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1. 发明专利

TWI682856B EUV微影用防護膜有权
简体标题： EUV微影用防护膜
公开(公告)号：TWI682856B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW107115836
申请日：2018-05-10
申请人：南韓商S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 李昌焄 , LEE, CHANG-HUN , 洪朱憙 , HONG, JU-HEE , 朴鐵均 , PARK, CHUL-KYUN
IPC分类号： B32B7/02 , G03F1/64

2. 发明专利

TWI682234B 相移空白罩幕以及相移光罩有权
公开(公告)号：TWI682234B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107116686
申请日：2018-05-16
申请人：南韓商S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 申昇協 , SHIN, SEUNG-HYUP , 公拮寓 , KONG, GIL-WOO
IPC分类号： G03F1/26

3. 发明专利

TWI671585B 相移空白罩幕以及相移光罩有权
公开(公告)号：TWI671585B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107116853
申请日：2018-05-17
申请人：南韓商S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 申昇協 , SHIN, SEUNG-HYUP , 公拮寓 , KONG, GIL-WOO
IPC分类号： G03F1/26

4. 发明专利

TW201725440A 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩审中-公开
简体标题：用于极紫外线微影之空白遮罩及使用其之光罩
公开(公告)号：TW201725440A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105112747
申请日：2016-04-25
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 崔珉箕 , CHOI, MIN-KI , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN
IPC分类号： G03F1/22 , G03F7/20
摘要：揭示一種用於極紫外線微影之空白遮罩，其中一多反射膜、一吸收體膜、及一光阻膜(resist film)之至少一者堆疊於一透明基材上。該吸收體膜包含選自鉑(Pt)、鎳(Ni)、鉭(Ta)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、銀(Ag)、銦(In)、鋨(Os)、銥(Ir)、及金(Au)之一或多種金屬材料，並且除包含該金屬材料外，亦包含氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)、及氫(H)之一或多種輕元素。運用此，有可能使該吸收體膜較薄，同時保證該吸收體膜之遮光性質。進一步，有可能改善耐化學性及耐曝光性。
简体摘要：揭示一种用于极紫外线微影之空白遮罩，其中一多反射膜、一吸收体膜、及一光阻膜(resist film)之至少一者堆栈于一透明基材上。该吸收体膜包含选自铂(Pt)、镍(Ni)、钽(Ta)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、银(Ag)、铟(In)、锇(Os)、铱(Ir)、及金(Au)之一或多种金属材料，并且除包含该金属材料外，亦包含氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)、及氢(H)之一或多种轻元素。运用此，有可能使该吸收体膜较薄，同时保证该吸收体膜之遮光性质。进一步，有可能改善耐化学性及耐曝光性。

5. 发明专利

TWI579639B 極紫外線微影用空白罩幕以及使用該空白罩幕的光罩有权
简体标题：极紫外线微影用空白罩幕以及使用该空白罩幕的光罩
公开(公告)号：TWI579639B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW103110205
申请日：2014-03-19
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鐘華 , LEE, JONG-HWA , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 鄭始俊 , JEONG, SEE-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/22

6. 发明专利

TWI505019B 用於平面顯示器之相位移位空白光罩及光罩有权
简体标题：用于平面显示器之相位移位空白光罩及光罩
公开(公告)号：TWI505019B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102126997
申请日：2013-07-26
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 李東鎬 , LEE, DONG-HO , 朴淵洙 , PARK, YOUN-SOO , 徐成旼 , SEO, SUNG-MIN , 金榮善 , KIM, YEONG-SEON
IPC分类号： G03F1/26

7. 发明专利

TW201537284A 空白罩幕及利用該空白罩幕的光罩审中-公开
简体标题：空白罩幕及利用该空白罩幕的光罩
公开(公告)号：TW201537284A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104102447
申请日：2015-01-26
申请人： S&S技術股份有限公司 , S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 梁澈圭 , YANG, CHUL-KYU , 姜亘遠 , KANG, GEUNG-WON , 申澈 , SHIN, CHEOL , 李鍾華 , LEE, JONG-HWA , 崔珉箕 , CHOI, MIN-KI , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN , 張圭珍 , JANG, KYU-JIN
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/48 , G03F1/26 , G03F1/80
摘要：本發明提供了一種空白罩幕和使用所述空白罩幕的光罩。所述空白罩幕可以適用於在所述光罩的製造之後藉由在遮光膜或相移膜上形成具有相對於硬膜或遮光膜的圖案的蝕刻選擇性的保護膜來防止遮光膜或相移膜的圖案的側表面、頂表面以及底表面的厚度損失，以使得在光罩的製造方法中在清洗製程和硬膜圖案的去除製程期間，當執行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜圖案的去除製程時，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的損失，由此確保厚度均勻性。
简体摘要：本发明提供了一种空白罩幕和使用所述空白罩幕的光罩。所述空白罩幕可以适用于在所述光罩的制造之后借由在遮光膜或相移膜上形成具有相对于硬膜或遮光膜的图案的蚀刻选择性的保护膜来防止遮光膜或相移膜的图案的侧表面、顶表面以及底表面的厚度损失，以使得在光罩的制造方法中在清洗制程和硬膜图案的去除制程期间，当运行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜图案的去除制程时，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的损失，由此确保厚度均匀性。

8. 发明专利

TWI453532B 空白罩幕、光罩及其製造方法有权
简体标题：空白罩幕、光罩及其制造方法
公开(公告)号：TWI453532B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW099108553
申请日：2010-03-23
申请人： S&S技術股份有限公司 , S & S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 , NAM, KEE-SOO , 車韓宣 , CHA, HAN-SUN , 梁信柱 , YANG, SHIN-JU , 姜周鉉 , KANG, JU-HYUN , 金昌俊 , KIM, CHANG-JUN
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/50

9. 发明专利

TWI380127B 半調式相轉移空白遮罩、半調式相轉移光罩及其製造方法 HALF-TONE PHASE SHIFT BLANKMASK, HALF-TONE PHASE SHIFT PHOTOMASK AND ITS MANUFACTURING METHOD 有权
简体标题：半调式相转移空白遮罩、半调式相转移光罩及其制造方法 HALF-TONE PHASE SHIFT BLANKMASK, HALF-TONE PHASE SHIFT PHOTOMASK AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI380127B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW096150331
申请日：2007-12-26
申请人： S&S技術股份有限公司
发明人：南基守 , 車韓宣 , 梁信柱 , 梁澈圭 , 姜周鉉
IPC分类号： G03F
摘要：在製造半調式相轉移空白遮罩時，使用比基板表面面積大的、同時含鉬、鉭、矽的濺鍍靶形成相移膜。這樣可以製造均勻性高的優質的相移膜；而且投入批量生產時，可以製造出均勻性非常高的產品；還有，在相移膜上添加鉭，可以確保優秀的耐化學性，可以生產出在熱力學上具有穩定性好的特徵的相移膜；同時，基於這些穩定性，可以生產出透視率、相移等特徵不發生变化、因低殘餘應力不發生缺陷的、品質優秀的半調式相轉移空白遮罩；而且，由於添加鉭的原因，改善相移膜的離子及揮發性有機化學物的吸附特性，從而可以生產出不發生生長缺陷的半調式相轉移空白遮罩。
简体摘要：在制造半调式相转移空白遮罩时，使用比基板表面面积大的、同时含钼、钽、硅的溅镀靶形成相移膜。这样可以制造均匀性高的优质的相移膜；而且投入批量生产时，可以制造出均匀性非常高的产品；还有，在相移膜上添加钽，可以确保优秀的耐化学性，可以生产出在热力学上具有稳定性好的特征的相移膜；同时，基于这些稳定性，可以生产出透视率、相移等特征不发生变化、因低残余应力不发生缺陷的、品质优秀的半调式相转移空白遮罩；而且，由于添加钽的原因，改善相移膜的离子及挥发性有机化学物的吸附特性，从而可以生产出不发生生长缺陷的半调式相转移空白遮罩。

10. 发明专利

TW201205199A 形成光阻之裝置、空白光罩、及空白光罩之製造方法 APPARATUS FOR FORMING RESIST, PHOTOMASK BLANK, AND MEHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK BLANK 审中-公开
简体标题：形成光阻之设备、空白光罩、及空白光罩之制造方法 APPARATUS FOR FORMING RESIST, PHOTOMASK BLANK, AND MEHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK BLANK
公开(公告)号：TW201205199A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100117353
申请日：2011-05-18
申请人： S&S技術股份有限公司
发明人：琴斗勳 , 金東建 , 南基守
IPC分类号： G03F
摘要：本發明提供一種空白光罩之製造方法，其係包括藉由將光阻劑滴在透明基板上並旋轉該基板，以在該基板上形成光阻，其中在旋轉該基板時，產生以該基板之旋轉方向的相反方向、沿著該基板之側邊流動之第一氣流，藉以防止該光阻劑附著在該基板之側邊。
简体摘要：本发明提供一种空白光罩之制造方法，其系包括借由将光阻剂滴在透明基板上并旋转该基板，以在该基板上形成光阻，其中在旋转该基板时，产生以该基板之旋转方向的相反方向、沿着该基板之侧边流动之第一气流，借以防止该光阻剂附着在该基板之侧边。

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