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1. 发明专利

TW201312290A 微影裝置、可程式化之圖案化器件及微影方法审中-公开
简体标题：微影设备、可进程化之图案化器件及微影方法
公开(公告)号：TW201312290A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101128493
申请日：2012-08-07
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：德賈格皮耶特威廉荷曼 , DE JAGER, PIETER WILLEM HERMAN , 白尼凡丁葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 柏利克阿諾詹 , BLEEKER, ARNO JAN , 凡德蕭特海曼克萊斯 , VAN DER SCHOOT, HARMEN KLAAS , 史蒂文生路卡斯亨利克斯喬漢斯 , STEVENS, LUCAS HENRICUS JOHANNES , 費爾莫默朗約翰內斯佩特魯斯馬丁努斯伯納德斯 , VERMEULEN, JOHANNES PETRUS MARTINUS BERNARDUS , 威斯特山達佛芮得瑞克 , WUISTER, SANDER FREDERIK
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B41C1/1091 , C23C14/28 , G03F7/70375 , G03F7/70383
摘要：在一實施例中，揭示一種微影裝置，該微影裝置包括：一調變器，其用以根據一所要圖案來調變複數個光束；及一供體結構，該等經調變光束照射至該供體結構上。該供體結構經組態成使得該等照射之經調變光束造成一供體材料自該供體結構轉移至基板。
简体摘要：在一实施例中，揭示一种微影设备，该微影设备包括：一调制器，其用以根据一所要图案来调制复数个光束；及一供体结构，该等经调制光束照射至该供体结构上。该供体结构经组态成使得该等照射之经调制光束造成一供体材料自该供体结构转移至基板。

2. 发明专利

TW201137527A 提供用於微影之可自我組裝聚合物之順序層的方法 METHOD FOR PROVIDING AN ORDERED LAYER OF SELF-ASSEMBLABLE POLYMER FOR USE IN LITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题：提供用于微影之可自我组装聚合物之顺序层的方法 METHOD FOR PROVIDING AN ORDERED LAYER OF SELF-ASSEMBLABLE POLYMER FOR USE IN LITHOGRAPHY
公开(公告)号：TW201137527A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW100104476
申请日：2011-02-10
申请人： ASML荷蘭公司
发明人：彼得斯愛蜜麗 , 威斯特山達佛芮得瑞克 , 庫爾羅伊洛夫
IPC分类号： G03F , H01L , C09D
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要：本發明揭示一種用於在一基板之一表面處提供一順序聚合物層之方法,該方法包括:將一可自我組裝聚合物層直接沈積至一基板上之一底塗層上以在該可自我組裝聚合物層與該底塗層之間提供一界面;及處理該可自我組裝聚合物層以提供成為具有在該界面處之第一組構域類型及第二組構域類型之一順序聚合物層(諸如一嵌段共聚物)的自我組裝。該底塗層經調適以在該可自我組裝聚合物層成為該順序聚合物層之該自我組裝期間回應於在該界面處該經自我組裝聚合物中之該各別組構域類型之存在而改良在該界面處該底塗層針對每一組構域類型之化學親和性。此情形可導致該順序聚合物層之缺陷位準之縮減及/或持續長度之改良。該方法可有用於形成用於器件微影之抗蝕劑層。
简体摘要：本发明揭示一种用于在一基板之一表面处提供一顺序聚合物层之方法,该方法包括:将一可自我组装聚合物层直接沉积至一基板上之一底涂层上以在该可自我组装聚合物层与该底涂层之间提供一界面;及处理该可自我组装聚合物层以提供成为具有在该界面处之第一组构域类型及第二组构域类型之一顺序聚合物层(诸如一嵌段共聚物)的自我组装。该底涂层经调适以在该可自我组装聚合物层成为该顺序聚合物层之该自我组装期间回应于在该界面处该经自我组装聚合物中之该各别组构域类型之存在而改良在该界面处该底涂层针对每一组构域类型之化学亲和性。此情形可导致该顺序聚合物层之缺陷位准之缩减及/或持续长度之改良。该方法可有用于形成用于器件微影之抗蚀剂层。

7. 发明专利

TWI486705B 使用自組聚合物之微影技術有权
简体标题：使用自组聚合物之微影技术
公开(公告)号：TWI486705B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW100127615
申请日：2011-08-03
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：庫爾羅伊洛夫 , KOOLE, ROELOF , 迪卡蔓喬漢夫德克 , DIJKSMAN, JOHAN FREDERIK , 威斯特山達佛芮得瑞克 , WUISTER, SANDER FREDERIK , 彼得斯愛蜜麗 , PEETERS, EMIEL
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： B44C1/227 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , G03F7/0002 , H01L21/0337

8. 发明专利

TW201320154A 提供用於可自我組合聚合物之圖案化定向模板之方法审中-公开
简体标题：提供用于可自我组合聚合物之图案化定向模板之方法
公开(公告)号：TW201320154A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101136581
申请日：2012-10-03
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：恩古言沙恩川 , NGUYEN, THANH TRUNG , 芬德斯喬澤夫瑪利亞 , FINDERS, JOZEF MARIA , 凱特拉斯威赫木斯賽巴斯汀納馬寇斯馬力亞 , KETELAARS, WILHELMUS SEBASTIANUS MARCUS MARIA , 威斯特山達佛芮得瑞克 , WUISTER, SANDER FREDERIK , 凡德海登愛迪康那力斯安東尼司 , VAN DER HEIJDEN, EDDY CORNELIS ANTONIUS , 梅森席洛倪莫斯尤漢思克力斯帝昂 , MEESSEN, HIERONYMUS JOHANNUS CHRISTIAAN , 庫爾羅伊洛夫 , KOOLE, ROELOF , 彼得斯愛蜜麗 , PEETERS, EMIEL , 凡西取克利斯丁納馬汀納斯 , VAN HEESCH, CHRISTIANUS MARTINUS , 布瑞薩德歐瑞利馬力安德利 , BRIZARD, AURELIE MARIE ANDREE , 布慈亨利馬利喬瑟夫 , BOOTS, HENRI MARIE JOSEPH , 卓吉妮雅塔瑪拉 , DRUZHININA, TAMARA , 笛瑞提潔西卡 , DE RUITER, JESSICA
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/027 , G03F7/16
CPC分类号： C30B1/12 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , Y10T117/10
摘要：一種用以使一自我組合式嵌段聚合物對準之石墨磊晶模板，該自我組合式嵌段聚合物經調適以自我組合成具有不連續第一域之平行列之一2-D陣列，該等平行列平行於一第一軸線而延伸、沿著一正交第二軸線而相互間隔且係藉由一連續第二域而分離。該石墨磊晶模板具有第一實質上平行側壁及第二實質上平行側壁，該第一實質上平行側壁及該第二實質上平行側壁平行於該第一軸線而延伸且界定該第一軸線且沿著該第二軸線而相互間隔以提供一隔室，該隔室用以將該基板上之該自我組合式嵌段共聚物的不連續第一域之至少一列固持於該等側壁之間且固持成平行於該等側壁，且係藉由一連續第二域而與該至少一列分離。該隔室具有經配置以將該等不連續第一域中至少一者定位於該隔室內之一特定位置處之一石墨磊晶凝核特徵。本發明亦揭示用於形成該石墨磊晶模板之方法及該石墨磊晶模板用於器件微影之用途。
简体摘要：一种用以使一自我组合式嵌段聚合物对准之石墨磊晶模板，该自我组合式嵌段聚合物经调适以自我组合成具有不连续第一域之平行列之一2-D数组，该等平行列平行于一第一轴线而延伸、沿着一正交第二轴线而相互间隔且系借由一连续第二域而分离。该石墨磊晶模板具有第一实质上平行侧壁及第二实质上平行侧壁，该第一实质上平行侧壁及该第二实质上平行侧壁平行于该第一轴线而延伸且界定该第一轴线且沿着该第二轴线而相互间隔以提供一隔室，该隔室用以将该基板上之该自我组合式嵌段共聚物的不连续第一域之至少一列固持于该等侧壁之间且固持成平行于该等侧壁，且系借由一连续第二域而与该至少一列分离。该隔室具有经配置以将该等不连续第一域中至少一者定位于该隔室内之一特定位置处之一石墨磊晶凝核特征。本发明亦揭示用于形成该石墨磊晶模板之方法及该石墨磊晶模板用于器件微影之用途。

10. 发明专利

TW201305736A 微影圖案化程序及使用於其中之光阻审中-公开
简体标题：微影图案化进程及使用于其中之光阻
公开(公告)号：TW201305736A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101121798
申请日：2012-06-18
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：威斯特山達佛芮得瑞克 , WUISTER, SANDER FREDERIK , 可瑞森法狄米爾米哈囉維茲 , KRIVTSUN, VLADIMIR MIHAILOVITCH , 亞庫寧安卓米克哈洛維奇 , YAKUNIN, ANDREI MIKHAILOVICH
IPC分类号： G03F7/075 , C08K3/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0388 , C08F30/08 , G03F7/0043 , G03F7/0758 , G03F7/2002
摘要：本發明係關於一種微影程序，其包括將存於光阻材料中之含矽聚合物或包括選自由如下各者組成之群組之至少一元素之化合物使用於EUV微影程序：Ta、W、Re、Os、Ir、Ni、Cu或Zn。用於該程序中之EUV光之波長係小於11奈米，例如，6.5奈米至6.9奈米。本發明進一步係關於新穎含矽聚合物。
简体摘要：本发明系关于一种微影进程，其包括将存于光阻材料中之含硅聚合物或包括选自由如下各者组成之群组之至少一元素之化合物使用于EUV微影进程：Ta、W、Re、Os、Ir、Ni、Cu或Zn。用于该进程中之EUV光之波长系小于11奈米，例如，6.5奈米至6.9奈米。本发明进一步系关于新颖含硅聚合物。

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