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    • 3. 发明专利
    • 圖型形成方法及顯像液
    • 图型形成方法及显像液
    • TW201250380A
    • 2012-12-16
    • TW101104359
    • 2012-02-10
    • JSR股份有限公司
    • 古川泰一木神原宏和
    • G03FH01L
    • G03F7/0397G03F7/095G03F7/325
    • 本發明之目的係提供圖型形成方法,其可抑制光阻膜之圖型形成步驟中之膜減,同時可減低所得圖型之LWR,可形成以曝光寬容度(EL)、焦點深度(DOF)等為指標之微影特性優異的光阻圖型。本發明係一種圖型形成方法,其係包含下述步驟之圖型形成方法:(1)使用光阻組成物在基板上形成光阻膜之步驟,(2)使上述光阻膜曝光之步驟,及(3)以含有有機溶劑之負型顯像液使上述經曝光之光阻膜顯像之步驟,其特徵為上述光阻組成物含有[A]具有含有藉由酸之作用而解離之酸解離性基之構造單位(I)且藉由該酸解離性基之解離而減少對上述顯像液之溶解性之聚合物,及[B]感放射線性酸產生體,且上述顯像液含有含氮化合物。
    • 本发明之目的系提供图型形成方法,其可抑制光阻膜之图型形成步骤中之膜减,同时可减低所得图型之LWR,可形成以曝光宽容度(EL)、焦点深度(DOF)等为指针之微影特性优异的光阻图型。本发明系一种图型形成方法,其系包含下述步骤之图型形成方法:(1)使用光阻组成物在基板上形成光阻膜之步骤,(2)使上述光阻膜曝光之步骤,及(3)以含有有机溶剂之负型显像液使上述经曝光之光阻膜显像之步骤,其特征为上述光阻组成物含有[A]具有含有借由酸之作用而解离之酸解离性基之构造单位(I)且借由该酸解离性基之解离而减少对上述显像液之溶解性之聚合物,及[B]感放射线性酸产生体,且上述显像液含有含氮化合物。