专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201523908A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201523908A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103134616
申请日：2014-10-03
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/0747 , Y02E10/547
摘要：本發明提供一種光發電元件，其具有高短路電流及開路電壓，且光電轉換效率優異。本發明之光發電元件具有：n型晶質半導體基板，於該n型晶質半導體基板一側依序層積之第1導電型非晶質系半導體層及第1透明導電膜，於前述n型晶質半導體基板另一側依序層積之第2導電型非晶質系半導體層及第2透明導電膜；且其中一側係作為光入射面使用；該光發電元件更具備透明絕緣膜，且該透明絕緣膜係直接層積於第1透明導電膜一側。
简体摘要：本发明提供一种光发电组件，其具有高短路电流及开路电压，且光电转换效率优异。本发明之光发电组件具有：n型晶质半导体基板，于该n型晶质半导体基板一侧依序层积之第1导电型非晶质系半导体层及第1透明导电膜，于前述n型晶质半导体基板另一侧依序层积之第2导电型非晶质系半导体层及第2透明导电膜；且其中一侧系作为光入射面使用；该光发电组件更具备透明绝缘膜，且该透明绝缘膜系直接层积于第1透明导电膜一侧。

2. 发明专利

TW201339333A 光電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201339333A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102105171
申请日：2013-02-08
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/35 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本發明之光電元件係減少填充因數之降低，從而可同時實現光向光電轉換層之取入量之增加與填充因數之提高。自導入管32向成膜腔室103內導入氫氣。使相對於基板11之透明電極膜之形成時之環境中含有1%左右之氫氣。藉由自電弧電漿槍105釋出之電子流而自坩堝104內蒸發之IWO，係與自導入管31導入之氧氣及自導入管32導入之氫氣一併堆積於基板11。
简体摘要：本发明之光电组件系减少填充因子之降低，从而可同时实现光向光电转换层之取入量之增加与填充因子之提高。自导入管32向成膜腔室103内导入氢气。使相对于基板11之透明电极膜之形成时之环境中含有1%左右之氢气。借由自电弧等离子枪105发佈之电子流而自坩埚104内蒸发之IWO，系与自导入管31导入之氧气及自导入管32导入之氢气一并堆积于基板11。

3. 发明专利

TW200641549A 光罩夾持具之移動機構以及成膜裝置失效
简体标题：光罩夹持具之移动机构以及成膜设备
公开(公告)号：TW200641549A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW095105912
申请日：2006-02-22
申请人：三井造船股份有限公司 MITSUI ENGINEERING & SHIPBUILDING CO., LTD. , 日本比鐵克股份有限公司 VIEETECH JAPAN CO., LTD. , 長州產業股份有限公司 CHOSHU INDUSTRY COMPANY LIMITED
发明人：片岡達哉 KATAOKA, TATSUYA , 長尾兼次 NAGAO, KENJI , 齊藤謙一 SAITO, KENICHI
IPC分类号： G03F , C23C
CPC分类号： C23C14/042
摘要：〔課題〕提供將光罩夾持具的移動量分割為複數的光罩夾持具之移動機構以及具備此機構之成膜裝置。〔解決手段〕第一光罩夾持具20的移動機構係為製造有機EL元件用的成膜裝置中的第一光罩夾持具20的移動機構，包括：夾頭16，與有機材料12的蒸發源14對向被配設，使基板和光罩34互相被重疊；第一光罩夾持具20，將前端20a以型形成，使在夾頭16互相被重疊的光罩34以上述前端部20a支持；以及伸縮裝置22，使上述基板夾持具18移動；上述伸縮裝置22係將第一伸縮裝置24在裝置本體11配設，同時將構成伸縮動作的第一桿在板構件23連接，將第二伸縮裝置26配設在上述板構件23，同時使構成伸縮動作的第二桿在上述基板夾持具18的基端部連接或接觸而形成的構成。
简体摘要：〔课题〕提供将光罩夹持具的移动量分割为复数的光罩夹持具之移动机构以及具备此机构之成膜设备。〔解决手段〕第一光罩夹持具20的移动机构系为制造有机EL组件用的成膜设备中的第一光罩夹持具20的移动机构，包括：夹头16，与有机材料12的蒸发源14对向被配设，使基板和光罩34互相被重叠；第一光罩夹持具20，将前端20a以型形成，使在夹头16互相被重叠的光罩34以上述前端部20a支持；以及伸缩设备22，使上述基板夹持具18移动；上述伸缩设备22系将第一伸缩设备24在设备本体11配设，同时将构成伸缩动作的第一杆在板构件23连接，将第二伸缩设备26配设在上述板构件23，同时使构成伸缩动作的第二杆在上述基板夹持具18的基端部连接或接触而形成的构成。

4. 发明专利

TW201626405A 透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法审中-公开
简体标题：透明导电膜、使用此之设备或太阳能电池及透明导电膜之制造方法
公开(公告)号：TW201626405A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104128818
申请日：2015-09-01
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01B5/14 , H01L31/0224
CPC分类号： C23C14/08 , G02F1/1343 , H01B5/14 , H01B13/00 , H01G9/20 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/28 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種透明導電膜，使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法，其中，經由適當地調整鈰的濃度及成長環境中的氫源的分壓之時，提供成為高電洞移動度之透明導電膜，使用此之裝置或太陽能電池，及透明導電膜之製造方法。解決手段係由含有氫及鑭系元素的氧化銦之多結晶構造所成之透明導電膜(12)，其特徵為電洞移動度為120cm2/(V．s)以上者。
简体摘要：本发明系一种透明导电膜，使用此之设备或太阳能电池及透明导电膜之制造方法，其中，经由适当地调整铈的浓度及成长环境中的氢源的分压之时，提供成为高电洞移动度之透明导电膜，使用此之设备或太阳能电池，及透明导电膜之制造方法。解决手段系由含有氢及镧系元素的氧化铟之多结晶构造所成之透明导电膜(12)，其特征为电洞移动度为120cm2/(V．s)以上者。

5. 发明专利

TW201604299A 鏡控式濺鍍裝置审中-公开
简体标题：镜控式溅镀设备
公开(公告)号：TW201604299A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104112222
申请日：2015-04-16
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：田尾銳司 , TAO, EIJI , 青江一規 , AOE, KAZUNORI , 田中文平 , TANAKA, BUNPEI , 末永真吾 , SUENAGA, SHINGO , 濱永教彰 , HAMANAGA, NORIAKI , 大田一樹 , OHTA, KAZUKI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34
摘要：提供一種鏡控式濺鍍裝置，於濺鍍時，能夠使放電電壓降低而防止異常放電發生等，能持續穩定的濺鍍。本發明之鏡控式濺鍍裝置，具備：一對靶材屏蔽，係在配置於真空容器內之前述各靶材的外周緣部或其鄰近位置且為前述各靶材的前述磁場空間側的位置，分別配置成和前述靶材相向，且具有和前述各靶材的侵蝕區域相向之開口部。前述各靶材屏蔽，具備開口部，該開口部具有和前述各靶材的侵蝕區域的外周緣部具略相似關係之外周緣部，且為相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向往外周側位於恰好約1~11mm或約3~5mm之外周緣部。
简体摘要：提供一种镜控式溅镀设备，于溅镀时，能够使放电电压降低而防止异常放电发生等，能持续稳定的溅镀。本发明之镜控式溅镀设备，具备：一对靶材屏蔽，系在配置于真空容器内之前述各靶材的外周缘部或其邻近位置且为前述各靶材的前述磁场空间侧的位置，分别配置成和前述靶材相向，且具有和前述各靶材的侵蚀区域相向之开口部。前述各靶材屏蔽，具备开口部，该开口部具有和前述各靶材的侵蚀区域的外周缘部具略相似关系之外周缘部，且为相较于前述侵蚀区域的外周缘部而言于半径方向或长轴方向往外周侧位于恰好约1~11mm或约3~5mm之外周缘部。

6. 发明专利

TW201521216A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201521216A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103133977
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD. , 納米新素材有限公司 , ADVANCED NANO PRODUCTS CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： C23C14/086 , H01L31/022466 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/547
摘要：本發明之課題在於提供一種即使藉由濺鍍法成膜形成透明導電膜亦具有充分發電效率之異質接合型光發電元件、及所述光發電元件之製造方法。作為解決手段之光發電元件，其具備：n型結晶半導體基板，於n型結晶半導體基板一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜，及，於n型結晶半導體基板另一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜；其中，第1及第2透明導電膜中任一者係由至少摻雜有鉭之氧化銦形成的透明導電膜(α)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种即使借由溅镀法成膜形成透明导电膜亦具有充分发电效率之异质接合型光发电组件、及所述光发电组件之制造方法。作为解决手段之光发电组件，其具备：n型结晶半导体基板，于n型结晶半导体基板一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜，及，于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜；其中，第1及第2透明导电膜中任一者系由至少掺杂有钽之氧化铟形成的透明导电膜(α)。

7. 发明专利

TW201517284A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201517284A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103133976
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD. , 納米新素材有限公司 , ADVANCED NANO PRODUCTS CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02E10/547
摘要：本發明之課題在於提供一種使用在較低溫下仍可結晶化之材料形成透明導電膜且具有高發電效率的異質接合型光發電元件。作為解決手段之光發電元件，其具備：n型結晶半導體基板；於n型結晶半導體基板一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜；以及於n型結晶半導體基板另一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜；又，第1及第2透明導電膜之任一者係由結晶性氧化銦形成並且該結晶性氧化銦之平均長軸晶粒徑在10nm以上且小於300nm的透明導電膜(α)，而前述結晶性氧化銦摻雜有屬週期表上第4族、第5族及第6族之1種以上元素(x)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种使用在较低温下仍可结晶化之材料形成透明导电膜且具有高发电效率的异质接合型光发电组件。作为解决手段之光发电组件，其具备：n型结晶半导体基板；于n型结晶半导体基板一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜；以及于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜；又，第1及第2透明导电膜之任一者系由结晶性氧化铟形成并且该结晶性氧化铟之平均长轴晶粒径在10nm以上且小于300nm的透明导电膜(α)，而前述结晶性氧化铟掺杂有属周期表上第4族、第5族及第6族之1种以上元素(x)。

8. 发明专利

TW201508936A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201508936A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103110125
申请日：2014-03-18
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種具有充分填充因數且可抑制製造成本之光發電元件、及其製造方法。前述光發電元件係具有n型結晶半導體基板、積層於n型結晶半導體基板一側之p型非晶質系矽薄膜、及積層於n型結晶半導體基板另一側之n型非晶質系矽薄膜；前述光發電元件並具有介於n型結晶半導體基板與p型非晶質系矽薄膜間之本質非晶質系矽薄膜，而n型結晶半導體基板與n型非晶質系矽薄膜係直接接合，且，n型非晶質系矽薄膜側係作為光入射面使用。
简体摘要：本发明提供一种具有充分填充因子且可抑制制造成本之光发电组件、及其制造方法。前述光发电组件系具有n型结晶半导体基板、积层于n型结晶半导体基板一侧之p型非晶质系硅薄膜、及积层于n型结晶半导体基板另一侧之n型非晶质系硅薄膜；前述光发电组件并具有介于n型结晶半导体基板与p型非晶质系硅薄膜间之本质非晶质系硅薄膜，而n型结晶半导体基板与n型非晶质系硅薄膜系直接接合，且，n型非晶质系硅薄膜侧系作为光入射面使用。

9. 发明专利

TW201448245A 光發電裝置审中-公开
简体标题：光发电设备
公开(公告)号：TW201448245A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110139
申请日：2014-03-18
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/03762 , H01L31/0201 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種填充因子高之光發電裝置。具有多層狀之光發電零件、以及積層於該光發電零件之其中一面上之第1集電構件及積層於另一面上之第2集電構件，且前述光發電零件包含有：n型結晶半導體基板；於該n型結晶半導體基板之前述第1集電構件側依下述順序積層的第1本質非晶矽薄膜、p型非晶矽薄膜及第1透明導電膜；及於該n型結晶半導體基板之第2集電構件依下述順序積層的n型非晶矽薄膜及第2透明導電膜，且該光發電裝置中，前述p型非晶矽薄膜之膜厚小於6nm，前述第1透明導電膜表面之前述第1集電構件之非積層區域之最大寬度小於2mm。
简体摘要：本发明提供一种填充因子高之光发电设备。具有多层状之光发电零件、以及积层于该光发电零件之其中一面上之第1集电构件及积层于另一面上之第2集电构件，且前述光发电零件包含有：n型结晶半导体基板；于该n型结晶半导体基板之前述第1集电构件侧依下述顺序积层的第1本质非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜及第1透明导电膜；及于该n型结晶半导体基板之第2集电构件依下述顺序积层的n型非晶硅薄膜及第2透明导电膜，且该光发电设备中，前述p型非晶硅薄膜之膜厚小于6nm，前述第1透明导电膜表面之前述第1集电构件之非积层区域之最大宽度小于2mm。

10. 发明专利

TW201432929A 太陽能發電裝置审中-公开
简体标题：太阳能发电设备
公开(公告)号：TW201432929A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102142041
申请日：2013-11-19
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD. , 鷹羽產業股份有限公司 , TAKANOHA TRADING CO., LTD. , 納美仕有限公司 , NAMICS CORPORATION
发明人：橋本公一 , HASHIMOTO, KIMIKAZU , 大內正純 , OUCHI, MASAZUMI , 阪本行 , SAKAMOTO, KOJI , 村松和郎 , MURAMATSU, KAZUO
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , H01L31/0504 , H01L31/0516 , H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要：本發明是一種太陽能發電裝置，其在表背形成透明導電氧化物層，並具有：利用光照射來產生電力之複數個太陽能發電元件、與設於各太陽能發電元件之表背的集電構件，又，表側之集電構件具有：在表側之透明導電氧化物層上平行地由凹版轉印印刷來形成為厚度5μm以下的指狀電極、以及與指狀電極正交來接合之複數根金屬導體線，又，金屬導體線會朝一方向更加延長且與設於串聯之相鄰太陽能發電元件背側的集電構件來接合。
简体摘要：本发明是一种太阳能发电设备，其在表背形成透明导电氧化物层，并具有：利用光照射来产生电力之复数个太阳能发电组件、与设于各太阳能发电组件之表背的集电构件，又，表侧之集电构件具有：在表侧之透明导电氧化物层上平行地由凹版转印印刷来形成为厚度5μm以下的指状电极、以及与指状电极正交来接合之复数根金属导体线，又，金属导体线会朝一方向更加延长且与设于串联之相邻太阳能发电组件背侧的集电构件来接合。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式