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1. 发明专利

TW201501307A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201501307A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103105214
申请日：2014-02-18
申请人： PS4盧克斯科公司 , PS4 LUXCO S. A. R. L.
发明人：浜田耕治 , HAMADA, KOJI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/10814 , H01L27/10826 , H01L27/10885 , H01L27/1203 , H01L27/1211
摘要：本發明係一種半導體裝置，其中，半導體裝置係具有：第1單元電晶體(25)，和第2單元電晶體(27)。第1單元電晶體(25)係包含：呈夾持第1溝(21)地加以配置之第1及第2側壁部通道範圍(63，64)，及加以配置於第1溝(21)之底面(21a)與絕緣層(13-2)之間的第1底部通道範圍(66)。第2單元電晶體(27)係包含：呈夾持第2溝(22)地加以配置之第2及第3側壁部通道範圍(64，76)，及加以配置於第2溝(22)之底面(22a)與絕緣層(13-2)之間的第2底部通道範圍(77)，且加以設置於與第1單元電晶體(25)同一之活性範圍(19)。
简体摘要：本发明系一种半导体设备，其中，半导体设备系具有：第1单元晶体管(25)，和第2单元晶体管(27)。第1单元晶体管(25)系包含：呈夹持第1沟(21)地加以配置之第1及第2侧壁部信道范围(63，64)，及加以配置于第1沟(21)之底面(21a)与绝缘层(13-2)之间的第1底部信道范围(66)。第2单元晶体管(27)系包含：呈夹持第2沟(22)地加以配置之第2及第3侧壁部信道范围(64，76)，及加以配置于第2沟(22)之底面(22a)与绝缘层(13-2)之间的第2底部信道范围(77)，且加以设置于与第1单元晶体管(25)同一之活性范围(19)。

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