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1. 发明专利

TWI424281B 微影裝置及元件製造方法有权
简体标题：微影设备及组件制造方法
公开(公告)号：TWI424281B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW099117465
申请日：2010-05-31
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：哈德曼杜恩 , HARDEMAN, TOON
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G01D5/34715 , G03F7/70775

3. 发明专利

TW201211702A 壓印微影技術 IMPRINT LITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题：压印微影技术 IMPRINT LITHOGRAPHY
公开(公告)号：TW201211702A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100122510
申请日：2011-06-27
申请人： ASML荷蘭公司
发明人：迪施法特凱薩琳努思 , 瑞肯麥可喬賽夫瑪堤斯 , 范史考瑟思特捷羅德 , 裘寧克安德烈伯納德斯 , 凡巴爾司戈瑞格愛德華 , 威斯特山達佛芮得瑞克 , 柯瑞傑史地格曼伊凡溫得拉 , 詹森諾貝特爾維瑟倫索 , 哈德曼杜恩 , 迪法克特喬治亞力禎 , 迪卡蔓喬漢夫德克
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/7035 , B29C43/021 , B29C43/04 , B29C43/14 , B29C2043/142 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/70775 , G03F7/70825 , G03F7/7085 , G03F7/709 , G03F9/7042
摘要：一種壓印微影技術裝置，其具有：一第一框架，該第一框架待安裝於一底板上；一第二框架，該第二框架經由一運動耦接件而安裝於該第一框架上；一對準感測器，該對準感測器安裝於該第二框架上，該對準感測器用以使一壓印微影技術模板配置與一基板之一目標部分對準；及一位置感測器，該位置感測器用以量測該壓印微影技術模板配置及/或一基板載物台相對於該第二框架之一位置。
简体摘要：一种压印微影技术设备，其具有：一第一框架，该第一框架待安装于一底板上；一第二框架，该第二框架经由一运动耦接件而安装于该第一框架上；一对准传感器，该对准传感器安装于该第二框架上，该对准传感器用以使一压印微影技术模板配置与一基板之一目标部分对准；及一位置传感器，该位置传感器用以量测该压印微影技术模板配置及/或一基板载物台相对于该第二框架之一位置。

4. 发明专利

TW201107900A 微影裝置及元件製造方法 LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题：微影设备及组件制造方法 LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW201107900A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099117465
申请日：2010-05-31
申请人： ASML荷蘭公司
发明人：哈德曼杜恩
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G01D5/34715 , G03F7/70775
摘要：本發明提供一種判定一編碼器類型位置量測系統之一柵格板中之一缺陷之方法，該方法包括：提供一編碼器類型位置量測系統以量測一可移動物件相對於另一物件之一位置，該編碼器類型位置量測系統包括一柵格板及一編碼器頭；量測在兩個或兩個以上偵測器中之每一者上反射之光之量；使用在該兩個或兩個以上偵測器上該經反射光之一組合光強度來判定表示在量測部位處該柵格板之反射率的一反射率信號；及基於該柵格板之該反射率信號來判定在該量測部位處一缺陷之存在。
简体摘要：本发明提供一种判定一编码器类型位置量测系统之一栅格板中之一缺陷之方法，该方法包括：提供一编码器类型位置量测系统以量测一可移动对象相对于另一对象之一位置，该编码器类型位置量测系统包括一栅格板及一编码器头；量测在两个或两个以上侦测器中之每一者上反射之光之量；使用在该两个或两个以上侦测器上该经反射光之一组合光强度来判定表示在量测部位处该栅格板之反射率的一反射率信号；及基于该栅格板之该反射率信号来判定在该量测部位处一缺陷之存在。

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