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    • 3. 发明专利
    • 研磨物
    • TWI236398B
    • 2005-07-21
    • TW090113091
    • 2001-05-30
    • JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
    • 長谷川亨 HASEGAWA, KUO佐藤穗積石川理保幸生 HOSAKA, YUKIO
    • B24D
    • B24B37/245B24B37/24B24D3/28B24D11/001B24D18/0009C09K3/1454
    • 本發明,即使含有多量的研磨粒之情形,研磨粒之分散性特別優越,並發揮安定的研磨性,能提供降低刻痕之效果為目的。構成本發明之研磨物之研磨部,將所定量之丁二烯,苯乙烯,甲基丙烯酸酯,衣康酸,丙烯酸,α-〔甲基苯乙烯二聚物,t-十二(烷)基硫醇投入於高壓釜,以75℃16小時使反應,得到共聚物為分散之乳液,將此乳液調節成pH8.5後,投入一次平均粒徑0.3μm之氧化鈰粉末予以攪拌而得水系分散元件,再者將此水系分散元件於薄膜上薄薄的伸展使乾燥,所得乾燥物被模壓製(mold press)而可得到。又上述研磨部可具有交聯構造,本發明之研磨物,係將半導體晶圓等之表面研磨,可利用適當的研磨襯墊。
    • 本发明,即使含有多量的研磨粒之情形,研磨粒之分散性特别优越,并发挥安定的研磨性,能提供降低刻痕之效果为目的。构成本发明之研磨物之研磨部,将所定量之丁二烯,苯乙烯,甲基丙烯酸酯,衣康酸,丙烯酸,α-〔甲基苯乙烯二聚物,t-十二(烷)基硫醇投入于高压釜,以75℃16小时使反应,得到共聚物为分散之乳液,将此乳液调节成pH8.5后,投入一次平均粒径0.3μm之氧化铈粉末予以搅拌而得水系分散组件,再者将此水系分散组件于薄膜上薄薄的伸展使干燥,所得干燥物被模压制(mold press)而可得到。又上述研磨部可具有交联构造,本发明之研磨物,系将半导体晶圆等之表面研磨,可利用适当的研磨衬垫。