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1. 发明专利

TW201318966A 黃銅礦型化合物之製法审中-公开
简体标题：黄铜矿型化合物之制法
公开(公告)号：TW201318966A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW100139994
申请日：2011-11-02
申请人：財團法人精密機械研究發展中心 , PRECISION MACHINERY RESEARCH & DEVELOPMENT CENTER
发明人：王彥超 , 朱筱鈞 , 黃才薰 , 劉旺林
IPC分类号： C01B19/00 , C01G15/00
摘要：本發明提供一種黃銅礦型化合物之製法，包含：以溶劑熱法將含IB族元素之起始物、含IIIA族元素之起始物及含VIA族元素之起始物於一混合溶劑中反應，形成該黃銅礦型化合物；其中，該混合溶劑包括一第一溶劑與一第二溶劑，該第一溶劑為螯合溶劑，該第二溶劑為乙醇或水，以該混合溶劑之體積為100%計，該第一溶劑之體積介於10~99%之間，該第二溶劑之體積介於1~90%之間。本發明使用依特定比例混合的混合溶劑，以減少螯合溶劑的用量，同時可進一步控制該黃銅礦型化合物的粒徑大小。
简体摘要：本发明提供一种黄铜矿型化合物之制法，包含：以溶剂热法将含IB族元素之起始物、含IIIA族元素之起始物及含VIA族元素之起始物于一混合溶剂中反应，形成该黄铜矿型化合物；其中，该混合溶剂包括一第一溶剂与一第二溶剂，该第一溶剂为螯合溶剂，该第二溶剂为乙醇或水，以该混合溶剂之体积为100%计，该第一溶剂之体积介于10~99%之间，该第二溶剂之体积介于1~90%之间。本发明使用依特定比例混合的混合溶剂，以减少螯合溶剂的用量，同时可进一步控制该黄铜矿型化合物的粒径大小。

2. 发明专利

TW201335062A 二元硫屬化合物之製造方法审中-公开
简体标题：二元硫属化合物之制造方法
公开(公告)号：TW201335062A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101106007
申请日：2012-02-23
申请人：財團法人精密機械研究發展中心 , PRECISION MACHINERY RESEARCH & DEVELOPMENT CENTER
发明人：王彥超 , 朱筱鈞 , 劉旺林
IPC分类号： C01B17/20 , C01B19/04
摘要：本發明提供一種二元硫屬化合物之製造方法，包含：(a)提供一混合溶液，包括一溶劑、一含M1之前驅物及一含M2之前驅物，M1是選自於Ag、Au、Al、In、Ga、Tl或此等之一組合，M2是選自於Se、S或Te；(b)將該混合溶液於密閉環境中進行第一階段加熱，以使含M1之前驅物及含M2之前驅物產生反應而獲得一非晶質之中間產物；(c)乾燥該中間產物；及(d)將該中間產物置於一密閉環境中通入含氫氣之氣體，並進行第二階段加熱，以將該非晶質之中間產物轉化成單一晶相之該二元硫屬化合物。本方法易於大量生產且可製得具備高純度、結晶態的二元硫屬化合物。
简体摘要：本发明提供一种二元硫属化合物之制造方法，包含：(a)提供一混合溶液，包括一溶剂、一含M1之前驱物及一含M2之前驱物，M1是选自于Ag、Au、Al、In、Ga、Tl或此等之一组合，M2是选自于Se、S或Te；(b)将该混合溶液于密闭环境中进行第一阶段加热，以使含M1之前驱物及含M2之前驱物产生反应而获得一非晶质之中间产物；(c)干燥该中间产物；及(d)将该中间产物置于一密闭环境中通入含氢气之气体，并进行第二阶段加热，以将该非晶质之中间产物转化成单一晶相之该二元硫属化合物。本方法易于大量生产且可制得具备高纯度、结晶态的二元硫属化合物。

3. 实用新型

TWM375559U 均質超音波旋轉噴塗裝置有权
简体标题：均质超音波旋转喷涂设备
公开(公告)号：TWM375559U
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：TW098218705
申请日：2009-10-09
申请人：財團法人精密機械研究發展中心
发明人：王永勳 , 陳志豪 , 林貝坤 , 張昫揚 , 王彥超
IPC分类号： B05C
摘要：本創作係提供一種均質超音波旋轉噴塗裝置，尤指一種增進太陽能化合物均勻噴塗品質之創新型態設計；主要係藉由一均質過濾裝置、一定流量泵浦、一超音波噴頭及一離心轉盤相對構組而成；藉此使本創作可大幅提高本創作均勻順暢噴塗於預定基板表面時更能提高其綿密的塗佈性質，且藉由超音波噴頭而令產生的霧氣得更精確地控制其噴塗範圍，並減少因重覆過度噴塗所造成的資源浪費與大氣污染的目的者。
简体摘要：本创作系提供一种均质超音波旋转喷涂设备，尤指一种增进太阳能化合物均匀喷涂品质之创新型态设计；主要系借由一均质过滤设备、一定流量泵浦、一超音波喷头及一离心转盘相对构组而成；借此使本创作可大幅提高本创作均匀顺畅喷涂于预定基板表面时更能提高其绵密的涂布性质，且借由超音波喷头而令产生的雾气得更精确地控制其喷涂范围，并减少因重复过度喷涂所造成的资源浪费与大气污染的目的者。

4. 发明专利

TW201248866A 薄膜太陽能電池之鉬電極剝落的改善方法审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池之钼电极剥落的改善方法
公开(公告)号：TW201248866A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100118319
申请日：2011-05-25
申请人：財團法人精密機械研究發展中心
发明人：林義成 , 沈家煌 , 劉旺林 , 王彥超 , 朱筱鈞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種薄膜太陽能電池之鉬電極剝落的改善方法,包含:(a)在真空環境內的基板上濺鍍第一Mo層;(b)在真空環境內的第一Mo層上濺鍍第二Mo層;(c)對Mo層施予有機溶劑清洗;及(d)以粉末冶金法於經清洗的第二Mo層上形成光電半導體層。步驟(a)與(b)之真空環境分別具有第一工作壓力與小於第一工作壓力的第二工作壓力;步驟(a)與(b)之一靶材分別具有第一輸出功率與大於第一輸出功率的第二輸出功率;該等Mo層具總厚度d1,第二Mo層具厚度d2,d1≦2000 nm,且d2/d1介0.66~0.75,以藉此增加第一Mo層對基板的附著性並提升第二Mo層的導電性。
简体摘要：一种薄膜太阳能电池之钼电极剥落的改善方法,包含:(a)在真空环境内的基板上溅镀第一Mo层;(b)在真空环境内的第一Mo层上溅镀第二Mo层;(c)对Mo层施予有机溶剂清洗;及(d)以粉末冶金法于经清洗的第二Mo层上形成光电半导体层。步骤(a)与(b)之真空环境分别具有第一工作压力与小于第一工作压力的第二工作压力;步骤(a)与(b)之一靶材分别具有第一输出功率与大于第一输出功率的第二输出功率;该等Mo层具总厚度d1,第二Mo层具厚度d2,d1≦2000 nm,且d2/d1介0.66~0.75,以借此增加第一Mo层对基板的附着性并提升第二Mo层的导电性。

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