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1. 发明专利

TW201526264A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201526264A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103133969
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022475 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本發明之課題在於提供一種使用在較低溫下仍可結晶化之材料形成透明導電膜且具有高發電效率的異質接合型光發電元件。作為解決手段之光發電元件，其具備：n型結晶半導體基板；於n型結晶半導體基板一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜；以及於n型結晶半導體基板另一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜；並且，將一側作為光入射面使用；又，第1及第2透明導電膜中任一者係由結晶性氧化銦形成並且該結晶性氧化銦之平均長軸晶粒徑在10nm以上且小於300nm的透明導電膜(α)，而前述結晶性氧化銦摻雜有屬週期表上第4族、第5族及第6族之1種以上元素(x)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种使用在较低温下仍可结晶化之材料形成透明导电膜且具有高发电效率的异质接合型光发电组件。作为解决手段之光发电组件，其具备：n型结晶半导体基板；于n型结晶半导体基板一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜；以及于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜；并且，将一侧作为光入射面使用；又，第1及第2透明导电膜中任一者系由结晶性氧化铟形成并且该结晶性氧化铟之平均长轴晶粒径在10nm以上且小于300nm的透明导电膜(α)，而前述结晶性氧化铟掺杂有属周期表上第4族、第5族及第6族之1种以上元素(x)。

2. 发明专利

TW201521210A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201521210A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103133974
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本發明之課題在於提供一種即使藉由濺鍍法成膜形成透明導電膜仍具充分發電效率之異質接合型光發電元件、及所述光發電元件之製造方法。作為解決手段之光發電元件，其具備n型結晶半導體基板、於n型結晶半導體基板一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜、以及於n型結晶半導體基板另一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜，並將一側作為光入射面使用；其中，第1及第2透明導電膜中任一者係由至少摻雜有鉭之氧化銦形成的透明導電膜(α)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种即使借由溅镀法成膜形成透明导电膜仍具充分发电效率之异质接合型光发电组件、及所述光发电组件之制造方法。作为解决手段之光发电组件，其具备n型结晶半导体基板、于n型结晶半导体基板一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜、以及于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜，并将一侧作为光入射面使用；其中，第1及第2透明导电膜中任一者系由至少掺杂有钽之氧化铟形成的透明导电膜(α)。

3. 发明专利

TW201521216A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201521216A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103133977
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD. , 納米新素材有限公司 , ADVANCED NANO PRODUCTS CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： C23C14/086 , H01L31/022466 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/547
摘要：本發明之課題在於提供一種即使藉由濺鍍法成膜形成透明導電膜亦具有充分發電效率之異質接合型光發電元件、及所述光發電元件之製造方法。作為解決手段之光發電元件，其具備：n型結晶半導體基板，於n型結晶半導體基板一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜，及，於n型結晶半導體基板另一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜；其中，第1及第2透明導電膜中任一者係由至少摻雜有鉭之氧化銦形成的透明導電膜(α)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种即使借由溅镀法成膜形成透明导电膜亦具有充分发电效率之异质接合型光发电组件、及所述光发电组件之制造方法。作为解决手段之光发电组件，其具备：n型结晶半导体基板，于n型结晶半导体基板一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜，及，于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜；其中，第1及第2透明导电膜中任一者系由至少掺杂有钽之氧化铟形成的透明导电膜(α)。

4. 发明专利

TW201517284A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201517284A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103133976
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD. , 納米新素材有限公司 , ADVANCED NANO PRODUCTS CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02E10/547
摘要：本發明之課題在於提供一種使用在較低溫下仍可結晶化之材料形成透明導電膜且具有高發電效率的異質接合型光發電元件。作為解決手段之光發電元件，其具備：n型結晶半導體基板；於n型結晶半導體基板一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜；以及於n型結晶半導體基板另一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜；又，第1及第2透明導電膜之任一者係由結晶性氧化銦形成並且該結晶性氧化銦之平均長軸晶粒徑在10nm以上且小於300nm的透明導電膜(α)，而前述結晶性氧化銦摻雜有屬週期表上第4族、第5族及第6族之1種以上元素(x)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种使用在较低温下仍可结晶化之材料形成透明导电膜且具有高发电效率的异质接合型光发电组件。作为解决手段之光发电组件，其具备：n型结晶半导体基板；于n型结晶半导体基板一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜；以及于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜；又，第1及第2透明导电膜之任一者系由结晶性氧化铟形成并且该结晶性氧化铟之平均长轴晶粒径在10nm以上且小于300nm的透明导电膜(α)，而前述结晶性氧化铟掺杂有属周期表上第4族、第5族及第6族之1种以上元素(x)。

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