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1. 发明专利

TWI401768B 包含用以降低熱應力之緩衝層之靜電夾頭有权
简体标题：包含用以降低热应力之缓冲层之静电夹头
公开(公告)号：TWI401768B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW098130090
申请日：2009-09-07
申请人：高美科股份有限公司 , KOMICO LTD.
发明人：崔鎮植 , CHOI, JIN-SIK , 崔正德 , CHOI, JEONG-DUCK
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H02N13/00

2. 发明专利

TWI405868B 接地結構、加熱器，以及具有其之化學氣相沈積裝置有权
简体标题：接地结构、加热器，以及具有其之化学气相沉积设备
公开(公告)号：TWI405868B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099141115
申请日：2010-11-26
申请人：高美科股份有限公司 , KOMICO LTD.
发明人：崔正德 , CHOI, JEONG-DUCK , 陸賢美 , YUK, HYUN-MI , 崔鎮植 , CHOI, JIN-SIK
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： H01R4/643 , C23C16/45565 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/509 , H01R13/53

3. 发明专利

TWI437617B 靜電卡盤及其基板加工裝置有权
简体标题：静电卡盘及其基板加工设备
公开(公告)号：TWI437617B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW100117989
申请日：2011-05-23
申请人：高美科股份有限公司 , KOMICO LTD.
发明人：曹尚範 , CHO, SANG-BUM , 崔明鎬 , CHOI, MYONG-HO , 崔鎮植 , CHOI, JIN-SIK
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6833

4. 发明专利

TWI379380B 包含用以降低熱應力之雙重緩衝層之靜電夾頭 ELECTROSTATIC CHUCK CONTAINING DOUBLE BUFFER LAYER FOR REDUCING THERMAL STRESS 有权
简体标题：包含用以降低热应力之双重缓冲层之静电夹头 ELECTROSTATIC CHUCK CONTAINING DOUBLE BUFFER LAYER FOR REDUCING THERMAL STRESS
公开(公告)号：TWI379380B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW098130088
申请日：2009-09-07
申请人：高美科股份有限公司
发明人：崔鎮植 , 崔正德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , H02N13/00
摘要：在一種靜電夾頭及其製造方法中，靜電夾頭包含：一本體，具有一穿孔；一基底平板，具有對應至本體之穿孔之一插入部，以及安置於基底平板之內部並經由插入部局部露出之一電極；一端子單元，具有經由穿孔與插入部而與電極接觸之一端子，以及使本體與端子絕緣之一插入構件；一第一緩衝層，配置於在本體與絕緣構件之間的一第一邊界區域用以吸收熱應力；以及一第二緩衝層，配置於在基底平板與絕緣構件之間的一第二邊界區域用以避免龜裂成長。因此，熱應力係被吸收至第一緩衝層，而龜裂成長係藉由第二緩衝層而得以避免。
简体摘要：在一种静电夹头及其制造方法中，静电夹头包含：一本体，具有一穿孔；一基底平板，具有对应至本体之穿孔之一插入部，以及安置于基底平板之内部并经由插入部局部露出之一电极；一端子单元，具有经由穿孔与插入部而与电极接触之一端子，以及使本体与端子绝缘之一插入构件；一第一缓冲层，配置于在本体与绝缘构件之间的一第一边界区域用以吸收热应力；以及一第二缓冲层，配置于在基底平板与绝缘构件之间的一第二边界区域用以避免龟裂成长。因此，热应力系被吸收至第一缓冲层，而龟裂成长系借由第二缓冲层而得以避免。

5. 发明专利

TW201010493A 陶瓷加熱器及其製造方法與其形成薄膜之裝置 CERAMIC HEATER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND APPARATUS FOR FORMING A THIN LAYER HAVING THE SAME 审中-公开
简体标题：陶瓷加热器及其制造方法与其形成薄膜之设备 CERAMIC HEATER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND APPARATUS FOR FORMING A THIN LAYER HAVING THE SAME
公开(公告)号：TW201010493A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098127758
申请日：2009-08-18
申请人：高美科股份有限公司
发明人：崔正德 , 李盛玟 , 崔鎮植
IPC分类号： H05B , C04B
CPC分类号： H05B3/143 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01C7/043 , H01L21/67103 , Y10T29/49083
摘要：一種陶瓷加熱器、其製造方法及用以形成具有陶瓷加熱器的薄層的裝置。陶瓷加熱器包括一平板、一第一加熱層、一第二加熱層及一連接元件。第一加熱層及第二加熱層互相平行地設於平板內。連接元件包括具有負溫度係數的陶瓷材料並在溫度高於一預設目標溫度時電性連接第一加熱層與第二加熱層。
简体摘要：一种陶瓷加热器、其制造方法及用以形成具有陶瓷加热器的薄层的设备。陶瓷加热器包括一平板、一第一加热层、一第二加热层及一连接组件。第一加热层及第二加热层互相平行地设于平板内。连接组件包括具有负温度系数的陶瓷材料并在温度高于一默认目标温度时电性连接第一加热层与第二加热层。

6. 发明专利

TW201021154A 包含用以降低熱應力之緩衝層之靜電夾頭 ELECTROSTATIC CHUCK CONTAINING BUFFER LAYER FOR REDUCING THERMAL STRESS 审中-公开
简体标题：包含用以降低热应力之缓冲层之静电夹头 ELECTROSTATIC CHUCK CONTAINING BUFFER LAYER FOR REDUCING THERMAL STRESS
公开(公告)号：TW201021154A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098130090
申请日：2009-09-07
申请人：高美科股份有限公司
发明人：崔鎮植 , 崔正德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , H02N13/00
摘要：於供拋光設備用之固定單元以及使用此拋光設備之拋光方法中，提供有上面包含拋光物體之基底平板，而支撐構件與基底平板之後表面接觸並將基底平板與底下部分分離。固定構件將拋光物體固定至基底平板，以使拋光物體與基底平板之前表面呈表面接觸。上面包含一層之母板係以下述方式被固定至基底平板：使母板與基底平板之前表面呈表面接觸，藉以避免由於外部因子所導致之母板之彎翹。此層可能被拋光成均一厚度，且包含拋光層之母板可與基底平板分離。
简体摘要：于供抛光设备用之固定单元以及使用此抛光设备之抛光方法中，提供有上面包含抛光物体之基底平板，而支撑构件与基底平板之后表面接触并将基底平板与底下部分分离。固定构件将抛光物体固定至基底平板，以使抛光物体与基底平板之前表面呈表面接触。上面包含一层之母板系以下述方式被固定至基底平板：使母板与基底平板之前表面呈表面接触，借以避免由于外部因子所导致之母板之弯翘。此层可能被抛光成均一厚度，且包含抛光层之母板可与基底平板分离。

7. 发明专利

TW201218243A 靜電卡盤及其基板加工裝置 ELECTROSTATIC CHUCK AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE INCLUDING THE SAME 审中-公开
简体标题：静电卡盘及其基板加工设备 ELECTROSTATIC CHUCK AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE INCLUDING THE SAME
公开(公告)号：TW201218243A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100117989
申请日：2011-05-23
申请人：高美科股份有限公司
发明人：曹尚範 , 崔明鎬 , 崔鎮植
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833
摘要：在靜電卡盤及其基板加工裝置中,靜電卡盤包括靜電部及加熱部。靜電部用以透過靜電力使基板固定於靜電部之上,而靜電部具有靜電電極以產生靜電力,靜電部具有第一熱傳導係數。加熱部位於靜電部之下用以加熱基板,加熱部具有加熱電極以產生熱能,加熱部具有大於第一熱傳導係數的第二熱傳導係數。基板在加工裝置中透過靜電卡盤均勻地被加熱。
简体摘要：在静电卡盘及其基板加工设备中,静电卡盘包括静电部及加热部。静电部用以透过静电力使基板固定于静电部之上,而静电部具有静电电极以产生静电力,静电部具有第一热传导系数。加热部位于静电部之下用以加热基板,加热部具有加热电极以产生热能,加热部具有大于第一热传导系数的第二热传导系数。基板在加工设备中透过静电卡盘均匀地被加热。

8. 发明专利

TW201127985A 含有化學蒸氣沉積裝置之接地結構及加熱器 GROUND STRUCTURE, AND HEATER AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS INCLUDING THE SAME 审中-公开
简体标题：含有化学蒸气沉积设备之接地结构及加热器 GROUND STRUCTURE, AND HEATER AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS INCLUDING THE SAME
公开(公告)号：TW201127985A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099141115
申请日：2010-11-26
申请人：高美科股份有限公司
发明人：崔正德 , 陸賢美 , 崔鎮植
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01R4/643 , C23C16/45565 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/509 , H01R13/53
摘要：一種可用於電漿增強型化學氣相沉積裝置的接地結構，接地結構具有接地連接件及接地支撐座，接地電流可通過設置於接地支撐座之接收部中的接地連接件，接地支撐座連接至儲電槽。一圓柱型接地鉗支撐接地連接件，圓柱型接地鉗包括有一開口部，開口部係縱向地設置於圓柱型接地鉗之側壁。接地連接件之一外表面接觸於接地鉗之一內表面。一對阻擋部折疊於接地鉗之一外表面，此對擋部彼此間隔一個寬度，此寬度為開口部的寬。一接地線連接至接地鉗以及接地支撐座，藉由接地線可以使接地電流透過接地鉗流至接地支撐座，因而接地電流可以接地至儲電槽。因此，可以預防接地連接件與接地鉗之間電弧的產生。
简体摘要：一种可用于等离子增强型化学气相沉积设备的接地结构，接地结构具有接地连接件及接地支撑座，接地电流可通过设置于接地支撑座之接收部中的接地连接件，接地支撑座连接至储电槽。一圆柱型接地钳支撑接地连接件，圆柱型接地钳包括有一开口部，开口部系纵向地设置于圆柱型接地钳之侧壁。接地连接件之一外表面接触于接地钳之一内表面。一对阻挡部折叠于接地钳之一外表面，此对挡部彼此间隔一个宽度，此宽度为开口部的宽。一接地线连接至接地钳以及接地支撑座，借由接地线可以使接地电流透过接地钳流至接地支撑座，因而接地电流可以接地至储电槽。因此，可以预防接地连接件与接地钳之间电弧的产生。

9. 发明专利

TW201021153A 包含用以降低熱應力之雙重緩衝層之靜電夾頭 ELECTROSTATIC CHUCK CONTAINING DOUBLE BUFFER LAYER FOR REDUCING THERMAL STRESS 审中-公开
简体标题：包含用以降低热应力之双重缓冲层之静电夹头 ELECTROSTATIC CHUCK CONTAINING DOUBLE BUFFER LAYER FOR REDUCING THERMAL STRESS
公开(公告)号：TW201021153A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098130088
申请日：2009-09-07
申请人：高美科股份有限公司
发明人：崔鎮植 , 崔正德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , H02N13/00
摘要：在一種靜電夾頭及其製造方法中,靜電夾頭包含:一本體,具有一穿孔;一基底平板,具有對應至本體之穿孔之一插入部,以及安置於基底平板之內部並經由插入部局部露出之一電極;一端子單元,具有經由穿孔與插入部而與電極接觸之一端子,以及使本體與端子絕緣之一插入構件;一第一緩衝層,配置於在本體與絕緣構件之間的一第一邊界區域用以吸收熱應力;以及一第二緩衝層,配置於在基底平板與絕緣構件之間的一第二邊界區域用以避免龜裂成長。因此,熱應力係被吸收至第一緩衝層,而龜裂成長係藉由第二緩衝層而得以避免。
简体摘要：在一种静电夹头及其制造方法中,静电夹头包含:一本体,具有一穿孔;一基底平板,具有对应至本体之穿孔之一插入部,以及安置于基底平板之内部并经由插入部局部露出之一电极;一端子单元,具有经由穿孔与插入部而与电极接触之一端子,以及使本体与端子绝缘之一插入构件;一第一缓冲层,配置于在本体与绝缘构件之间的一第一边界区域用以吸收热应力;以及一第二缓冲层,配置于在基底平板与绝缘构件之间的一第二边界区域用以避免龟裂成长。因此,热应力系被吸收至第一缓冲层,而龟裂成长系借由第二缓冲层而得以避免。

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