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1. 发明专利

TW201805724A 抗蝕劑製程用膜形成材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：抗蚀剂制程用膜形成材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201805724A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106110210
申请日：2017-03-28
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：鈴木準也 , SUZUKI, JUN-YA , 瀬古智昭 , SEKO, TOMOAKI , 庵野祐亮 , ANNO, YUUSUKE
IPC分类号： G03F7/11 , C09D183/08 , C08G77/22
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種抗蝕劑製程用膜形成材料及使用其的圖案形成方法，所述抗蝕劑製程用膜形成材料可形成兼具對CF4氣體的優異的蝕刻容易性與對氧氣的優異的耐蝕刻性的含矽膜，或者可形成由酸性液帶來的剝離性、對CF4氣體的蝕刻容易性與對氧氣的耐蝕刻性的平衡性良好的含矽膜。本發明的抗蝕劑製程用膜形成材料為如下抗蝕劑製程用膜形成材料，其含有：矽氧烷系聚合物成分，含有選自由硫原子、氮原子、硼原子及磷原子所組成的群組中的兩種以上的原子；以及有機溶媒。本發明的圖案形成方法為如下圖案形成方法，其包括：將所述抗蝕劑製程用膜形成材料塗佈於基板上而形成含矽膜的步驟；以及將所述含矽膜作為遮罩而形成圖案的步驟等。
简体摘要：本发明提供一种抗蚀剂制程用膜形成材料及使用其的图案形成方法，所述抗蚀剂制程用膜形成材料可形成兼具对CF4气体的优异的蚀刻容易性与对氧气的优异的耐蚀刻性的含硅膜，或者可形成由酸性液带来的剥离性、对CF4气体的蚀刻容易性与对氧气的耐蚀刻性的平衡性良好的含硅膜。本发明的抗蚀剂制程用膜形成材料为如下抗蚀剂制程用膜形成材料，其含有：硅氧烷系聚合物成分，含有选自由硫原子、氮原子、硼原子及磷原子所组成的群组中的两种以上的原子；以及有机溶媒。本发明的图案形成方法为如下图案形成方法，其包括：将所述抗蚀剂制程用膜形成材料涂布于基板上而形成含硅膜的步骤；以及将所述含硅膜作为遮罩而形成图案的步骤等。

2. 发明专利

TW201439685A 抗蝕底層膜形成用組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：抗蚀底层膜形成用组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW201439685A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102112487
申请日：2013-04-09
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：木村徹 , KIMURA, TOORU , 元成正之 , MOTONARI, MASAYUKI , 鈴木準也 , SUZUKI, JUN-YA , 田中博允 , TANAKA, HIROMITSU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L83/04 , H01L21/027
摘要：本發明之目的係提供一種具有優異之保存安定性及可抑制塗佈缺陷產生之高塗佈缺陷改善性之抗蝕底層膜形成用組成物及使用該組成物之圖型形成方法。本發明為一種抗蝕底層膜形成用組成物，其為含有[A]聚矽氧烷、及[B]溶劑之抗蝕底層膜形成用組成物，其中[B]溶劑包含(B1)以下述式(1)表示之化合物或碳酸酯化合物，且標準沸點在150.0℃以上之有機溶劑。(B1)有機溶劑之標準沸點較好為180℃以上。另外，[B]溶劑中之(B1)有機溶劑之含有率較好為1質量%以上50質量%以下。且，(B1)有機溶劑之靜態表面張力較好為20mN/m以上50mN/m以下。
简体摘要：本发明之目的系提供一种具有优异之保存安定性及可抑制涂布缺陷产生之高涂布缺陷改善性之抗蚀底层膜形成用组成物及使用该组成物之图型形成方法。本发明为一种抗蚀底层膜形成用组成物，其为含有[A]聚硅氧烷、及[B]溶剂之抗蚀底层膜形成用组成物，其中[B]溶剂包含(B1)以下述式(1)表示之化合物或碳酸酯化合物，且标准沸点在150.0℃以上之有机溶剂。(B1)有机溶剂之标准沸点较好为180℃以上。另外，[B]溶剂中之(B1)有机溶剂之含有率较好为1质量%以上50质量%以下。且，(B1)有机溶剂之静态表面张力较好为20mN/m以上50mN/m以下。

3. 发明专利

TW201610590A 圖型形成方法审中-公开
简体标题：图型形成方法
公开(公告)号：TW201610590A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104109181
申请日：2015-03-23
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：石川真義 , ISHIKAWA, MASAYOSHI , 田中博允 , TANAKA, HIROMITSU , 河津智晴 , KAWAZU, TOMOHARU , 鈴木準也 , SUZUKI, JUN-YA , 瀬古智昭 , SEKO, TOMOAKI , 滝本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/16 , G03F7/405 , G03F7/425 , H01L21/02126 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/0332 , H01L21/31111 , H01L21/31144
摘要：本發明係一種圖型形成方法，其具有下列步驟：於基板之一面側形成阻劑下層膜之步驟、於上述阻劑下層膜之與上述基板相反面側形成含矽膜之步驟、及以鹼性水溶液去除上述含矽膜之步驟，在上述含矽膜形成步驟之後且上述含矽膜去除步驟前，不具有以含有酸或氟化合物之處理液處理上述含矽膜之步驟。上述含矽膜較好係由含有全部矽化合物中60莫耳%以上之以下述式(1)表示之化合物之組成物之水解縮合物所形成。 SiX4 (1) (式(1)中，X為鹵原子或-OR2，R2為1價有機基)。
简体摘要：本发明系一种图型形成方法，其具有下列步骤：于基板之一面侧形成阻剂下层膜之步骤、于上述阻剂下层膜之与上述基板相反面侧形成含硅膜之步骤、及以碱性水溶液去除上述含硅膜之步骤，在上述含硅膜形成步骤之后且上述含硅膜去除步骤前，不具有以含有酸或氟化合物之处理液处理上述含硅膜之步骤。上述含硅膜较好系由含有全部硅化合物中60莫耳%以上之以下述式(1)表示之化合物之组成物之水解缩合物所形成。 SiX4 (1) (式(1)中，X为卤原子或-OR2，R2为1价有机基)。

4. 发明专利

TWI666264B 含矽膜形成用組成物、圖型形成方法及聚矽氧烷化合物有权
简体标题：含硅膜形成用组成物、图型形成方法及聚硅氧烷化合物
公开(公告)号：TWI666264B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104113380
申请日：2015-04-27
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：瀬古智昭 , SEKO, TOMOAKI , 出井慧 , DEI, SATOSHI , 鈴木準也 , SUZUKI, JUN-YA
IPC分类号： C08L83/04 , C08G77/04 , G03F7/11 , H01L21/027

5. 发明专利

TWI575326B 抗蝕底層膜形成用組成物及圖型形成方法有权
简体标题：抗蚀底层膜形成用组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TWI575326B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW102112487
申请日：2013-04-09
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：木村徹 , KIMURA, TOORU , 元成正之 , MOTONARI, MASAYUKI , 鈴木準也 , SUZUKI, JUN-YA , 田中博允 , TANAKA, HIROMITSU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L83/04 , H01L21/027

6. 发明专利

TW201627771A 含矽膜形成用組成物及使用該組成物的圖案形成方法审中-公开
简体标题：含硅膜形成用组成物及使用该组成物的图案形成方法
公开(公告)号：TW201627771A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW105100333
申请日：2016-01-07
申请人： JSR 股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：田中博允 , TANAKA, HIROMITSU , 石川真義 , ISHIKAWA, MASAYOSHI , 瀬古智昭 , SEKO, TOMOAKI , 河津智晴 , KAWAZU, TOMOHARU , 鈴木準也 , SUZUKI, JUN-YA , 酒井達也 , SAKAI, TATSUYA , 生井準人 , NAMAI, HAYATO
IPC分类号： G03F7/11 , C08L83/08 , C08L83/06 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G77/28 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種使用鹼性液進行濕式剝離時的剝離性良好的新型含矽膜形成用組成物及使用該組成物的圖案形成方法。本發明提供一種含矽膜形成用組成物，其用於包括在抗蝕劑下層膜表面形成含矽膜、並利用鹼性液剝離該含矽膜的步驟的多層抗蝕劑製程，所述含矽膜形成用組成物的特徵在於包含：具有選自由下述通式（1）所表示的部分結構及下述通式（2）所表示的部分結構所組成的群組中的一種以上的化合物。（式（1）中，當L、-SO2 -O-*及X1 不構成環時，L為單鍵或二價的有機基，X1 為氫原子或一價的有機基。當L、-SO2 -O-*及X1 構成環時，L為三價的有機基，X1 為二價的有機基（再者，*表示O與X1 的鍵結位置））（式（2）中，X2 為氫原子或一價的有機基）
简体摘要：本发明提供一种使用碱性液进行湿式剥离时的剥离性良好的新型含硅膜形成用组成物及使用该组成物的图案形成方法。本发明提供一种含硅膜形成用组成物，其用于包括在抗蚀剂下层膜表面形成含硅膜、并利用碱性液剥离该含硅膜的步骤的多层抗蚀剂制程，所述含硅膜形成用组成物的特征在于包含：具有选自由下述通式（1）所表示的部分结构及下述通式（2）所表示的部分结构所组成的群组中的一种以上的化合物。（式（1）中，当L、-SO2 -O-*及X1 不构成环时，L为单键或二价的有机基，X1 为氢原子或一价的有机基。当L、-SO2 -O-*及X1 构成环时，L为三价的有机基，X1 为二价的有机基（再者，*表示O与X1 的键结位置））（式（2）中，X2 为氢原子或一价的有机基）

7. 发明专利

TW201546183A 含矽膜形成用組成物、圖型形成方法及聚矽氧烷化合物审中-公开
简体标题：含硅膜形成用组成物、图型形成方法及聚硅氧烷化合物
公开(公告)号：TW201546183A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104113380
申请日：2015-04-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：瀬古智昭 , SEKO, TOMOAKI , 出井慧 , DEI, SATOSHI , 鈴木準也 , SUZUKI, JUN-YA
IPC分类号： C08L83/04 , C08G77/04 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：本發明之課題在於提供具有高保存安定性，並且在多層光阻製程中，尤其係在有機溶劑顯像時，能抑制圖型倒塌及光阻之底部拖尾，且硬化前之溶劑耐性優異之含矽膜形成用組成物為目的。本發明之解決手段為一種含矽膜形成用組成物，其特徵為含有聚矽氧烷化合物、及溶劑；該聚矽氧烷化合物係為在下述式(Q1)至(Q4)所表示之構造之中，具有(Q2)所表示之構造、(Q3)所表示之構造及(Q4)所表示之構造，且由29Si-NMR所求得之訊號之中，將下述式(Q1)至(Q4)所表示之構造中各自之矽原子所提供之訊號之積分值設為q1至q4時，以下述式(I)所計算之q之值為0.25以下，並且重量平均分子量為4,000以下者；q=(q1+q2)/(q1+q2+q3+q4) (I)
简体摘要：本发明之课题在于提供具有高保存安定性，并且在多层光阻制程中，尤其系在有机溶剂显像时，能抑制图型倒塌及光阻之底部拖尾，且硬化前之溶剂耐性优异之含硅膜形成用组成物为目的。本发明之解决手段为一种含硅膜形成用组成物，其特征为含有聚硅氧烷化合物、及溶剂；该聚硅氧烷化合物系为在下述式(Q1)至(Q4)所表示之构造之中，具有(Q2)所表示之构造、(Q3)所表示之构造及(Q4)所表示之构造，且由29Si-NMR所求得之信号之中，将下述式(Q1)至(Q4)所表示之构造中各自之硅原子所提供之信号之积分值设为q1至q4时，以下述式(I)所计算之q之值为0.25以下，并且重量平均分子量为4,000以下者；q=(q1+q2)/(q1+q2+q3+q4) (I)

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