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1. 发明专利

TW476082B 同平面微機電結構熱致動器及相關製造方法失效
简体标题：同平面微机电结构热致动器及相关制造方法
公开(公告)号：TW476082B
公开(公告)日：2002-02-11
申请号：TW089117985
申请日：2000-09-02
申请人： JDS尤尼費斯公司
发明人：維加亞庫馬 R 德戶勒 , 艾德華希爾 , 艾倫寇文
IPC分类号： H01H , F15C
CPC分类号： F16K99/0001 , B81B3/0024 , B81B2201/031 , F03G7/06 , F15C5/00 , F16K99/0007 , F16K99/0036 , F16K99/0042 , F16K2099/0074 , F16K2099/008 , H01H1/0036 , H01H37/32 , H01H2037/008 , Y10S310/06
摘要：本發明係提供一種微機電結構(MEMS)熱致動器裝置，其可在一大致平行於一基板表面之平面中提供線性位移。此外，本發明之微機電結構熱致動器可提供於一自容式加熱機構，係利用低功率消耗及低操作溫度以供熱致動器致動。微機電結構熱致動器包括一微電子基板，具有一第一表面；及至少一錨是件結構，係固定於第一表面。一合成樑係自錨是件延伸，且覆蓋基板之第一表面，合成樑適可用於熱致動，使其沿著一大致延伸平行於微電子基板第一表面之預定路徑，而可控制地偏折。在一實施例中，合成樑包含至少二層，其具有對應不同之熱膨脹係數材料，依此，當熱能量供給至合成樑時，諸層將有不同反應。一導電性路徑可延伸穿過合成樑，以進行熱致動。在本發明之一實施例中，一雙層式合成樑包含一半導體材料之一第一層及一金屬材料之一第二層：半導體材料可在製造期間做選擇性摻雜，以利產生一自容式加熱機構於合成樑內。本發明亦包含一微機電結構熱致動器，其包括二或多合成樑，二或多合成樑可成列狀或聚攏，使得多數合成樑可得利於整體力之相乘性，因此可做較大及較為線性之位移距離。本發明亦實施於一製造本發明微機電結構熱致動器之方法中。
简体摘要：本发明系提供一种微机电结构(MEMS)热致动器设备，其可在一大致平行于一基板表面之平面中提供线性位移。此外，本发明之微机电结构热致动器可提供于一自容式加热机构，系利用低功率消耗及低操作温度以供热致动器致动。微机电结构热致动器包括一微电子基板，具有一第一表面；及至少一锚是件结构，系固定于第一表面。一合成梁系自锚是件延伸，且覆盖基板之第一表面，合成梁适可用于热致动，使其沿着一大致延伸平行于微电子基板第一表面之预定路径，而可控制地偏折。在一实施例中，合成梁包含至少二层，其具有对应不同之热膨胀系数材料，依此，当热能量供给至合成梁时，诸层将有不同反应。一导电性路径可延伸穿过合成梁，以进行热致动。在本发明之一实施例中，一双层式合成梁包含一半导体材料之一第一层及一金属材料之一第二层：半导体材料可在制造期间做选择性掺杂，以利产生一自容式加热机构于合成梁内。本发明亦包含一微机电结构热致动器，其包括二或多合成梁，二或多合成梁可成列状或聚拢，使得多数合成梁可得利于整体力之相乘性，因此可做较大及较为线性之位移距离。本发明亦实施于一制造本发明微机电结构热致动器之方法中。

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