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1. 发明专利

TW200945639A 使用奈米棒之陣列的變光元件以及其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE EMPLOYING NANOWIRE PHOSPHORS 审中-公开
简体标题：使用奈米棒之数组的变光组件以及其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE EMPLOYING NANOWIRE PHOSPHORS
公开(公告)号：TW200945639A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW098116397
申请日：2006-06-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：金華睦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/54 , C09K11/565 , C09K11/574 , C09K11/584 , C09K11/595 , C09K11/623 , C09K11/642 , C09K11/7734 , C09K11/883 , Y10S977/762
摘要：本發明揭露一種使用奈米線磷光材料的發光元件。此發光元件包含：發光二極體，其用於發出具有第一波長之光，第一波長具有在紫外光、藍光或綠光波長範圍內之主峰；以及奈米線磷光材料，其用於將自發光二極體發出的具有第一波長之光的至少一部分轉換為具有比第一波長更長的第二波長的光。由於使用奈米線磷光材料，因此有可能降低發光元件之製造成本，以及減少歸因於非輻射重合之光損耗。
简体摘要：本发明揭露一种使用奈米线磷光材料的发光组件。此发光组件包含：发光二极管，其用于发出具有第一波长之光，第一波长具有在紫外光、蓝光或绿光波长范围内之主峰；以及奈米线磷光材料，其用于将自发光二极管发出的具有第一波长之光的至少一部分转换为具有比第一波长更长的第二波长的光。由于使用奈米线磷光材料，因此有可能降低发光组件之制造成本，以及减少归因于非辐射重合之光损耗。

2. 发明专利

TWI416761B 使用雷射剝離技術的發光二極體製造方法有权
简体标题：使用激光剥离技术的发光二极管制造方法
公开(公告)号：TWI416761B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099101514
申请日：2010-01-20
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：金彰淵 , KIM, CHANG-YOUN , 李俊熙 , LEE, JOON-HEE , 柳宗均 , YOU, JONG-KYUN , 金華睦 , KIM, HWA-MOK
IPC分类号： H01L33/00 , B23K26/38
CPC分类号： H01L33/0079

3. 发明专利

TWI418058B 使用奈米棒之陣列的變光元件以及其製造方法有权
简体标题：使用奈米棒之数组的变光组件以及其制造方法
公开(公告)号：TWI418058B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW098116397
申请日：2006-06-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：金華睦 , KIM, HWA MOK
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/54 , C09K11/565 , C09K11/574 , C09K11/584 , C09K11/595 , C09K11/623 , C09K11/642 , C09K11/7734 , C09K11/883 , Y10S977/762

4. 发明专利

TW201108454A 使用雷射剝離製造發光二極體的方法以及具有加熱器的雷射剝離裝置 METHOD OF FABRICATING LIGHT EMITTING DIODE USING LASER LIFT-OFF TECHNIQUE AND LASER LIFT-OFF APPARATUS HAVING HEATER 审中-公开
简体标题：使用激光剥离制造发光二极管的方法以及具有加热器的激光剥离设备 METHOD OF FABRICATING LIGHT EMITTING DIODE USING LASER LIFT-OFF TECHNIQUE AND LASER LIFT-OFF APPARATUS HAVING HEATER
公开(公告)号：TW201108454A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099101514
申请日：2010-01-20
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：金彰淵 , 李俊熙 , 柳宗均 , 金華睦
IPC分类号： H01L , B23K
CPC分类号： H01L33/0079
摘要：揭露一種使用雷射剝離技術的發光二極體製造方法。此方法包括:於第一基板上成長多個磊晶層,其包括一第一導電類型化合物半導體、一主動層與一第二導電類型化合物半導體;於高於室溫的第一基板之第一溫度處,接合具有與第一基板之熱膨脹係數不同之熱膨脹係數的第二基板至多個磊晶層;以及於高於室溫但未大於第一溫度的第一基板之第二溫度處,經由照射雷射光束通過第一基板而從多個磊晶層來分離第一基板。因此,在雷射剝離處理期間,雷射光束的聚焦可簡單地完成,且可防止多個磊晶層經歷破裂或斷裂。也揭露一種包括加熱氣的雷射剝離裝置。
简体摘要：揭露一种使用激光剥离技术的发光二极管制造方法。此方法包括:于第一基板上成长多个磊晶层,其包括一第一导电类型化合物半导体、一主动层与一第二导电类型化合物半导体;于高于室温的第一基板之第一温度处,接合具有与第一基板之热膨胀系数不同之热膨胀系数的第二基板至多个磊晶层;以及于高于室温但未大于第一温度的第一基板之第二温度处,经由照射激光光束通过第一基板而从多个磊晶层来分离第一基板。因此,在激光剥离处理期间,激光光束的聚焦可简单地完成,且可防止多个磊晶层经历破裂或断裂。也揭露一种包括加热气的激光剥离设备。

5. 发明专利

TWI396300B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI396300B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW097123368
申请日：2008-06-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：金華睦 , KIM, HWA-MOK , 吳德煥 , OH, DUCK-HWAN , 金大原 , KIM, DAE-WON , 葛大成 , KAL, DAE-SUNG
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/06

6. 发明专利

TWI329369B 使用奈米棒之陣列的發光二極體以及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE EMPLOYING AN ARRAY OF NANORODS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：使用奈米棒之数组的发光二极管以及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE EMPLOYING AN ARRAY OF NANORODS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI329369B
公开(公告)日：2010-08-21
申请号：TW095122699
申请日：2006-06-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：金華睦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/38
摘要：一種使用奈米棒之陣列的發光二極體以及其製造方法。發光二極體包含半導體奈米棒之陣列，其定位於基板上。上部電極層沈積於奈米棒之陣列上，使得空閒空間保留於鄰近奈米棒之間。由於未以絕緣材料填充鄰近奈米棒之間的空間，因此可改良發光二極體之光提取效率，並可簡化製造發光二極體之方法。
简体摘要：一种使用奈米棒之数组的发光二极管以及其制造方法。发光二极管包含半导体奈米棒之数组，其定位于基板上。上部电极层沉积于奈米棒之数组上，使得空闲空间保留于邻近奈米棒之间。由于未以绝缘材料填充邻近奈米棒之间的空间，因此可改良发光二极管之光提取效率，并可简化制造发光二极管之方法。

7. 发明专利

TWI319916B 使用奈米棒之陣列的變光元件以及其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE EMPLOYING NANOWIRE PHOSPHORS 有权
简体标题：使用奈米棒之数组的变光组件以及其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE EMPLOYING NANOWIRE PHOSPHORS
公开(公告)号：TWI319916B
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：TW095122702
申请日：2006-06-23
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：金華睦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/54 , C09K11/565 , C09K11/574 , C09K11/584 , C09K11/595 , C09K11/623 , C09K11/642 , C09K11/7734 , C09K11/883 , Y10S977/762
摘要：本發明揭露一種使用奈米線磷光材料的發光元件。此發光元件包含：發光二極體，其用於發出具有第一波長之光，第一波長具有在紫外光、藍光或綠光波長範圍內之主峰；以及奈米線磷光材料，其用於將自發光二極體發出的具有第一波長之光的至少一部分轉換為具有比第一波長更長的第二波長的光。由於使用奈米線磷光材料，因此有可能降低發光元件之製造成本，以及減少歸因於非輻射重合之光損耗。 Disclosed is a light emitting device employing nanowire phosphors. The light emitting device comprises a light emitting diode for emitting light having a first wavelength with a main peak in an ultraviolet, blue or green wavelength range;and nanowire phosphors for converting at least a portion of light having the first wavelength emitted from the light emitting diode into light with a second wavelength longer than the first wavelength. Accordingly, since the nanowire phosphors are employed, it is possible to reduce manufacturing costs of the light emitting device and to reduce light loss due to non－radiative recombination. 【創作特點】本發明之目標為提供一種使用可易於製備而具有高純度之磷光材料的發光元件。
本發明之另一目標為提供一種使用能夠減少歸因於非輻射重合之光損耗之磷光材料的發光元件。
為了達成本發明之此等目標，根據本發明之實施例的發光元件包含：發光二極體，其用於發出具有第一波長之光，第一波長具有在紫外光、藍光或綠光波長範圍內之主峰；以及奈米線磷光材料，其用於將自發光二極體發出的具有第一波長之光的至少一部分轉換為具有比第一波長更長的第二波長的光。
與習知粉末狀磷光材料相比，奈米線磷光材料可減少陷阱之數量，使歸因於非輻射重合之光損耗減少。
此處，術語“奈米線”意即具有相對長於其直徑之長度且具有小於1 μm之奈米級直徑的結構。
奈米線磷光材料可為由以下物質製成的奈米線：ZnO，摻雜Ag的ZnO，摻雜Al、Ga、In及/或Li的ZnO，ZnO：Cu,Ga，ZnS：Cu,Ga，ZnS(1－x) Tex(0
简体摘要：本发明揭露一种使用奈米线磷光材料的发光组件。此发光组件包含：发光二极管，其用于发出具有第一波长之光，第一波长具有在紫外光、蓝光或绿光波长范围内之主峰；以及奈米线磷光材料，其用于将自发光二极管发出的具有第一波长之光的至少一部分转换为具有比第一波长更长的第二波长的光。由于使用奈米线磷光材料，因此有可能降低发光组件之制造成本，以及减少归因于非辐射重合之光损耗。 Disclosed is a light emitting device employing nanowire phosphors. The light emitting device comprises a light emitting diode for emitting light having a first wavelength with a main peak in an ultraviolet, blue or green wavelength range;and nanowire phosphors for converting at least a portion of light having the first wavelength emitted from the light emitting diode into light with a second wavelength longer than the first wavelength. Accordingly, since the nanowire phosphors are employed, it is possible to reduce manufacturing costs of the light emitting device and to reduce light loss due to non－radiative recombination. 【创作特点】本发明之目标为提供一种使用可易于制备而具有高纯度之磷光材料的发光组件。本发明之另一目标为提供一种使用能够减少归因于非辐射重合之光损耗之磷光材料的发光组件。为了达成本发明之此等目标，根据本发明之实施例的发光组件包含：发光二极管，其用于发出具有第一波长之光，第一波长具有在紫外光、蓝光或绿光波长范围内之主峰；以及奈米线磷光材料，其用于将自发光二极管发出的具有第一波长之光的至少一部分转换为具有比第一波长更长的第二波长的光。与习知粉末状磷光材料相比，奈米线磷光材料可减少猫腻之数量，使归因于非辐射重合之光损耗减少。此处，术语“奈米线”意即具有相对长于其直径之长度且具有小于1 μm之奈米级直径的结构。奈米线磷光材料可为由以下物质制成的奈米线：ZnO，掺杂Ag的ZnO，掺杂Al、Ga、In及/或Li的ZnO，ZnO：Cu,Ga，ZnS：Cu,Ga，ZnS(1－x) Tex(0<x<1)，以ZnS包覆的CdS：Mn，ZnSe，Zn2 SiO4：Mn，(Ba,Sr,Ca)2 SiO4：Eu，或由通式Alx Iny Ga(1－x－y) N(0x<1,0<y<1,0<x＋y1)表示的氮化物。在适当选择奈米线磷光材料之组成比率的情况下，具有第一波长之光可被转换为具有在可见光范围内之第二波长的光。同时，Alx Iny Ga(1－x－y) N奈米线磷光材料可具有在纵向方向中变化的组成比率，使得具有第二波长之光具有至少两个主峰。因此，除了具有第一波长之光外，可使用一种奈米线磷光材料来实施具有两种或两种以上颜色之多色光。同时，可使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、金属有机氢化物气相磊晶(MOHVPE)或分子束磊晶(MBE)在基板上形成奈米线磷光材料。对基板不存在特定限制，且基板可(例如)为硅(Si)基板。其后，使奈米线磷光材料与基板分离。因此，可易于制造奈米线磷光材料，从而使制造成本降低。诸如环氧树脂(epoxy)或聚硅氧(silicone)之树脂可覆盖发光二极管。奈米线磷光材料可分散于树脂中。同时，奈米线磷光材料包含芯奈米线(core nanowire)以及覆盖芯奈米线的奈米壳层(nanoshell)。奈米壳层防止在芯奈米线之表面上产生非辐射重合。为此，奈米壳层较佳由具有比芯奈米线之带隙更大的带隙的材料制成。由于使用根据本发明之奈米线磷光材料，因此简化了制造过程从而降低制造成本，且减少了归因于非辐射重合之光损耗从而改良发光组件之效率。

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