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1. 发明专利

TWI558423B 微波仿生假體材料及其製作方法有权
简体标题：微波仿生假体材料及其制作方法
公开(公告)号：TWI558423B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW104141186
申请日：2015-12-08
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH &DEVELOPMENT CENTRE
发明人：翁敏航 , WENG, MIN HUANG , 楊茹媛 , YANG, RU YUAN , 藍祥文 , LAN, SIANG WEN , 鍾耀賢 , CHUNG, YAOH SIEN , 吳春森 , WU, CHUN SEN , 黃俊凱 , HUANG, CHUN KAI , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH
IPC分类号： A61L27/20 , A61L27/02

2. 发明专利

TW201534052A 具寬止帶之超寬頻帶通濾波器及應用其之微波成像系統审中-公开
简体标题：具宽止带之超宽带带通滤波器及应用其之微波成像系统
公开(公告)号：TW201534052A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106042
申请日：2014-02-24
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：翁敏航 , WENG, MIN HANG , 洪政源 , HUNG, CHENG YUAN , 楊茹媛 , YUNG, RU YUAN , 藍祥文 , LAN, SIANG WEN , 吳春森 , WU, CHUN SEN
IPC分类号： H03H7/12 , G01N22/00
摘要：一種具寬止帶支超寬頻帶通濾波器及應用其之微波成像系統。所述超寬頻帶通濾波器設置於基板，並且包括第一訊號傳輸埠、第二訊號傳輸埠、第一共振單元、第二共振單元以及耦合單元。第一與第二訊號傳輸埠用以接收或輸出微波訊號。第一與第二共振單元分別用以產生第一與第二止帶頻率響應。耦合單元電性連接於第一與第二共振單元，用以利用電磁方式耦合第一與第二共振單元，藉以決定超寬頻帶通濾波器的通帶頻率響應。第一與第二止帶頻率響應經耦合而成寬止帶頻率響應，寬止帶頻率響應於頻率範圍介於11GHz~30GHz之間具有實質上大於等於20dB的止帶隔絕率。
简体摘要：一种具宽止带支超宽带带通滤波器及应用其之微波成像系统。所述超宽带带通滤波器设置于基板，并且包括第一信号传输端口、第二信号传输端口、第一共振单元、第二共振单元以及耦合单元。第一与第二信号传输端口用以接收或输出微波信号。第一与第二共振单元分别用以产生第一与第二止带频率响应。耦合单元电性连接于第一与第二共振单元，用以利用电磁方式耦合第一与第二共振单元，借以决定超宽带带通滤波器的通带频率响应。第一与第二止带频率响应经耦合而成宽止带频率响应，宽止带频率响应于频率范围介于11GHz~30GHz之间具有实质上大于等于20dB的止带隔绝率。

3. 发明专利

TWI412624B 薄膜沉積裝置及其用以製備薄膜之方法有权
简体标题：薄膜沉积设备及其用以制备薄膜之方法
公开(公告)号：TWI412624B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW100123342
申请日：2011-07-01
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：吳春森 , WU, CHUN SEN , 翁敏航 , WENG, MIN HANG , 晁成虎 , CHAO, CHENG HU , 陳威宇 , CHEN, WEI YU
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455

4. 发明专利

TW201303072A 薄膜沉積裝置及其用以製備薄膜之方法审中-公开
简体标题：薄膜沉积设备及其用以制备薄膜之方法
公开(公告)号：TW201303072A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW100123342
申请日：2011-07-01
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：吳春森 , WU, CHUN SEN , 翁敏航 , WENG, MIN HANG , 晁成虎 , CHAO, CHENG HU , 陳威宇 , CHEN, WEI YU
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
摘要：一種薄膜沉積裝置包含：一腔體，係具有連通一容室之一進氣口；一電漿生成單元，係具有一容置於該容室內之電極組件，該電極組件係電性連接一供電元件，該電極組件係包含一正極板及一負極板，該正極板及負極板之間係具有一電漿生成區；及一加熱組件，係容置於該容室內且用以加熱由該進氣口通入之成膜氣體。利用該薄膜沉積裝置，於該腔體內通入一電漿生成氣體，使其於該電漿生成區產生解離而形成電漿態；於該腔體內通入一成膜氣體，使其通過該加熱組件及電漿生成單元，而於該電漿生成區形成解離態之成膜氣體，以沉積於該基板形成薄膜。
简体摘要：一种薄膜沉积设备包含：一腔体，系具有连通一容室之一进气口；一等离子生成单元，系具有一容置于该容室内之电极组件，该电极组件系电性连接一供电组件，该电极组件系包含一正极板及一负极板，该正极板及负极板之间系具有一等离子生成区；及一加热组件，系容置于该容室内且用以加热由该进气口通入之成膜气体。利用该薄膜沉积设备，于该腔体内通入一等离子生成气体，使其于该等离子生成区产生解离而形成等离子态；于该腔体内通入一成膜气体，使其通过该加热组件及等离子生成单元，而于该等离子生成区形成解离态之成膜气体，以沉积于该基板形成薄膜。

5. 发明专利

TWI625865B 太陽能電池結構及其製造方法有权
简体标题：太阳能电池结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI625865B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106119517
申请日：2017-06-12
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：田偉辰 , TIEN, WEI CHEN , 葉昌鑫 , YE, CHANG SIN , 吳春森 , WU, CHUN SEN
IPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/12 , H01L31/20

6. 发明专利

TW201738843A 細胞核影像輪廓擷取裝置及其方法审中-公开
简体标题：细胞核影像轮廓截取设备及其方法
公开(公告)号：TW201738843A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105112999
申请日：2016-04-26
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：鄭茗徽 , CHENG, MING HUI , 陳彥君 , CHEN, YAN JUN , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH , 潘柏瑋 , PAN, BO WEI , 吳春森 , WU, CHUN SEN
IPC分类号： G06T7/00
CPC分类号： G01N33/4833 , G01N15/1475 , G01N2015/0065 , G01N2015/1006 , G06T7/12 , G06T7/66 , G06T2207/10056 , G06T2207/30024
摘要：本發明為一種於細胞影像中找出目標細胞的細胞核的方法，其中細胞影像包括目標細胞及至少一變異細胞，且目標細胞包含細胞質及細胞核，該方法包括：(a)處理細胞影像，以使細胞質、細胞核及變異細胞具不同色彩深淺；(b)分別標定細胞質、細胞核及變異細胞之輪廓；(c)分別計算各輪廓之重心；(d)分別計算細胞質輪廓重心與細胞核輪廓重心及變異細胞輪廓重心的距離；以及(e)自細胞核輪廓重心及變異細胞輪廓重心找出與細胞質輪廓重心之間具有最短距離的特定重心，並定義具特定重心之對應輪廓為細胞核。
简体摘要：本发明为一种于细胞影像中找出目标细胞的细胞核的方法，其中细胞影像包括目标细胞及至少一变异细胞，且目标细胞包含细胞质及细胞核，该方法包括：(a)处理细胞影像，以使细胞质、细胞核及变异细胞具不同色彩深浅；(b)分别标定细胞质、细胞核及变异细胞之轮廓；(c)分别计算各轮廓之重心；(d)分别计算细胞质轮廓重心与细胞核轮廓重心及变异细胞轮廓重心的距离；以及(e)自细胞核轮廓重心及变异细胞轮廓重心找出与细胞质轮廓重心之间具有最短距离的特定重心，并定义具特定重心之对应轮廓为细胞核。

7. 发明专利

TWI587641B 射頻訊號傳輸結構有权
简体标题：射频信号传输结构
公开(公告)号：TWI587641B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104137909
申请日：2015-11-17
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：洪政源 , HUNG, CHENG YUAN , 田偉辰 , TIEN, WEI CHEN , 翁敏航 , WENG, MIN HANG , 吳春森 , WU, CHUN SEN
IPC分类号： H04B1/03 , H03H1/00

8. 发明专利

TWI451578B 具有異質接面之矽基太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：具有异质接面之硅基太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI451578B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW099145600
申请日：2010-12-23
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：吳春森 , WU, CHUN SEN , 翁敏航 , WENG, MIN HANG , 陳威宇 , CHEN, WEI YU
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521

9. 发明专利

TW201904082A 太陽能電池結構及其製造方法审中-公开
简体标题：太阳能电池结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201904082A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106119517
申请日：2017-06-12
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：田偉辰 , TIEN, WEI CHEN , 葉昌鑫 , YE, CHANG SIN , 吳春森 , WU, CHUN SEN
IPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/12 , H01L31/20
摘要：一種太陽能電池結構及其製造方法。此太陽能電池結構包含矽基板、第一鈍化結構、以及第二鈍化結構。矽基板具有相對之第一表面與第二表面。第一鈍化結構覆蓋在矽基板之第一表面上，其中第一鈍化結構包含依序堆疊在第一表面上之第一非晶二氧化矽鈍化層以及第一本質型非晶矽鈍化層。第二鈍化結構覆蓋在矽基板之第二表面上，其中第二鈍化結構包含依序堆疊在第二表面上之第二非晶二氧化矽鈍化層以及第二本質型非晶矽鈍化層。
简体摘要：一种太阳能电池结构及其制造方法。此太阳能电池结构包含硅基板、第一钝化结构、以及第二钝化结构。硅基板具有相对之第一表面与第二表面。第一钝化结构覆盖在硅基板之第一表面上，其中第一钝化结构包含依序堆栈在第一表面上之第一非晶二氧化硅钝化层以及第一本质型非晶硅钝化层。第二钝化结构覆盖在硅基板之第二表面上，其中第二钝化结构包含依序堆栈在第二表面上之第二非晶二氧化硅钝化层以及第二本质型非晶硅钝化层。

10. 发明专利

TW201720065A 射頻訊號傳輸結構审中-公开
简体标题：射频信号传输结构
公开(公告)号：TW201720065A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104137909
申请日：2015-11-17
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：洪政源 , HUNG, CHENG YUAN , 田偉辰 , TIEN, WEI CHEN , 翁敏航 , WENG, MIN HANG , 吳春森 , WU, CHUN SEN
IPC分类号： H04B1/03 , H03H1/00
摘要：一種射頻訊號傳輸結構，包含至少一第一結構、至少一第二結構和外部導體。第一結構具有第一中心導體和第一介電質，其中第一中心導體與該第一介電質形成第一特性阻抗。第二結構具有第二中心導體和第二介電質，其中第二中心導體與第二介電質形成第二特性阻抗，且第二中心導體鄰接於第一中心導體。外部導體圍繞第一結構和第二結構。第一結構和第二結構分別具有第一厚度和第二厚度，且第一厚度與第二厚度的比例小於0.2。
简体摘要：一种射频信号传输结构，包含至少一第一结构、至少一第二结构和外部导体。第一结构具有第一中心导体和第一介电质，其中第一中心导体与该第一介电质形成第一特性阻抗。第二结构具有第二中心导体和第二介电质，其中第二中心导体与第二介电质形成第二特性阻抗，且第二中心导体邻接于第一中心导体。外部导体围绕第一结构和第二结构。第一结构和第二结构分别具有第一厚度和第二厚度，且第一厚度与第二厚度的比例小于0.2。

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