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1. 发明专利

TWI632431B 光阻下層膜形成用組成物，圖型形成方法及光阻下層膜有权
简体标题：光阻下层膜形成用组成物，图型形成方法及光阻下层膜
公开(公告)号：TWI632431B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW101106259
申请日：2012-02-24
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：峯岸信也 , MINEGISHI, SHIN-YA , 香村和彥 , KOUMURA, KAZUHIKO , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHIN-YA , 中野孝德 , NAKANO, TAKANORI
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027

2. 发明专利

TWI539248B 圖型之形成方法，光阻下層膜及形成光阻下層膜用組成物有权
简体标题：图型之形成方法，光阻下层膜及形成光阻下层膜用组成物
公开(公告)号：TWI539248B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW100135004
申请日：2011-09-28
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：峰岸信也 , MINEGISHI, SHINYA , 村上曉 , MURAKAMI, SATORU , 松村裕史 , MATSUMURA, YUSHI , 香村和彥 , KOMURA, KAZUHIKO , 瀧本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHINYA , 保田慶友 , YASUDA, KYOYU
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/039 , G03F7/09
CPC分类号： G03F7/004 , C08G8/08 , C08G8/22 , C08G8/28 , C09D161/06 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40

3. 发明专利

TWI531863B 光阻底層膜形成用組成物及圖型形成方法有权
简体标题：光阻底层膜形成用组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TWI531863B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW101109492
申请日：2012-03-20
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：峯岸信也 , MINEGISHI, SHIN-YA , 松村裕史 , MATSUMURA, YUUSHI , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHIN-YA , 香村和彥 , KOUMURA, KAZUHIKO , 中野孝德 , NAKANO, TAKANORI , 村上曉 , MURAKAMI, SATORU , 保田慶友 , YASUDA, KYOUYUU , 杉浦誠 , SUGIURA, MAKOTO
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G8/08 , C08L61/06 , G03F7/094

4. 发明专利

TW201321901A 阻劑下層膜形成用組成物及其製造方法、圖型形成方法與阻劑下層膜审中-公开
简体标题：阻剂下层膜形成用组成物及其制造方法、图型形成方法与阻剂下层膜
公开(公告)号：TW201321901A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101137450
申请日：2012-10-11
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：香村和彥 , KOUMURA, KAZUHIKO , 峯岸信也 , MINEGISHI, SHINYA , 森隆 , MORI, TAKASHI , 保田慶友 , YASUDA, KYOYU , 滝本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHINYA , 木村徹 , KIMURA, TORU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F232/08 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/094 , H01L21/02164 , H01L21/0271 , H01L21/033 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要：本發明為含有[A1]Tg為0℃以上180℃以下之聚合物之阻劑下層膜形成用組成物。較好進而含有[B]酸產生體。較好使用於包含於阻劑下層膜表面上形成矽系氧化膜，且乾蝕刻該矽系氧化膜之步驟之多層阻劑製程中。較好進而含有[A2]Tg超過180℃之聚合物。[A2]聚合物之含量相對於[A1]聚合物與[A2]聚合物之合計100質量份，較好為10質量份以上40質量份以下。
简体摘要：本发明为含有[A1]Tg为0℃以上180℃以下之聚合物之阻剂下层膜形成用组成物。较好进而含有[B]酸产生体。较好使用于包含于阻剂下层膜表面上形成硅系氧化膜，且干蚀刻该硅系氧化膜之步骤之多层阻剂制程中。较好进而含有[A2]Tg超过180℃之聚合物。[A2]聚合物之含量相对于[A1]聚合物与[A2]聚合物之合计100质量份，较好为10质量份以上40质量份以下。

5. 发明专利

TWI578108B 阻劑下層膜形成用組成物及其製造方法、圖型形成方法與阻劑下層膜有权
简体标题：阻剂下层膜形成用组成物及其制造方法、图型形成方法与阻剂下层膜
公开(公告)号：TWI578108B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW101137450
申请日：2012-10-11
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：香村和彥 , KOUMURA, KAZUHIKO , 峯岸信也 , MINEGISHI, SHINYA , 森隆 , MORI, TAKASHI , 保田慶友 , YASUDA, KYOYU , 滝本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHINYA , 木村徹 , KIMURA, TORU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F232/08 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/094 , H01L21/02164 , H01L21/0271 , H01L21/033 , H01L21/31116 , H01L21/31138

6. 发明专利

TW201413393A 光阻下層膜形成用樹脂組成物、光阻下層膜及其形成方法、圖型形成方法、交聯劑及化合物审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成用树脂组成物、光阻下层膜及其形成方法、图型形成方法、交联剂及化合物
公开(公告)号：TW201413393A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102125731
申请日：2013-07-18
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：元成正之 , MOTONARI, MASAYUKI , 滝本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO , 溝口勝久 , MIZOGUCHI, KATSUHISA , 松村裕史 , MATSUMURA, YUUSHI , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHIN-YA , 香村和彥 , KOUMURA, KAZUHIKO , 村上暁 , MURAKAMI, SATORU
IPC分类号： G03F7/11 , C08K5/095 , C08K5/205 , H01L21/027
CPC分类号： C07C69/76 , C07C69/80 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
摘要：本發明係含有含芳香環之樹脂及具有以下述式(i)表示之部分結構的交聯劑的光阻下層膜形成用樹脂組成物。下述式(i)中，X係羰基或磺醯基。Q係1價雜芳香族基或-OR1。R1係碳數1~30之1價有機基。Ar為芳香族烴基或雜芳香族基。n為1~8之整數。n為2以上時，複數之X及Q各自可相同或相異。
简体摘要：本发明系含有含芳香环之树脂及具有以下述式(i)表示之部分结构的交联剂的光阻下层膜形成用树脂组成物。下述式(i)中，X系羰基或磺酰基。Q系1价杂芳香族基或-OR1。R1系碳数1~30之1价有机基。Ar为芳香族烃基或杂芳香族基。n为1~8之整数。n为2以上时，复数之X及Q各自可相同或相异。

7. 发明专利

TW201308017A 光阻底層膜組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：光阻底层膜组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW201308017A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101109492
申请日：2012-03-20
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：峯岸信也 , MINEGISHI, SHIN-YA , 松村裕史 , MATSUMURA, YUUSHI , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHIN-YA , 香村和彥 , KOUMURA, KAZUHIKO , 中野孝德 , NAKANO, TAKANORI , 村上曉 , MURAKAMI, SATORU , 保田慶友 , YASUDA, KYOUYUU , 杉浦誠 , SUGIURA, MAKOTO
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G8/08 , C08L61/06 , G03F7/094
摘要：本發明之目的在於提供可形成具有優異的耐蝕刻性之光阻底層膜，對於具有階差的基板之埋入性能優異，而且光阻底層膜形成時出氣量少之光阻底層膜形成用組成物及圖型形成方法。本發明的手段為一種光阻底層膜形成用組成物，其含有(A)具有下述式(1)所示之構造單位，且聚苯乙烯換算重量平均分子量為3,000以上10,000以下之聚合物，及(B)溶劑。下述式(1)中，R3~R8各自獨立地為下述式(2)所示之基、氫原子、羥基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~10的烷氧羰基、碳數6~14的芳基或縮水甘油醚基。惟，R3~R8中之至少1個為下述式(2)所示之基。
简体摘要：本发明之目的在于提供可形成具有优异的耐蚀刻性之光阻底层膜，对于具有阶差的基板之埋入性能优异，而且光阻底层膜形成时出气量少之光阻底层膜形成用组成物及图型形成方法。本发明的手段为一种光阻底层膜形成用组成物，其含有(A)具有下述式(1)所示之构造单位，且聚苯乙烯换算重量平均分子量为3,000以上10,000以下之聚合物，及(B)溶剂。下述式(1)中，R3~R8各自独立地为下述式(2)所示之基、氢原子、羟基、碳数1~6的烷基、碳数1~6的烷氧基、碳数2~10的烷氧羰基、碳数6~14的芳基或缩水甘油醚基。惟，R3~R8中之至少1个为下述式(2)所示之基。

8. 发明专利

TW201239537A 光阻下層膜形成用組成物，圖型形成方法及光阻下層膜审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成用组成物，图型形成方法及光阻下层膜
公开(公告)号：TW201239537A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW101106259
申请日：2012-02-24
申请人： JSR股份有限公司
发明人：峯岸信也 , 香村和彥 , 中藤慎也 , 中野孝德
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/09 , C08F220/18 , C08L61/06 , C08L61/12 , G03F7/094 , G03F7/34 , H01L21/0271 , H01L21/31144
摘要：本發明係關於一種光阻下層膜形成用組成物,其係使用於包含在光阻下層膜表面上形成矽系氧化膜且濕式蝕刻該矽系氧化膜之步驟的多層光阻製程中之光阻下層膜形成用組成物,其特徵為含有[A]玻璃轉移溫度(Tg)為0℃以上180℃以下之聚合物。[A]聚合物係以包含以下述式(1)表示之構造單位(I)較佳。下述式(1)中,R1為氫原子、氟原子或甲基。E為氧原子、-CO-O-*或-CO-NH-*。*表示與R2之鍵結部位。R2為一價烴基,
简体摘要：本发明系关于一种光阻下层膜形成用组成物,其系使用于包含在光阻下层膜表面上形成硅系氧化膜且湿式蚀刻该硅系氧化膜之步骤的多层光阻制程中之光阻下层膜形成用组成物,其特征为含有[A]玻璃转移温度(Tg)为0℃以上180℃以下之聚合物。[A]聚合物系以包含以下述式(1)表示之构造单位(I)较佳。下述式(1)中,R1为氢原子、氟原子或甲基。E为氧原子、-CO-O-*或-CO-NH-*。*表示与R2之键结部位。R2为一价烃基,

9. 发明专利

TW201224681A 圖型之形成方法，光阻下層膜及形成光阻下層膜用組成物审中-公开
简体标题：图型之形成方法，光阻下层膜及形成光阻下层膜用组成物
公开(公告)号：TW201224681A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100135004
申请日：2011-09-28
申请人： JSR股份有限公司
发明人：峰岸信也 , 村上曉 , 松村裕史 , 香村和彥 , 瀧本嘉夫 , 中藤慎也 , 保田慶友
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/004 , C08G8/08 , C08G8/22 , C08G8/28 , C09D161/06 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40
摘要：本發明係提供一種圖型形成方法,該方法依序具有下述步驟:(1)藉由塗佈含有具有酚性羥基之樹脂之光阻下層膜形成用組成物,於被加工基板之上面側形成光阻下層膜之光阻下層膜形成步驟,(2)於上述光阻下層膜之上面側形成光阻圖型之光阻圖型形成步驟,(3)以上述光阻圖型作為遮罩,至少乾蝕刻上述光阻下層膜及被加工基板,且於被加工基板上形成圖型之圖型形成步驟,及(4)以鹼性溶液去除上述被加工基板上之光阻下層膜之光阻下層膜去除步驟。
简体摘要：本发明系提供一种图型形成方法,该方法依序具有下述步骤:(1)借由涂布含有具有酚性羟基之树脂之光阻下层膜形成用组成物,于被加工基板之上面侧形成光阻下层膜之光阻下层膜形成步骤,(2)于上述光阻下层膜之上面侧形成光阻图型之光阻图型形成步骤,(3)以上述光阻图型作为遮罩,至少干蚀刻上述光阻下层膜及被加工基板,且于被加工基板上形成图型之图型形成步骤,及(4)以碱性溶液去除上述被加工基板上之光阻下层膜之光阻下层膜去除步骤。

10. 发明专利

TW201202856A 抗蝕下層膜形成用組成物审中-公开
简体标题：抗蚀下层膜形成用组成物
公开(公告)号：TW201202856A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100111338
申请日：2011-03-31
申请人： JSR股份有限公司
发明人：中藤慎也 , 峰岸信也 , 香村和彥 , 中野孝德
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/0955
摘要：本發明提供一種可形成在蝕刻耐性等方面表現優異之抗蝕下層膜之抗蝕下層膜形成用組成物。本發明提供一種抗蝕下層膜形成用組成物，其具有由下述以通式(1)及下述以通式(2)表示之光聚合性化合物所組成之群組選出之至少一種以及溶劑，
(通式(1)及通式(2)中，R 11 、R 12 、R 13 表示氫原子等，R 3 表示由芳香族化合物所衍生之n1價基，R 4 表示氫原子等，R 5 表示由芳香族化合物所衍生物之1價有機基，R 6 表示n2價有機基，X表示-COO-*等(「*」表示鍵結於R 6 之鍵結鍵)，n1表示2~4之整數，n2表示2~10之整數)。
简体摘要：本发明提供一种可形成在蚀刻耐性等方面表现优异之抗蚀下层膜之抗蚀下层膜形成用组成物。本发明提供一种抗蚀下层膜形成用组成物，其具有由下述以通式(1)及下述以通式(2)表示之光聚合性化合物所组成之群组选出之至少一种以及溶剂， (通式(1)及通式(2)中，R 11 、R 12 、R 13 表示氢原子等，R 3 表示由芳香族化合物所衍生之n1价基，R 4 表示氢原子等，R 5 表示由芳香族化合物所衍生物之1价有机基，R 6 表示n2价有机基，X表示-COO-*等(“*”表示键结于R 6 之键结键)，n1表示2~4之整数，n2表示2~10之整数)。

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