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1. 发明专利

TWI577701B 光阻組成物有权
简体标题：光阻组成物
公开(公告)号：TWI577701B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW101103517
申请日：2012-02-03
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：木神原宏和 , SAKAKIBARA, HIROKAZU , 宮田擴 , MIYATA, HIROMU , 古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI , 伊藤亘史 , ITOU, KOJI
IPC分类号： C08F220/18 , C08F220/22 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F224/00 , C08F2220/283 , C08F2220/382 , G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325

2. 发明专利

TW201500853A 半導體元件之製造方法及離子注入方法审中-公开
简体标题：半导体组件之制造方法及离子注入方法
公开(公告)号：TW201500853A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103113860
申请日：2014-04-16
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/325 , H01L21/266
摘要：本發明係半導體元件之製造方法，其係具有使用光阻組成物，於無機基板之表面形成阻劑膜之步驟、使上述阻劑膜曝光之步驟、藉由將上述曝光之阻劑膜使用含有有機溶劑之顯影液予以顯影，而形成負型阻劑圖型之步驟、及以上述阻劑圖型作為遮罩，對上述無機基板進行離子注入之步驟，且上述光阻組成物，係含有具有酸解離性基之聚合物、及酸發生體。上述光阻組成物，係進一步含有包含選自由羧基；磺酸基；下述式(i)表示之基(a)；藉由酸之作用可產生羧基、磺酸基或上述基(a)之基；及內酯性羰氧基所構成群組之至少1種，且分子量為1,000以下之化合物，此化合物之含量，相對於上述聚合物100質量份，較佳為0.1質量份以上、30質量份以下。
简体摘要：本发明系半导体组件之制造方法，其系具有使用光阻组成物，于无机基板之表面形成阻剂膜之步骤、使上述阻剂膜曝光之步骤、借由将上述曝光之阻剂膜使用含有有机溶剂之显影液予以显影，而形成负型阻剂图型之步骤、及以上述阻剂图型作为遮罩，对上述无机基板进行离子注入之步骤，且上述光阻组成物，系含有具有酸解离性基之聚合物、及酸发生体。上述光阻组成物，系进一步含有包含选自由羧基；磺酸基；下述式(i)表示之基(a)；借由酸之作用可产生羧基、磺酸基或上述基(a)之基；及内酯性羰氧基所构成群组之至少1种，且分子量为1,000以下之化合物，此化合物之含量，相对于上述聚合物100质量份，较佳为0.1质量份以上、30质量份以下。

3. 发明专利

TW201405249A 負型阻劑圖型形成方法及光阻組成物审中-公开
简体标题：负型阻剂图型形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TW201405249A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102123210
申请日：2013-06-28
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：生井準人 , NAMAI, HAYATO , 古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI
IPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：本發明為負型阻劑圖型形成方法，其具有下述步驟：使用光阻組成物，形成阻劑膜之步驟；使上述阻劑膜曝光之步驟；及使用含有有機溶劑之顯像液，使上述經曝光之阻劑膜顯像之步驟，其中上述光阻組成物含有具有以下述式(1)表示之構造單位(I)與由以下述式(2-1)、式(2-2)及式(2-3)表示之構造單位所組成群組選出之至少一種構造單位(II)之聚合物，以及[B]酸產生體，[A]聚合物中之構造單位(I)及構造單位(II)之含有比例之合計為90莫耳%以上。
简体摘要：本发明为负型阻剂图型形成方法，其具有下述步骤：使用光阻组成物，形成阻剂膜之步骤；使上述阻剂膜曝光之步骤；及使用含有有机溶剂之显像液，使上述经曝光之阻剂膜显像之步骤，其中上述光阻组成物含有具有以下述式(1)表示之构造单位(I)与由以下述式(2-1)、式(2-2)及式(2-3)表示之构造单位所组成群组选出之至少一种构造单位(II)之聚合物，以及[B]酸产生体，[A]聚合物中之构造单位(I)及构造单位(II)之含有比例之合计为90莫耳%以上。

4. 发明专利

TWI547757B 光阻圖型之形成方法及敏輻射線性樹脂組成物有权
简体标题：光阻图型之形成方法及敏辐射线性树脂组成物
公开(公告)号：TWI547757B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW100137128
申请日：2011-10-13
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：榊原宏和 , SAKAKIBARA, HIROKAZU , 古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI , 木村禮子 , KIMURA, REIKO , 堀雅史 , HORI, MASAFUMI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/10 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325

5. 发明专利

TWI474109B 圖型形成方法及顯像液有权
简体标题：图型形成方法及显像液
公开(公告)号：TWI474109B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101104359
申请日：2012-02-10
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI , 木神原宏和 , SAKAKIBARA, HIROKAZU
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , C08K5/16
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/095 , G03F7/325

6. 发明专利

TW201837042A 固體攝像元件用組成物、紅外線遮蔽膜及固體攝像元件审中-公开
简体标题：固体摄像组件用组成物、红外线屏蔽膜及固体摄像组件
公开(公告)号：TW201837042A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107109232
申请日：2018-03-19
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：畠山耕治 , HATAKEYAMA, KOUJI , 古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI
IPC分类号： C07D487/22 , C09B47/04 , G02B5/20 , H01L27/14 , H04N5/225
摘要：本發明提供一種即便於所含的有機色素的種類少的情況下，亦可形成兼具良好的可見光穿透性與紅外線遮蔽性的固體攝像元件用光學濾光片的固體攝像元件用組成物等。本發明是一種含有下述式（1）所表示的酞菁化合物的固體攝像元件用組成物。式（1）中，多個R分別獨立地為烷基或芳基。多個X分別獨立地為氫原子、鹵素原子或烷基。多個X亦可相互鍵結並與該些所鍵結的碳鏈一起形成芳香環。M為兩個氫原子、二價金屬原子或者三價或四價的金屬原子的衍生物。多個n分別獨立地為3～6的整數。
简体摘要：本发明提供一种即便于所含的有机色素的种类少的情况下，亦可形成兼具良好的可见光穿透性与红外线屏蔽性的固体摄像组件用光学滤光片的固体摄像组件用组成物等。本发明是一种含有下述式（1）所表示的酞菁化合物的固体摄像组件用组成物。式（1）中，多个R分别独立地为烷基或芳基。多个X分别独立地为氢原子、卤素原子或烷基。多个X亦可相互键结并与该些所键结的碳链一起形成芳香环。M为两个氢原子、二价金属原子或者三价或四价的金属原子的衍生物。多个n分别独立地为3～6的整数。

7. 发明专利

TWI578097B 光阻圖型形成用感放射線性樹脂組成物有权
简体标题：光阻图型形成用感放射线性树脂组成物
公开(公告)号：TWI578097B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW101102673
申请日：2012-01-20
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：榊原宏和 , SAKAKIBARA, HIROKAZU , 宮田擴 , MIYATA, HIROMU , 伊藤亘史 , ITOU, KOJI , 古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/32 , C08F20/10
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325

8. 发明专利

TWI524139B 光阻圖型之形成方法及敏輻射線性樹脂組成物有权
简体标题：光阻图型之形成方法及敏辐射线性树脂组成物
公开(公告)号：TWI524139B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100137725
申请日：2011-10-18
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：伊藤亘史 , ITOU, KOUJI , 榊原宏和 , SAKAKIBARA, HIROKAZU , 堀雅史 , HORI, MASAFUMI , 古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325

9. 发明专利

TW201546562A 光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW201546562A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104125930
申请日：2011-09-05
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：庵野祐亮 , ANNO, YUUSUKE , 森隆 , MORI, TAKASHI , 榊原宏和 , SAKAKIBARA, HIROKAZU , 古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI , 高梨和憲 , TAKANASHI, KAZUNORI , 田中博允 , TANAKA, HIROMITSU , 峯岸信也 , MINEGISHI, SHIN-YA
IPC分类号： G03F7/11 , C08L83/04 , C08L33/08 , C08L33/16 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/0397 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/325
摘要：本發明係關於一種光阻圖型之形成方法，該方法具有下列步驟：(1)將含有[A]聚矽氧烷之光阻下層膜形成用組成物塗佈於基板上，形成光阻下層膜之步驟，(2)將含有[a1]藉由酸之作用改變極性而減少對有機溶劑之溶解度之聚合物之敏輻射線性樹脂組成物塗佈於上述光阻下層膜上，形成光阻膜之步驟，(3)使上述光阻膜曝光之步驟，及(4)使用含有有機溶劑之顯像液使上述經曝光之光阻膜顯像之步驟。
简体摘要：本发明系关于一种光阻图型之形成方法，该方法具有下列步骤：(1)将含有[A]聚硅氧烷之光阻下层膜形成用组成物涂布于基板上，形成光阻下层膜之步骤，(2)将含有[a1]借由酸之作用改变极性而减少对有机溶剂之溶解度之聚合物之敏辐射线性树脂组成物涂布于上述光阻下层膜上，形成光阻膜之步骤，(3)使上述光阻膜曝光之步骤，及(4)使用含有有机溶剂之显像液使上述经曝光之光阻膜显像之步骤。

10. 发明专利

TWI620023B 半導體元件之製造方法及離子注入方法有权
简体标题：半导体组件之制造方法及离子注入方法
公开(公告)号：TWI620023B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103113860
申请日：2014-04-16
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：古川泰一 , FURUKAWA, TAIICHI
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/325 , H01L21/266

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