充足制程裕量。另外，硬罩幕膜使用包含锡和铬的化合物而形成为20埃到50埃的厚度，进而降低硬罩幕膜的蚀刻速率。因此，抗蚀剂膜可形成为薄膜，进而制造高分辨率空白罩幕。

10. 发明专利

TW201321887A 空白遮罩及使用其的光罩审中-公开
公开(公告)号：TW201321887A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101138108
申请日：2012-10-16
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 權順基 , KWON, SOON-GI
IPC分类号： G03F1/22
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/80
摘要：本發明提供一種用於硬遮罩的空白遮罩。在空白遮罩中，藉由適當地控制硬膜中的氮含量及碳含量來形成硬膜，以減小在執行蝕刻製程時所造成的關鍵尺寸的偏差。藉由增大遮光膜中的金屬含量及減小抗反射膜中的金屬含量來形成具有薄的厚度的金屬膜。因此，可提高金屬膜的解析度、圖案保真度及耐化學性。此外，金屬膜及硬膜被形成為使其間的反射率反差高，從而能夠容易地檢驗硬膜。因此，用於硬遮罩的空白遮罩可應用於動態隨機存取記憶體、快閃記憶體、或微處理單元，以具有32nm或32nm以下的半間距且尤其是具有22nm或22nm以下的關鍵尺寸。
简体摘要：本发明提供一种用于硬遮罩的空白遮罩。在空白遮罩中，借由适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在运行蚀刻制程时所造成的关键尺寸的偏差。借由增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验硬膜。因此，用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机存取内存、闪存、或微处理单元，以具有32nm或32nm以下的半间距且尤其是具有22nm或22nm以下的关键尺寸。

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