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1. 发明专利

TWI539248B 圖型之形成方法，光阻下層膜及形成光阻下層膜用組成物有权
简体标题：图型之形成方法，光阻下层膜及形成光阻下层膜用组成物
公开(公告)号：TWI539248B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW100135004
申请日：2011-09-28
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：峰岸信也 , MINEGISHI, SHINYA , 村上曉 , MURAKAMI, SATORU , 松村裕史 , MATSUMURA, YUSHI , 香村和彥 , KOMURA, KAZUHIKO , 瀧本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHINYA , 保田慶友 , YASUDA, KYOYU
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/039 , G03F7/09
CPC分类号： G03F7/004 , C08G8/08 , C08G8/22 , C08G8/28 , C09D161/06 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40

2. 发明专利

TWI531865B 多層光阻製程圖型形成方法及多層光阻製程用無機膜形成組成物有权
简体标题：多层光阻制程图型形成方法及多层光阻制程用无机膜形成组成物
公开(公告)号：TWI531865B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW101111405
申请日：2012-03-30
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：高梨和憲 , TAKANASHI, KAZUNORI , 瀧本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO , 森隆 , MORI, TAKASHI , 中原一雄 , NAKAHARA, KAZUO , 元成正之 , MOTONARI, MASAYUKI
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0002 , G03F7/094 , G03F7/26

3. 发明专利

TW201224681A 圖型之形成方法，光阻下層膜及形成光阻下層膜用組成物审中-公开
简体标题：图型之形成方法，光阻下层膜及形成光阻下层膜用组成物
公开(公告)号：TW201224681A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100135004
申请日：2011-09-28
申请人： JSR股份有限公司
发明人：峰岸信也 , 村上曉 , 松村裕史 , 香村和彥 , 瀧本嘉夫 , 中藤慎也 , 保田慶友
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/004 , C08G8/08 , C08G8/22 , C08G8/28 , C09D161/06 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40
摘要：本發明係提供一種圖型形成方法,該方法依序具有下述步驟:(1)藉由塗佈含有具有酚性羥基之樹脂之光阻下層膜形成用組成物,於被加工基板之上面側形成光阻下層膜之光阻下層膜形成步驟,(2)於上述光阻下層膜之上面側形成光阻圖型之光阻圖型形成步驟,(3)以上述光阻圖型作為遮罩,至少乾蝕刻上述光阻下層膜及被加工基板,且於被加工基板上形成圖型之圖型形成步驟,及(4)以鹼性溶液去除上述被加工基板上之光阻下層膜之光阻下層膜去除步驟。
简体摘要：本发明系提供一种图型形成方法,该方法依序具有下述步骤:(1)借由涂布含有具有酚性羟基之树脂之光阻下层膜形成用组成物,于被加工基板之上面侧形成光阻下层膜之光阻下层膜形成步骤,(2)于上述光阻下层膜之上面侧形成光阻图型之光阻图型形成步骤,(3)以上述光阻图型作为遮罩,至少干蚀刻上述光阻下层膜及被加工基板,且于被加工基板上形成图型之图型形成步骤,及(4)以碱性溶液去除上述被加工基板上之光阻下层膜之光阻下层膜去除步骤。

4. 发明专利

TW201245889A 多層光阻製程圖型形成方法及多層光阻製程用無機膜形成組成物审中-公开
简体标题：多层光阻制程图型形成方法及多层光阻制程用无机膜形成组成物
公开(公告)号：TW201245889A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101111405
申请日：2012-03-30
申请人： JSR股份有限公司
发明人：高梨和憲 , 瀧本嘉夫 , 森隆 , 中原一雄 , 元成正之
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0002 , G03F7/094 , G03F7/26
摘要：本發明為一種多層光阻製程圖型形成方法，其係具有(1)於被加工基板之上側形成無機膜之步驟、(2)於上述無機膜上形成保護膜之步驟、(3)於上述保護膜上形成光阻圖型之步驟、及(4)藉由將上述光阻圖型作為遮罩之蝕刻而於被加工基板形成圖型之步驟。以更具有(0)於被加工基板上形成光阻下層膜之步驟，且於上述步驟(1)中將無機膜形成於上述光阻下層膜上為佳。上述步驟(3)係以具有(3a)於上述保護膜上使用光阻組成物形成光阻膜之步驟、(3b)照射經由光罩之放射線而曝光上述光阻膜之步驟、及(3c)藉由顯像上述已曝光之光阻膜而形成光阻圖型之步驟為佳。
简体摘要：本发明为一种多层光阻制程图型形成方法，其系具有(1)于被加工基板之上侧形成无机膜之步骤、(2)于上述无机膜上形成保护膜之步骤、(3)于上述保护膜上形成光阻图型之步骤、及(4)借由将上述光阻图型作为遮罩之蚀刻而于被加工基板形成图型之步骤。以更具有(0)于被加工基板上形成光阻下层膜之步骤，且于上述步骤(1)中将无机膜形成于上述光阻下层膜上为佳。上述步骤(3)系以具有(3a)于上述保护膜上使用光阻组成物形成光阻膜之步骤、(3b)照射经由光罩之放射线而曝光上述光阻膜之步骤、及(3c)借由显像上述已曝光之光阻膜而形成光阻图型之步骤为佳。

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