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    • 3. 发明专利
    • 晶圓之研削方法
    • 晶圆之研削方法
    • TW201248710A
    • 2012-12-01
    • TW101107866
    • 2012-03-08
    • 迪思科股份有限公司
    • 山口崇鈴木將昭國重仁志小山真史杉岡優介田中和馬
    • H01L
    • [課題]在對藍寶石基板之表面形成半導體層且外周業經去角之晶圓研削內面時,於內部不產生破裂。[解決方法]在研削於藍寶石基板之表面積層發光層且至少於表面側之外周形成有去角部之晶圓之內面的方法中,將晶圓之表面貼附於硬質基板,且至少在硬質基板與晶圓之去角部之間的間隙填充樹脂,在該狀態下研削晶圓之內面。由於係在硬質基板與晶圓之去角部之間的間隙填充有樹脂的狀態下進行研削,因此去角部不會顫動,可防止以去角部為起點而於內部產生破裂。
    • [课题]在对蓝宝石基板之表面形成半导体层且外周业经去角之晶圆研削内面时,于内部不产生破裂。[解决方法]在研削于蓝宝石基板之表面积层发光层且至少于表面侧之外周形成有去角部之晶圆之内面的方法中,将晶圆之表面贴附于硬质基板,且至少在硬质基板与晶圆之去角部之间的间隙填充树脂,在该状态下研削晶圆之内面。由于系在硬质基板与晶圆之去角部之间的间隙填充有树脂的状态下进行研削,因此去角部不会颤动,可防止以去角部为起点而于内部产生破裂。