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1. 发明专利

TW201009919A 光元件晶圓之加工方法（一）审中-公开
简体标题：光组件晶圆之加工方法（一）
公开(公告)号：TW201009919A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098120076
申请日：2009-06-16
申请人：迪思科股份有限公司
发明人：星野仁志 , 山口崇
IPC分类号： H01L , B23K
CPC分类号： G02B6/13 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B24B7/228 , B24B37/042 , G02B6/3688
摘要：本發明係提供一種光元件晶圓之加工方法，其可在不產生破裂下減薄形成光元件晶圓，同時可使光元件晶圓分割成各個光元件。本發明之方法係將在已藉表面形成格子狀之複數個切割道所劃分之複數個領域上形成有光元件之光元件晶圓沿著切割道分割之光元件晶圓之分割方法，其包含有以下步驟：雷射加工步驟，係沿著切割道於光元件晶圓之表面側施行構成斷裂起點之雷射加工者；保護板接合步驟，係藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護板之表面者；內面研磨步驟，係研磨光元件晶圓之內面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度者；晶圓支持步驟，係將光元件晶圓的內面黏貼在切割帶之表面上，並將黏貼在光元件晶圓之表面的保護板剝離者；及晶圓分割步驟，係對光元件晶圓賦予外力，且使光元件晶圓沿著形成有斷裂起點之切割道而斷裂，藉此，使光元件晶圓分割成各個光元件者。
简体摘要：本发明系提供一种光组件晶圆之加工方法，其可在不产生破裂下减薄形成光组件晶圆，同时可使光组件晶圆分割成各个光组件。本发明之方法系将在已藉表面形成格子状之复数个切割道所划分之复数个领域上形成有光组件之光组件晶圆沿着切割道分割之光组件晶圆之分割方法，其包含有以下步骤：激光加工步骤，系沿着切割道于光组件晶圆之表面侧施行构成断裂起点之激光加工者；保护板接合步骤，系借由可剥离之接合剂，将光组件晶圆之表面接合于刚性高之保护板之表面者；内面研磨步骤，系研磨光组件晶圆之内面，并将光组件晶圆形成为组件之成品厚度者；晶圆支持步骤，系将光组件晶圆的内面黏贴在切割带之表面上，并将黏贴在光组件晶圆之表面的保护板剥离者；及晶圆分割步骤，系对光组件晶圆赋予外力，且使光组件晶圆沿着形成有断裂起点之切割道而断裂，借此，使光组件晶圆分割成各个光组件者。

2. 发明专利

TW201009917A 光元件晶圓之加工方法（二）审中-公开
简体标题：光组件晶圆之加工方法（二）
公开(公告)号：TW201009917A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098120072
申请日：2009-06-16
申请人：迪思科股份有限公司
发明人：星野仁志 , 山口崇
IPC分类号： H01L , B23K
CPC分类号： H01L21/67132 , B23K26/40 , B23K2203/50 , H01L21/67092 , H01L33/0095
摘要：本發明係提供一種光元件晶圓之加工方法，其可在不產生破裂下減薄形成光元件晶圓，同時可使光元件晶圓分割成各個光元件。本發明之方法係將在已藉表面形成格子狀之複數個切割道所劃分之複數個領域上形成有光元件之光元件晶圓沿著切割道分割之光元件晶圓之分割方法，其包含有以下步驟：雷射加工步驟，係沿著切割道於光元件晶圓之表面側施行構成斷裂起點之雷射加工者；保護板接合步驟，係藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護板之表面者；內面研磨步驟，係研磨光元件晶圓之內面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度者；切割帶黏貼步驟，係將光元件晶圓之內面黏貼在切割帶之表面上者；切削溝形成步驟，係將接合於光元件晶圓之保護板沿著切割道進行切削，而形成切削溝者；及晶圓分割步驟，係隔著保護板而對光元件晶圓賦予外力，且使光元件晶圓沿著切割道所形成之斷裂起點而斷裂，藉此，使光元件晶圓分割成各個光元件者。
简体摘要：本发明系提供一种光组件晶圆之加工方法，其可在不产生破裂下减薄形成光组件晶圆，同时可使光组件晶圆分割成各个光组件。本发明之方法系将在已藉表面形成格子状之复数个切割道所划分之复数个领域上形成有光组件之光组件晶圆沿着切割道分割之光组件晶圆之分割方法，其包含有以下步骤：激光加工步骤，系沿着切割道于光组件晶圆之表面侧施行构成断裂起点之激光加工者；保护板接合步骤，系借由可剥离之接合剂，将光组件晶圆之表面接合于刚性高之保护板之表面者；内面研磨步骤，系研磨光组件晶圆之内面，并将光组件晶圆形成为组件之成品厚度者；切割带黏贴步骤，系将光组件晶圆之内面黏贴在切割带之表面上者；切削沟形成步骤，系将接合于光组件晶圆之保护板沿着切割道进行切削，而形成切削沟者；及晶圆分割步骤，系隔着保护板而对光组件晶圆赋予外力，且使光组件晶圆沿着切割道所形成之断裂起点而断裂，借此，使光组件晶圆分割成各个光组件者。

3. 发明专利

TW201248710A 晶圓之研削方法审中-公开
简体标题：晶圆之研削方法
公开(公告)号：TW201248710A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101107866
申请日：2012-03-08
申请人：迪思科股份有限公司
发明人：山口崇 , 鈴木將昭 , 國重仁志 , 小山真史 , 杉岡優介 , 田中和馬
IPC分类号： H01L
摘要： [課題]在對藍寶石基板之表面形成半導體層且外周業經去角之晶圓研削內面時,於內部不產生破裂。[解決方法]在研削於藍寶石基板之表面積層發光層且至少於表面側之外周形成有去角部之晶圓之內面的方法中,將晶圓之表面貼附於硬質基板,且至少在硬質基板與晶圓之去角部之間的間隙填充樹脂,在該狀態下研削晶圓之內面。由於係在硬質基板與晶圓之去角部之間的間隙填充有樹脂的狀態下進行研削,因此去角部不會顫動,可防止以去角部為起點而於內部產生破裂。
简体摘要： [课题]在对蓝宝石基板之表面形成半导体层且外周业经去角之晶圆研削内面时,于内部不产生破裂。[解决方法]在研削于蓝宝石基板之表面积层发光层且至少于表面侧之外周形成有去角部之晶圆之内面的方法中,将晶圆之表面贴附于硬质基板,且至少在硬质基板与晶圆之去角部之间的间隙填充树脂,在该状态下研削晶圆之内面。由于系在硬质基板与晶圆之去角部之间的间隙填充有树脂的状态下进行研削,因此去角部不会颤动,可防止以去角部为起点而于内部产生破裂。

4. 发明专利

TW201009909A 光元件晶圓之加工方法（三）审中-公开
简体标题：光组件晶圆之加工方法（三）
公开(公告)号：TW201009909A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098120073
申请日：2009-06-16
申请人：迪思科股份有限公司
发明人：星野仁志 , 山口崇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
摘要：本發明係提供一種光元件晶圓之分割方法，其可減薄形成光元件晶圓之厚度，且不會降低光元件之亮度，同時可防止抗撓強度之降低。本發明之方法係將在已藉表面形成格子狀之複數個切割道所劃分之複數個領域上形成有光元件之光元件晶圓沿著切割道分割之光元件晶圓之分割方法，其包含有以下步驟：保護板接合步驟，係將光元件晶圓之表面可剝離地接合於保護板之表面者；內面研磨步驟，係研磨光元件晶圓之內面者；切割帶黏貼步驟，係將光元件晶圓之內面黏貼在切割帶之表面上者；保護板研磨步驟，係將接合於已黏貼在該切割帶上之光元件晶圓之保護板的內面進行研磨，而形成為預定厚度者；雷射加工步驟，係沿著形成於光元件晶圓上之切割道而於保護板照射雷射光線，並施行構成斷裂起點之雷射加工者；及晶圓分割步驟，係對保護板賦予外力，且使保護板沿著斷裂起點而斷裂，藉此，使光元件晶圓沿著切割道斷裂而分割成各個光元件者。
简体摘要：本发明系提供一种光组件晶圆之分割方法，其可减薄形成光组件晶圆之厚度，且不会降低光组件之亮度，同时可防止抗挠强度之降低。本发明之方法系将在已藉表面形成格子状之复数个切割道所划分之复数个领域上形成有光组件之光组件晶圆沿着切割道分割之光组件晶圆之分割方法，其包含有以下步骤：保护板接合步骤，系将光组件晶圆之表面可剥离地接合于保护板之表面者；内面研磨步骤，系研磨光组件晶圆之内面者；切割带黏贴步骤，系将光组件晶圆之内面黏贴在切割带之表面上者；保护板研磨步骤，系将接合于已黏贴在该切割带上之光组件晶圆之保护板的内面进行研磨，而形成为预定厚度者；激光加工步骤，系沿着形成于光组件晶圆上之切割道而于保护板照射激光光线，并施行构成断裂起点之激光加工者；及晶圆分割步骤，系对保护板赋予外力，且使保护板沿着断裂起点而断裂，借此，使光组件晶圆沿着切割道断裂而分割成各个光组件者。

5. 发明专利

TW200952061A 光元件晶圓的分割方法审中-公开
简体标题：光组件晶圆的分割方法
公开(公告)号：TW200952061A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098113149
申请日：2009-04-21
申请人：迪思科股份有限公司
发明人：星野仁志 , 山口崇
IPC分类号： H01L , B23K
CPC分类号： H01L27/14683
摘要：本發明之目的係提供一種光元件晶圓的分割方法，該方法可減薄形成光元件晶圓之厚度，且不會降低光元件之亮度，同時可防止抗撓強度之降低，又，為了達成前述目的，本發明係一種光元件晶圓的分割方法，其係將在已藉由於表面形成為格子狀之複數切割道所劃分之複數領域上形成光元件的光元件晶圓，沿著切割道進行分割者，又，包含有以下程序，即：保護板接合程序，係將光元件晶圓之表面接合於保護板之表面且可剝離者；內面研磨程序，係研磨光元件晶圓之內面者；補強基板接合程序，係將補強基板接合於光元件晶圓之內面且可剝離者；晶圓剝離程序，係自保護板剝離已接合補強基板之光元件晶圓者；切割帶黏貼程序，係將已接合補強基板之光元件晶圓之表面黏貼在切割帶之表面上者；雷射加工程序，係自補強基板之內面側，沿著形成於光元件晶圓之切割道照射雷射光線，並沿著切割道於補強基板施行構成斷裂起點之雷射加工者；及晶圓分割程序，係沿著補強基板之斷裂起點賦予外力，且使補強基板沿著斷裂起點斷裂，藉此，使光元件晶圓沿著切割道斷裂者。
简体摘要：本发明之目的系提供一种光组件晶圆的分割方法，该方法可减薄形成光组件晶圆之厚度，且不会降低光组件之亮度，同时可防止抗挠强度之降低，又，为了达成前述目的，本发明系一种光组件晶圆的分割方法，其系将在已借由于表面形成为格子状之复数切割道所划分之复数领域上形成光组件的光组件晶圆，沿着切割道进行分割者，又，包含有以下进程，即：保护板接合进程，系将光组件晶圆之表面接合于保护板之表面且可剥离者；内面研磨进程，系研磨光组件晶圆之内面者；补强基板接合进程，系将补强基板接合于光组件晶圆之内面且可剥离者；晶圆剥离进程，系自保护板剥离已接合补强基板之光组件晶圆者；切割带黏贴进程，系将已接合补强基板之光组件晶圆之表面黏贴在切割带之表面上者；激光加工进程，系自补强基板之内面侧，沿着形成于光组件晶圆之切割道照射激光光线，并沿着切割道于补强基板施行构成断裂起点之激光加工者；及晶圆分割进程，系沿着补强基板之断裂起点赋予外力，且使补强基板沿着断裂起点断裂，借此，使光组件晶圆沿着切割道断裂者。

6. 发明专利

TWI523093B 晶圓之研削方法有权
简体标题：晶圆之研削方法
公开(公告)号：TWI523093B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101107866
申请日：2012-03-08
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：山口崇 , YAMAGUCHI, TAKASHI , 鈴木將昭 , SUZUKI, MASAAKI , 國重仁志 , KUNISHIGE, HITOSHI , 小山真史 , KOYAMA, MASASHI , 杉岡優介 , SUGIOKA, YUSUKE , 田中和馬 , TANAKA, KAZUMA
IPC分类号： H01L21/304

7. 发明专利

TWI518761B 光元件晶圓的分割方法有权
简体标题：光组件晶圆的分割方法
公开(公告)号：TWI518761B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW098113149
申请日：2009-04-21
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：星野仁志 , HOSHINO, HITOSHI , 山口崇 , YAMAGUCHI, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/38 , B23K101/40
CPC分类号： H01L27/14683

8. 发明专利

TWI469200B 光元件晶圓之加工方法（三）有权
简体标题：光组件晶圆之加工方法（三）
公开(公告)号：TWI469200B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098120073
申请日：2009-06-16
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：星野仁志 , HOSHINO, HITOSHI , 山口崇 , YAMAGUCHI, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/302 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336

9. 发明专利

TWI455196B 光元件晶圓之加工方法（二）有权
简体标题：光组件晶圆之加工方法（二）
公开(公告)号：TWI455196B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW098120072
申请日：2009-06-16
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：星野仁志 , HOSHINO, HITOSHI , 山口崇 , YAMAGUCHI, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/38 , B23K101/40
CPC分类号： H01L21/67132 , B23K26/40 , B23K2203/50 , H01L21/67092 , H01L33/0095

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