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1. 发明专利

TWI519660B 濺鍍用鈦靶有权
简体标题：溅镀用钛靶
公开(公告)号：TWI519660B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101104006
申请日：2012-02-08
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：牧野修仁 , MAKINO, NOBUHITO , 岡部岳夫 , OKABE, TAKEO , 塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C14/00 , C22F1/183 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429

2. 发明专利

TW201518528A 背板一體型之金屬製濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：背板一体型之金属制溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201518528A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103131306
申请日：2014-09-11
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO
IPC分类号： C23C14/34 , B21J5/02 , B21K1/28
CPC分类号： H01J37/3417 , B21K23/04 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3491
摘要：本發明提供一種背板一體型之金屬製濺鍍靶，其特徵在於：周圍具備成為背板之與靶一體之凸緣部，該凸緣部具備反覆進行局部鍛造而成之組織。如此，本發明之課題在於，於背板一體型濺鍍靶中，藉由僅提高靶之凸緣部之機械強度，可抑制濺鍍中之靶變形，進而不會改變習知之濺鍍特性，藉此可形成均一性(uniformity)優異之薄膜，提昇微細化、高積體化發展之半導體製品之良率或可靠性。
简体摘要：本发明提供一种背板一体型之金属制溅镀靶，其特征在于：周围具备成为背板之与靶一体之凸缘部，该凸缘部具备反复进行局部锻造而成之组织。如此，本发明之课题在于，于背板一体型溅镀靶中，借由仅提高靶之凸缘部之机械强度，可抑制溅镀中之靶变形，进而不会改变习知之溅镀特性，借此可形成均一性(uniformity)优异之薄膜，提升微细化、高积体化发展之半导体制品之良率或可靠性。

3. 发明专利

TW201315829A 濺鍍用鉭製線圈之再生方法及藉由該再生方法而得之鉭製線圈审中-公开
简体标题：溅镀用钽制线圈之再生方法及借由该再生方法而得之钽制线圈
公开(公告)号：TW201315829A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101134110
申请日：2012-09-18
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32853 , H01J37/3288 , H01J37/34 , H01J37/3447 , Y10T29/49748
摘要：本發明係關於一種濺鍍用鉭製線圈之再生方法，其係配置於基板與濺鍍靶之間之濺鍍用鉭製線圈之再生方法，其特徵在於：藉由對線圈整個面或一部分進行切削加工，而對使用完畢之線圈進行面加工（切削至再沈積膜及滾紋加工痕跡消失），從而除去濺鍍中所形成之再沈積膜，然後，對切削後之部位重新施加滾紋。於濺鍍中，濺鍍粒子會堆積（再沈積）於配置在基板與濺鍍靶間的鉭製線圈之表面，本發明之課題在於提供以下技術：於濺鍍結束後，藉由切削而除去該使用完畢之線圈所堆積之濺鍍粒子，從而有效地使鉭製線圈再生，藉此可排除不必要之新線圈之製作，提高生產性，且穩定地提供該線圈。
简体摘要：本发明系关于一种溅镀用钽制线圈之再生方法，其系配置于基板与溅镀靶之间之溅镀用钽制线圈之再生方法，其特征在于：借由对线圈整个面或一部分进行切削加工，而对使用完毕之线圈进行面加工（切削至再沉积膜及滚纹加工痕迹消失），从而除去溅镀中所形成之再沉积膜，然后，对切削后之部位重新施加滚纹。于溅镀中，溅镀粒子会堆积（再沉积）于配置在基板与溅镀靶间的钽制线圈之表面，本发明之课题在于提供以下技术：于溅镀结束后，借由切削而除去该使用完毕之线圈所堆积之溅镀粒子，从而有效地使钽制线圈再生，借此可排除不必要之新线圈之制作，提高生产性，且稳定地提供该线圈。

4. 发明专利

TW201632647A 鈦製濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：钛制溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201632647A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104131215
申请日：2015-09-22
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285
摘要：習知之凹(concave)形狀之鈦製濺鍍靶係切削鈦製之壓延板而製作，由於在平面部與楔形(taper)部晶向存在大差異，故而存在於利用濺鍍進行成膜時，膜厚之均勻性差之問題。本案發明係代替切削，而藉由對鈦製之壓延板進行加壓(鍛造)從而加工成凹形狀，藉此於平面部與楔形部減小晶向之差，從而提供特性優異之鈦製濺鍍靶。藉此，具有如下優異之效果：能夠不改變習知之濺鍍特性，而形成均一性(uniformity)優異之薄膜，從而能夠提高發展微細化、高積體化之半導體製品之良率或可靠性。
简体摘要：习知之凹(concave)形状之钛制溅镀靶系切削钛制之压延板而制作，由于在平面部与楔形(taper)部晶向存在大差异，故而存在于利用溅镀进行成膜时，膜厚之均匀性差之问题。本案发明系代替切削，而借由对钛制之压延板进行加压(锻造)从而加工成凹形状，借此于平面部与楔形部减小晶向之差，从而提供特性优异之钛制溅镀靶。借此，具有如下优异之效果：能够不改变习知之溅镀特性，而形成均一性(uniformity)优异之薄膜，从而能够提高发展微细化、高积体化之半导体制品之良率或可靠性。

5. 发明专利

TWI504767B 濺鍍靶－支持板接合體及其製造方法有权
简体标题：溅镀靶－支持板接合体及其制造方法
公开(公告)号：TWI504767B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW100138763
申请日：2011-10-26
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO , 大橋一允 , OHASHI, KAZUMASA
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34 , B23K1/20 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3435

6. 发明专利

TWI433953B 濺鍍用鈦靶有权
简体标题：溅镀用钛靶
公开(公告)号：TWI433953B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW099126715
申请日：2010-08-11
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO , 大月富男 , OTSUKI, TOMIO
IPC分类号： C23C14/34 , C22C14/00

7. 发明专利

TW201329262A 濺鍍用鈦靶审中-公开
简体标题：溅镀用钛靶
公开(公告)号：TW201329262A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101116155
申请日：2012-05-07
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO , 牧野修仁 , MAKINO, NOBUHITO , 福島篤志 , FUKUSHIMA, ATSUSHI , 八木和人 , YAGI, KAZUTO , 日野英治 , HINO, EIJI
IPC分类号： C23C14/34 , C22C14/00
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C1/10 , C22C14/00 , C23C14/3414
摘要：本發明係一種濺鍍用鈦靶，其係高純度鈦靶，其特徵在於：含有0.5~5質量ppm之S作為添加成分，且除添加成分與氣體成分以外，靶之純度為99.995質量%以上。本發明之課題在於提供一種即便於高功率濺鍍(高速濺鍍)時，亦不產生龜裂或破裂，且可使濺鍍特性穩定之高品質濺鍍用鈦靶。
简体摘要：本发明系一种溅镀用钛靶，其系高纯度钛靶，其特征在于：含有0.5~5质量ppm之S作为添加成分，且除添加成分与气体成分以外，靶之纯度为99.995质量%以上。本发明之课题在于提供一种即便于高功率溅镀(高速溅镀)时，亦不产生龟裂或破裂，且可使溅镀特性稳定之高品质溅镀用钛靶。

8. 发明专利

TW201219584A 濺鍍靶－支持板接合體及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶－支持板接合体及其制造方法
公开(公告)号：TW201219584A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100138763
申请日：2011-10-26
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司
发明人：塚本志郎 , 大橋一允
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/34 , B23K1/20 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3435
摘要：本發明係關於一種濺鍍靶-支持板接合體，係於Ti靶接合Cu－Cr合金製支持板，其特徵在於：於Ti靶與Cu－Cr合金製支持板之界面隔著由應變吸收材料構成之層而接合。本發明尤其是關於一種為了防止濺鍍時之變形（移位）而可吸收靶與支持板之界面之應變的濺鍍靶－支持板接合體及其製造方法，本發明之課題在於解決鈦（Ti）固有之問題與適於其之支持板的選擇相關之問題。
简体摘要：本发明系关于一种溅镀靶-支持板接合体，系于Ti靶接合Cu－Cr合金制支持板，其特征在于：于Ti靶与Cu－Cr合金制支持板之界面隔着由应变吸收材料构成之层而接合。本发明尤其是关于一种为了防止溅镀时之变形（移位）而可吸收靶与支持板之界面之应变的溅镀靶－支持板接合体及其制造方法，本发明之课题在于解决钛（Ti）固有之问题与适于其之支持板的选择相关之问题。

9. 发明专利

TW201139709A 釓製濺鍍靶及該靶之製造方法审中-公开
简体标题：钆制溅镀靶及该靶之制造方法
公开(公告)号：TW201139709A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099145465
申请日：2010-12-23
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司
发明人：塚本志郎
IPC分类号： C23C , B23K
CPC分类号： C23C14/3414 , B23K20/021
摘要：本發明係一種釓靶與鈦製支持板之組裝體,其特徵在於:於釓靶與鈦製支持板之接合界面具有固相擴散接合界面。本發明之課題在於:找出適合於釓製濺鍍靶之支持板,並且探索最佳之接合條件,使成膜速度提高並使濺鍍穩定,增加靶材與支持板之接合强度而防止靶材與支持板之翹曲之產生或剝離,且抑制濺鍍時之粒子之產生。
简体摘要：本发明系一种钆靶与钛制支持板之组装体,其特征在于:于钆靶与钛制支持板之接合界面具有固相扩散接合界面。本发明之课题在于:找出适合于钆制溅镀靶之支持板,并且探索最佳之接合条件,使成膜速度提高并使溅镀稳定,增加靶材与支持板之接合强度而防止靶材与支持板之翘曲之产生或剥离,且抑制溅镀时之粒子之产生。

10. 发明专利

TWI630279B 濺鍍用鈦靶及其之製造方法有权
简体标题：溅镀用钛靶及其之制造方法
公开(公告)号：TWI630279B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW103107180
申请日：2014-03-04
申请人：日商JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14

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