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2. 发明专利

TWI320955B 製作外露焊墊球形柵陣列封裝之方法 METHOD OF MAKING EXPOSED PAD BALL GRID ARRAY PACKAGE 有权
简体标题：制作外露焊垫球形栅数组封装之方法 METHOD OF MAKING EXPOSED PAD BALL GRID ARRAY PACKAGE
公开(公告)号：TWI320955B
公开(公告)日：2010-02-21
申请号：TW095143471
申请日：2006-11-24
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：葉興強
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01076 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明揭示一種製作一外露銲墊球形柵陣列封裝(11)之方法，其包含將一導電薄片(16)施加至一膠帶(18)。衝壓導電薄片(16)以形成一晶粒銲墊(24)，且使該薄片之剩餘部分(26)與膠帶(18)分離，以便僅將晶粒銲墊(24)保持於膠帶(18)上。在接近晶粒銲墊(24)處將一基板(28)施加至膠帶(18)。將一晶粒(30)附裝至晶粒銲墊(24)且電耦接至基板(28)。在膠帶(18)上方的晶粒(30)、晶粒銲墊(24)及基板(28)之至少一部分周圍形成一囊封劑(34)。自晶粒銲墊(24)、基板(28)及囊封劑(34)移除膠帶(18)。將導電球(36)附裝至基板(28)。【創作特點】以下說明中所用之特定術語僅出於方便而非進行限制之目的。措辭「右」、「左」、「下」、及「上」指定所參考圖式中之方向。措辭「向內」及「向外」分別指示朝向及遠離所闡述物件之幾何中心及其指定部分之方向。該術語包含以上具體提及之措辭、其派生詞及類似含義之措辭。另外，如申請專利範圍中及本說明書之對應部分中所用，措辭「一(a)」意指「至少一個」。
簡單而言，本發明係一種製作一外露銲墊BGA封裝之方法，其包含將一導電薄片施加至一膠帶。衝壓該導電薄片之一部分並使其與該薄片之剩餘部分分離。該薄片之衝壓部分界定一晶粒銲墊且將該導電薄片之剩餘部分自該膠帶移除以便僅將該晶粒銲墊保留於該膠帶上。將一基板在靠近該晶粒銲墊處施加至膠帶。將一半導體晶粒附裝至該晶粒銲墊且電耦接至該基板。在該膠帶上方的晶粒、晶粒銲墊及該基板之至少一部分周圍形成一囊封劑。自該晶粒銲墊、基板及囊封劑移除膠帶，且將導電球附裝至基板。
简体摘要：本发明揭示一种制作一外露焊垫球形栅数组封装(11)之方法，其包含将一导电薄片(16)施加至一胶带(18)。冲压导电薄片(16)以形成一晶粒焊垫(24)，且使该薄片之剩余部分(26)与胶带(18)分离，以便仅将晶粒焊垫(24)保持于胶带(18)上。在接近晶粒焊垫(24)处将一基板(28)施加至胶带(18)。将一晶粒(30)附装至晶粒焊垫(24)且电耦接至基板(28)。在胶带(18)上方的晶粒(30)、晶粒焊垫(24)及基板(28)之至少一部分周围形成一囊封剂(34)。自晶粒焊垫(24)、基板(28)及囊封剂(34)移除胶带(18)。将导电球(36)附装至基板(28)。【创作特点】以下说明中所用之特定术语仅出于方便而非进行限制之目的。措辞“右”、“左”、“下”、及“上”指定所参考图式中之方向。措辞“向内”及“向外”分别指示朝向及远离所阐述对象之几何中心及其指定部分之方向。该术语包含以上具体提及之措辞、其派生词及类似含义之措辞。另外，如申请专利范围中及本说明书之对应部分中所用，措辞“一(a)”意指“至少一个”。简单而言，本发明系一种制作一外露焊垫BGA封装之方法，其包含将一导电薄片施加至一胶带。冲压该导电薄片之一部分并使其与该薄片之剩余部分分离。该薄片之冲压部分界定一晶粒焊垫且将该导电薄片之剩余部分自该胶带移除以便仅将该晶粒焊垫保留于该胶带上。将一基板在靠近该晶粒焊垫处施加至胶带。将一半导体晶粒附装至该晶粒焊垫且电耦接至该基板。在该胶带上方的晶粒、晶粒焊垫及该基板之至少一部分周围形成一囊封剂。自该晶粒焊垫、基板及囊封剂移除胶带，且将导电球附装至基板。

3. 发明专利

TWI361453B 具改進之龜裂防護的半導體晶圓 SEMICONDUCTOR WAFER WITH IMPROVED CRACK PROTECTION 有权
简体标题：具改进之龟裂防护的半导体晶圆 SEMICONDUCTOR WAFER WITH IMPROVED CRACK PROTECTION
公开(公告)号：TWI361453B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW096148634
申请日：2007-12-19
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：葉興強 , 盧威耀 , 陳蘭珠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3043 , H01L21/02118 , H01L21/312 , H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種用於製造供切片用之半導體晶圓的方法，其係包含：提供一半導體晶圓，其係包含一基板以及多個在該基板上形成數個晶粒區之一構成的上層。該構成係經配置成相鄰的晶粒區都被一條用於一切片工具的路徑隔開。在各條路徑內製成一對相互隔開的直線。
各條直線係各自界定一條路徑的切片邊緣而且有至少一條在該晶圓之正面與該基板之間延伸的溝槽。各條溝槽係填滿一應力吸收材料用來減少晶粒工具在切片期間在該等晶粒區上誘發的應力。
简体摘要：一种用于制造供切片用之半导体晶圆的方法，其系包含：提供一半导体晶圆，其系包含一基板以及多个在该基板上形成数个晶粒区之一构成的上层。该构成系经配置成相邻的晶粒区都被一条用于一切片工具的路径隔开。在各条路径内制成一对相互隔开的直线。各条直线系各自界定一条路径的切片边缘而且有至少一条在该晶圆之正面与该基板之间延伸的沟槽。各条沟槽系填满一应力吸收材料用来减少晶粒工具在切片期间在该等晶粒区上诱发的应力。

4. 发明专利

TWI344185B 於基板上形成強化互連之方法 METHOD FOR FORMING REINFORCED INTERCONNECTS ON A SUBSTRATE 有权
简体标题：于基板上形成强化互连之方法 METHOD FOR FORMING REINFORCED INTERCONNECTS ON A SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI344185B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW096107702
申请日：2007-03-06
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：蕭喜銘 , 周安樂 , 黎戈 , 葉興強 , 鄭通慶 , 陳蘭珠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/4015 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11312 , H01L2224/1134 , H01L2224/118 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13144 , H01L2224/13194 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/3457 , H05K2201/0367 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/81805
摘要：本發明揭示一種在基板上形成強化互連或凸塊的方法，其包括首先於基板上形成一支撐結構。然後在支撐結構周圍形成一實質填滿的封套，以構成一互連。該互連之高度可達300微米。
简体摘要：本发明揭示一种在基板上形成强化互连或凸块的方法，其包括首先于基板上形成一支撑结构。然后在支撑结构周围形成一实质填满的封套，以构成一互连。该互连之高度可达300微米。

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