专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201709541A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201709541A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105123721
申请日：2016-07-27
申请人：長州産業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0224 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明提供光發電元件及其製造方法。光發電元件包含p型或n型的結晶半導體基板；在該結晶半導體基板的一面側按照以下順序依次層疊的第一本征非晶質系半導體層、p型非晶質系半導體層、第一透明導電膜及第一集電極；和在所述結晶半導體基板的另一面側按照以下順序依次層疊的第一本征非晶質系半導體層、n型非晶質系半導體層、第二透明導電膜及第二集電極，所述第一集電極及第二集電極中的任一方為包含鈀及鎵中的的至少一種、銀和銅的金屬膜。作為所述金屬膜的平均厚度，較佳為15nm以上且60nm以下。該光發電元件較佳實施退火處理。
简体摘要：本发明提供光发电组件及其制造方法。光发电组件包含p型或n型的结晶半导体基板；在该结晶半导体基板的一面侧按照以下顺序依次层叠的第一本征非晶质系半导体层、p型非晶质系半导体层、第一透明导电膜及第一集电极；和在所述结晶半导体基板的另一面侧按照以下顺序依次层叠的第一本征非晶质系半导体层、n型非晶质系半导体层、第二透明导电膜及第二集电极，所述第一集电极及第二集电极中的任一方为包含钯及镓中的的至少一种、银和铜的金属膜。作为所述金属膜的平均厚度，较佳为15nm以上且60nm以下。该光发电组件较佳实施退火处理。

2. 发明专利

TW201719914A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201719914A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105123720
申请日：2016-07-27
申请人：長州産業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：橋本公一 , HASHIMOTO, KIMIKAZU , 小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 佐藤誠治 , SATO, SEIJI
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0224 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明提供光發電元件及其製法。光發電元件包含具有透明導電膜作為至少一方的最外層且利用光照射產生電動勢的層結構體、和配設在透明導電膜的外表面的線狀集電極的光發電元件，集電極具有層疊在透明導電膜的外表面的阻擋層和層疊在阻擋層的外表面且包含銅作為主成分的銅層，阻擋層包含鈀及鎵中的至少一種、銀和銅。層結構體具有：p型或n型的結晶半導體基板；在結晶半導體基板的一面側依次層疊的第一本征非晶質系半導體層及p型非晶質系半導體層；在結晶半導體基板的另一面側按照依次層疊的n層側中間層及n型非晶質系半導體層。
简体摘要：本发明提供光发电组件及其制法。光发电组件包含具有透明导电膜作为至少一方的最外层且利用光照射产生电动势的层结构体、和配设在透明导电膜的外表面的线状集电极的光发电组件，集电极具有层叠在透明导电膜的外表面的阻挡层和层叠在阻挡层的外表面且包含铜作为主成分的铜层，阻挡层包含钯及镓中的至少一种、银和铜。层结构体具有：p型或n型的结晶半导体基板；在结晶半导体基板的一面侧依次层叠的第一本征非晶质系半导体层及p型非晶质系半导体层；在结晶半导体基板的另一面侧按照依次层叠的n层侧中间层及n型非晶质系半导体层。

3. 发明专利

TW201523908A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201523908A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103134616
申请日：2014-10-03
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/0747 , Y02E10/547
摘要：本發明提供一種光發電元件，其具有高短路電流及開路電壓，且光電轉換效率優異。本發明之光發電元件具有：n型晶質半導體基板，於該n型晶質半導體基板一側依序層積之第1導電型非晶質系半導體層及第1透明導電膜，於前述n型晶質半導體基板另一側依序層積之第2導電型非晶質系半導體層及第2透明導電膜；且其中一側係作為光入射面使用；該光發電元件更具備透明絕緣膜，且該透明絕緣膜係直接層積於第1透明導電膜一側。
简体摘要：本发明提供一种光发电组件，其具有高短路电流及开路电压，且光电转换效率优异。本发明之光发电组件具有：n型晶质半导体基板，于该n型晶质半导体基板一侧依序层积之第1导电型非晶质系半导体层及第1透明导电膜，于前述n型晶质半导体基板另一侧依序层积之第2导电型非晶质系半导体层及第2透明导电膜；且其中一侧系作为光入射面使用；该光发电组件更具备透明绝缘膜，且该透明绝缘膜系直接层积于第1透明导电膜一侧。

4. 发明专利

TW201339333A 光電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201339333A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102105171
申请日：2013-02-08
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/35 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本發明之光電元件係減少填充因數之降低，從而可同時實現光向光電轉換層之取入量之增加與填充因數之提高。自導入管32向成膜腔室103內導入氫氣。使相對於基板11之透明電極膜之形成時之環境中含有1%左右之氫氣。藉由自電弧電漿槍105釋出之電子流而自坩堝104內蒸發之IWO，係與自導入管31導入之氧氣及自導入管32導入之氫氣一併堆積於基板11。
简体摘要：本发明之光电组件系减少填充因子之降低，从而可同时实现光向光电转换层之取入量之增加与填充因子之提高。自导入管32向成膜腔室103内导入氢气。使相对于基板11之透明电极膜之形成时之环境中含有1%左右之氢气。借由自电弧等离子枪105发佈之电子流而自坩埚104内蒸发之IWO，系与自导入管31导入之氧气及自导入管32导入之氢气一并堆积于基板11。

5. 发明专利

TWI676996B 透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法有权
简体标题：透明导电膜、使用此之设备或太阳能电池及透明导电膜之制造方法
公开(公告)号：TWI676996B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW104128818
申请日：2015-09-01
申请人：日商長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01B5/14 , H01L31/0224

6. 发明专利

TWI596790B 光伏電力元件及其製造方法有权
简体标题：光伏电力组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI596790B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW103110124
申请日：2014-03-18
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02366 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521

7. 发明专利

TW201526264A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201526264A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103133969
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022475 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本發明之課題在於提供一種使用在較低溫下仍可結晶化之材料形成透明導電膜且具有高發電效率的異質接合型光發電元件。作為解決手段之光發電元件，其具備：n型結晶半導體基板；於n型結晶半導體基板一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜；以及於n型結晶半導體基板另一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜；並且，將一側作為光入射面使用；又，第1及第2透明導電膜中任一者係由結晶性氧化銦形成並且該結晶性氧化銦之平均長軸晶粒徑在10nm以上且小於300nm的透明導電膜(α)，而前述結晶性氧化銦摻雜有屬週期表上第4族、第5族及第6族之1種以上元素(x)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种使用在较低温下仍可结晶化之材料形成透明导电膜且具有高发电效率的异质接合型光发电组件。作为解决手段之光发电组件，其具备：n型结晶半导体基板；于n型结晶半导体基板一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜；以及于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜；并且，将一侧作为光入射面使用；又，第1及第2透明导电膜中任一者系由结晶性氧化铟形成并且该结晶性氧化铟之平均长轴晶粒径在10nm以上且小于300nm的透明导电膜(α)，而前述结晶性氧化铟掺杂有属周期表上第4族、第5族及第6族之1种以上元素(x)。

8. 发明专利

TW201523907A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201523907A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103134615
申请日：2014-10-03
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , Y02E10/50
摘要：本發明課題係提供一種光發電元件，其具有充分的輸出特性，同時可抑制透明導電膜之形成材料的使用量。解決手段係一種光發電元件，具有：n型晶質半導體基板，於該n型晶質半導體基板一側依序層積之第1導電型非晶質系半導體層及第1透明導電膜，於前述n型晶質半導體基板另一側依序層積之第2導電型非晶質系半導體層、第2透明導電膜及金屬膜；前述第1導電型非晶質系半導體層及前述第2導電型非晶質系半導體層中任一者為n型非晶質系半導體層，另一者為p型非晶質系半導體層；且其中一側係作為光入射面使用；該光發電元件中，前述n型晶質半導體基板兩面形成有以非等向性蝕刻所致之金字塔狀凹凸結構；第2透明導電膜之膜厚在40nm以上且小於70nm。
简体摘要：本发明课题系提供一种光发电组件，其具有充分的输出特性，同时可抑制透明导电膜之形成材料的使用量。解决手段系一种光发电组件，具有：n型晶质半导体基板，于该n型晶质半导体基板一侧依序层积之第1导电型非晶质系半导体层及第1透明导电膜，于前述n型晶质半导体基板另一侧依序层积之第2导电型非晶质系半导体层、第2透明导电膜及金属膜；前述第1导电型非晶质系半导体层及前述第2导电型非晶质系半导体层中任一者为n型非晶质系半导体层，另一者为p型非晶质系半导体层；且其中一侧系作为光入射面使用；该光发电组件中，前述n型晶质半导体基板两面形成有以非等向性蚀刻所致之金字塔状凹凸结构；第2透明导电膜之膜厚在40nm以上且小于70nm。

9. 发明专利

TWI596792B 光發電元件及其製造方法有权
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI596792B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW103110125
申请日：2014-03-18
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521

10. 发明专利

TW201626586A 光伏元件、太陽電池模組、太陽光發電系統、光伏元件之製造方法审中-公开
简体标题：光伏组件、太阳电池模块、太阳光发电系统、光伏组件之制造方法
公开(公告)号：TW201626586A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104132398
申请日：2015-10-01
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：提供光伏元件、太陽電池模組、太陽光發電系統、及光伏元件之製造方法。本發明之光伏元件(10)係具備有：一導電型(n型)的結晶系的矽基板(12)；被積層在前述矽基板(12)的第1主面(12a)的一導電型的非晶質的n型矽層(16)；被積層在前述n型矽層(16)的第1透明導電膜(18)；被積層在前述矽基板(12)的第2主面(12b)的其他導電型(p型)的非晶質的p型矽層(24)；及被積層在前述p型矽層(24)的第2透明導電膜(26)，其特徵為：前述第2透明導電膜(26)係被設在成為比前述第2半導體層的主面的周緣更為內側的區域，在前述第1透明導電膜(18)上設有集電極(20)，在前述第2透明導電膜(26)上設有背面電極(28)。
简体摘要：提供光伏组件、太阳电池模块、太阳光发电系统、及光伏组件之制造方法。本发明之光伏组件(10)系具备有：一导电型(n型)的结晶系的硅基板(12)；被积层在前述硅基板(12)的第1主面(12a)的一导电型的非晶质的n型硅层(16)；被积层在前述n型硅层(16)的第1透明导电膜(18)；被积层在前述硅基板(12)的第2主面(12b)的其他导电型(p型)的非晶质的p型硅层(24)；及被积层在前述p型硅层(24)的第2透明导电膜(26)，其特征为：前述第2透明导电膜(26)系被设在成为比前述第2半导体层的主面的周缘更为内侧的区域，在前述第1透明导电膜(18)上设有集电极(20)，在前述第2透明导电膜(26)上设有背面电极(28)。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式