专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI438895B 發光二極體陣列有权
简体标题：发光二极管数组
公开(公告)号：TWI438895B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW101104158
申请日：2012-02-09
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：馮玟菲 , FONG, WEN FEI , 夏德玲 , HSIA, DER LIN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/156 , H01L24/24 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/12041 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201334172A 發光二極體陣列审中-公开
简体标题：发光二极管数组
公开(公告)号：TW201334172A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101104158
申请日：2012-02-09
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：馮玟菲 , FONG, WEN FEI , 夏德玲 , HSIA, DER LIN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/156 , H01L24/24 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要：本發明提供了一種發光二極體陣列，包括：一基板，其上設置有由複數發光二極體晶片依序排列所形成之陣列、一介電層、一插栓、與一導電連接層。於一實施例中，每一發光二極體晶片均與位在其相鄰列之其他發光二極體以一溝渠加以區隔。而介電層係覆蓋每一溝渠裸露之基板表面以及溝渠兩側之上述發光二極體晶片之側壁及部分表面。上述插栓係填充於溝渠中且位於上述介電層之上而受其環繞。而上述導電連接層係位在該插栓和該介電層上，使得每一上述發光二極體分別與一位在其相鄰列之其他上述發光二極體連接。
简体摘要：本发明提供了一种发光二极管数组，包括：一基板，其上设置有由复数发光二极管芯片依序排列所形成之数组、一介电层、一插栓、与一导电连接层。于一实施例中，每一发光二极管芯片均与位在其相邻列之其他发光二极管以一沟渠加以区隔。而介电层系覆盖每一沟渠裸露之基板表面以及沟渠两侧之上述发光二极管芯片之侧壁及部分表面。上述插栓系填充于沟渠中且位于上述介电层之上而受其环绕。而上述导电连接层系位在该插栓和该介电层上，使得每一上述发光二极管分别与一位在其相邻列之其他上述发光二极管连接。

3. 发明专利

TW201306310A 發光二極體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201306310A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100126624
申请日：2011-07-27
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：陳政宏 , CHEN, CHENG HUNG , 夏德玲 , HSIA, DER LIN , 侯佳宏 , HOU, CHIA HUNG
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20
摘要：本發明提出一種發光二極體結構，所述發光二極體結構包括基板、介質反射鏡層、第一導電層、發光層以及第二導電層。所述基板具有多數個溝槽，而介質反射鏡層設置於所述多個溝槽中，且介質反射鏡層分別於每一個溝槽中形成一個介質反射鏡區塊。第一導電層設置於基板上，使得介質反射鏡層位於基板與第一導電層之間，發光層設置於第一導電層上，且第二導電層設置於發光層上。當電流通過第一導電層、發光層與第二導電層時，發光層產生光線。藉此，發光層所產生的光線可集中地朝向發光二極體結構之同一側面射出。
简体摘要：本发明提出一种发光二极管结构，所述发光二极管结构包括基板、介质反射镜层、第一导电层、发光层以及第二导电层。所述基板具有多数个沟槽，而介质反射镜层设置于所述多个沟槽中，且介质反射镜层分别于每一个沟槽中形成一个介质反射镜区块。第一导电层设置于基板上，使得介质反射镜层位于基板与第一导电层之间，发光层设置于第一导电层上，且第二导电层设置于发光层上。当电流通过第一导电层、发光层与第二导电层时，发光层产生光线。借此，发光层所产生的光线可集中地朝向发光二极管结构之同一侧面射出。

4. 发明专利

TWI506820B 塗佈螢光粉的方法及發光二極體封裝有权
简体标题：涂布萤光粉的方法及发光二极管封装
公开(公告)号：TWI506820B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100124001
申请日：2011-07-07
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：馮玟菲 , FONG, WEN FEI , 夏德玲 , HSIA, DER LIN , 傅思維 , FU, SZU WEI
IPC分类号： H01L33/48

5. 发明专利

TW201349602A 發光二極體元件的製造方法與發光二極體晶圓审中-公开
简体标题：发光二极管组件的制造方法与发光二极管晶圆
公开(公告)号：TW201349602A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101119365
申请日：2012-05-30
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：夏德玲 , HSIA, DER LIN , 李佳恩 , LEE, CHIA EN
IPC分类号： H01L33/64
摘要：一種發光二極體元件的製造方法與發光二極體晶圓，其製造方法包括下列步驟：在一磊晶成長基板上形成一磊晶結構，該磊晶結構具有複數個高台狀(mesa)發光二極體；以一散熱基板取代該磊晶成長基板；量測各該些高台狀發光二極體的發光波長以產生一波長量測資料；設置一注膠板於該磊晶結構上，該注膠板有複數個注膠孔，分別曝露該些高台狀發光二極體；以及經由該些注膠孔塗佈螢光膠於該些發光二極體高台上，以在該散熱基板上形成複數個發光元件。
简体摘要：一种发光二极管组件的制造方法与发光二极管晶圆，其制造方法包括下列步骤：在一磊晶成长基板上形成一磊晶结构，该磊晶结构具有复数个高台状(mesa)发光二极管；以一散热基板取代该磊晶成长基板；量测各该些高台状发光二极管的发光波长以产生一波长量测数据；设置一注胶板于该磊晶结构上，该注胶板有复数个注胶孔，分别曝露该些高台状发光二极管；以及经由该些注胶孔涂布萤光胶于该些发光二极管高台上，以在该散热基板上形成复数个发光组件。

6. 发明专利

TWI485879B 發光二極體晶片及其製造方法有权
简体标题：发光二极管芯片及其制造方法
公开(公告)号：TWI485879B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW098111843
申请日：2009-04-09
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN , 郭政達 , KUO, CHENG TA , 夏德玲 , HSIA, DER LING
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/78 , H01L33/20 , H01L33/44

7. 发明专利

TW201304197A 塗佈螢光粉的方法及發光二極體封裝审中-公开
简体标题：涂布萤光粉的方法及发光二极管封装
公开(公告)号：TW201304197A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW100124001
申请日：2011-07-07
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：馮玟菲 , FONG, WEN FEI , 夏德玲 , HSIA, DER LIN , 傅思維 , FU, SZU WEI
IPC分类号： H01L33/48
摘要：本發明提供塗佈螢光粉的方法以及發光二極體封裝，此方法包含提供發光二極體，其上具有導電墊以及保護層，保護層設置於導電墊以外的區域，對核心螢光粉進行改質，形成改質的螢光粉，其具有官能基修飾於核心螢光粉上，將改質的螢光粉塗佈於發光二極體上，其中改質的螢光粉所具有的官能基吸附於保護層上，而不會吸附於導電墊上，形成發光二極體封裝。
简体摘要：本发明提供涂布萤光粉的方法以及发光二极管封装，此方法包含提供发光二极管，其上具有导电垫以及保护层，保护层设置于导电垫以外的区域，对内核萤光粉进行改质，形成改质的萤光粉，其具有官能基修饰于内核萤光粉上，将改质的萤光粉涂布于发光二极管上，其中改质的萤光粉所具有的官能基吸附于保护层上，而不会吸附于导电垫上，形成发光二极管封装。

8. 发明专利

TWI480962B 發光二極體封裝以及發光二極體晶圓級封裝製程有权
简体标题：发光二极管封装以及发光二极管晶圆级封装制程
公开(公告)号：TWI480962B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW098111840
申请日：2009-04-09
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN , 郭政達 , KUO, CHENG TA , 夏德玲 , HSIA, DER LING
IPC分类号： H01L21/56 , H01L33/00 , H01L23/485 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L24/26 , H01L24/93 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201505205A 圖案化基板與具有圖案化基板的發光二極體結構审中-公开
简体标题：图案化基板与具有图案化基板的发光二极管结构
公开(公告)号：TW201505205A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102127449
申请日：2013-07-31
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：陳怡如 , CHEN, YIJU , 夏德玲 , HSAI, DERLING , 趙志偉 , CHAO, CHIHWEI , 郭政達 , KUO, CHENGTA
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/10 , Y10T428/24355
摘要：一種發光二極體結構包含圖案化基板、N型半導體層、發光層與P型半導體層。基板的一表面形成複數個凸出部。每一凸出部於該表面之水平面的投影具有投影寬度W1。每兩相鄰之凸出部之間具有間隔寬度W2。每一凸出部的頂端與該表面之水平面之間具有垂直高度h，其中{[(W1)/2+W2]/h}大致等於tan 46°。N型半導體層位於基板上且覆蓋於凸出部。發光層位於N型半導體層上。P型半導體層位於發光層上。
简体摘要：一种发光二极管结构包含图案化基板、N型半导体层、发光层与P型半导体层。基板的一表面形成复数个凸出部。每一凸出部于该表面之水平面的投影具有投影宽度W1。每两相邻之凸出部之间具有间隔宽度W2。每一凸出部的顶端与该表面之水平面之间具有垂直高度h，其中{[(W1)/2+W2]/h}大致等于tan 46°。N型半导体层位于基板上且覆盖于凸出部。发光层位于N型半导体层上。P型半导体层位于发光层上。

10. 发明专利

TWI438933B 發光二極體結構及其製造方法有权
简体标题：发光二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI438933B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW100126624
申请日：2011-07-27
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：陳政宏 , CHEN, CHENG HUNG , 夏德玲 , HSIA, DER LIN , 侯佳宏 , HOU, CHIA HUNG
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式