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1. 发明专利

TWI595369B 技術文獻之閱讀系統與產生專利文獻之專利資訊的方法以及電腦可讀取儲存媒體有权
简体标题：技术文献之阅读系统与产生专利文献之专利信息的方法以及电脑可读取存储媒体
公开(公告)号：TWI595369B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW102100966
申请日：2009-03-06
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 派翠客股份有限公司 , PAITRIX CO. LTD
发明人：陳振坤 , CHEN, CHEN KUN , 余昱辰 , YU, YU CHEN , 朱慕道 , CHU, MU TAO , 杜冠潔 , TU, KUAN CHIEH , 張兆欽 , CHANG, CHAO CHIN , 張筱雯 , CHANG, HSIAO WEN , 許鎮鵬 , HSU, CHEN PENG
IPC分类号： G06F17/30 , G06F17/27

2. 发明专利

TW201541023A 光束整形發光裝置审中-公开
简体标题：光束整形发光设备
公开(公告)号：TW201541023A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103144140
申请日：2014-12-17
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：高智偉 , KOH, ZHI-WEI , 溫士逸 , WEN, SHIH YI , 蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG
IPC分类号： F21V7/04
摘要：一種光束整形發光裝置，可包括一光源及一光束整形件。光源用以提供一光線。光線經過光束整形件後之視野為68度至90度之範圍內。光束整形件可包括一光束整形反射杯或一光束整形膜。光束整形反射杯具有一入光口、一出光口及一反射面。出光口所圍繞之面積大於入光口所圍繞之面積。光源設置於入光口。反射面位於入光口及出光口之間。反射面之第一區域之第一曲率半徑大於反射面之第二區域之第二曲率半徑。光束整形膜覆蓋於光源上。光束整形膜包括一本體及多個微結構。微結構以一設置圖樣設置於本體上。微結構之間具有沿一方向延伸之多個溝槽。
简体摘要：一种光束整形发光设备，可包括一光源及一光束整形件。光源用以提供一光线。光线经过光束整形件后之视野为68度至90度之范围内。光束整形件可包括一光束整形反射杯或一光束整形膜。光束整形反射杯具有一入光口、一出光口及一反射面。出光口所围绕之面积大于入光口所围绕之面积。光源设置于入光口。反射面位于入光口及出光口之间。反射面之第一区域之第一曲率半径大于反射面之第二区域之第二曲率半径。光束整形膜覆盖于光源上。光束整形膜包括一本体及多个微结构。微结构以一设置图样设置于本体上。微结构之间具有沿一方向延伸之多个沟槽。

3. 发明专利

TWI467819B 發光晶片及發光晶片的製造方法有权
简体标题：发光芯片及发光芯片的制造方法
公开(公告)号：TWI467819B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW100148316
申请日：2011-12-23
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：翁瑞坪 , WENG, JUI PING , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH , 許鎮鵬 , HSU, CHEN PENG , 蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/00

4. 发明专利

TW201444122A 發光元件的製造方法审中-公开
简体标题：发光组件的制造方法
公开(公告)号：TW201444122A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103115824
申请日：2014-05-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林瑞欽 , LIN, RE CHING , 溫士逸 , WEN, SHIH YI , 陳信助 , CHEN, HSIN CHU , 許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光元件的製造方法包括以下步驟。選擇一發光源，其中發光源具有一第一發光光譜，且第一發光光譜包括具有一第一峰值波長的波峰。由一螢光粉光譜資料庫選出適於被第一峰值波長激發的一螢光粉配方，且螢光粉配方具有一第二發光光譜。疊加第一發光光譜與第二發光光譜，並取得發光元件在不同的螢光粉重量下的多組預備光譜，並將預備光譜轉換為CIE色座標系統上的多個預備色座標。判斷預備色座標的一趨勢線與一目標區的關係。
简体摘要：一种发光组件的制造方法包括以下步骤。选择一发光源，其中发光源具有一第一发光光谱，且第一发光光谱包括具有一第一峰值波长的波峰。由一萤光粉光谱数据库选出适于被第一峰值波长激发的一萤光粉配方，且萤光粉配方具有一第二发光光谱。叠加第一发光光谱与第二发光光谱，并取得发光组件在不同的萤光粉重量下的多组预备光谱，并将预备光谱转换为CIE色座标系统上的多个预备色座标。判断预备色座标的一趋势线与一目标区的关系。

5. 发明专利

TWI449466B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI449466B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW100148543
申请日：2011-12-26
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH , 許鎮鵬 , HSU, CHEN PENG , 蔡欣芸 , TSAI, HSIN YUN , 溫士逸 , WEN, SHIH YI
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0827 , H05B33/0803

6. 发明专利

TWI513051B 發光二極體晶圓及其製造方法有权
简体标题：发光二极管晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI513051B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102116428
申请日：2013-05-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：許鎭鵬 , HSU, CHEN PENG , 林瑞欽 , LIN, RE CHING , 蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 古昀生 , KU, YUN SHENG , 溫士逸 , WEN, SHIH YI
IPC分类号： H01L33/48

7. 发明专利

TWI497771B 發光二極體元件與發光二極體元件的製造方法有权
简体标题：发光二极管组件与发光二极管组件的制造方法
公开(公告)号：TWI497771B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW102112711
申请日：2013-04-10
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：古昀生 , KU, YUN SHENG , 李兆偉 , LEE, CHAO WEI , 許鎮鵬 , HSU, CHEN PENG , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH
IPC分类号： H01L33/48

8. 发明专利

TWI469402B 發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI469402B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW102108058
申请日：2009-02-24
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李兆偉 , LEE, CHAO WEI , 許鎮鵬 , HSU, CHEN PENG , 蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/64

9. 发明专利

TWI401820B 發光元件及其製作方法有权
简体标题：发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI401820B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW097120309
申请日：2008-05-30
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：盧建均 , LU, CHIEN CHUN , 郭家泰 , KUO, CHIA TAI , 許鎮鵬 , HSU, CHEN PENG , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH , 孫健仁 , SUN, CHIEN JEN
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H05B33/10 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201327914A 晶圓級發光二極體結構之製造方法审中-公开
简体标题：晶圆级发光二极管结构之制造方法
公开(公告)号：TW201327914A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100149473
申请日：2011-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔡曜駿 , TSAI, YAO JUN , 許鎮鵬 , HSU, CHEN PENG , 林國豐 , LIN, KUO FENG , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH , 胡鴻烈 , HU, HUNG LIEH , 孫健仁 , SUN, CHIEN JEN
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一種晶圓級發光二極體結構之製造方法，包含：提供一生長基板，其上依序成長有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層；對該第一半導體層、該發光層及該第二半導體層進行一圖形化製程，定義出複數第一凹陷區以及複數第二凹陷區，其中複數疊層結構係對應形成於該第二凹陷區內，以及一第一半導體層之延伸區係對應配置於與一預定切割線重疊的該第一凹陷區內；形成至少一第一電極於該第一凹陷區內之該第一半導體層延伸區；以及，形成一第二電極於該第二凹陷區內之疊層結構上。
简体摘要：一种晶圆级发光二极管结构之制造方法，包含：提供一生长基板，其上依序成长有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层；对该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层进行一图形化制程，定义出复数第一凹陷区以及复数第二凹陷区，其中复数叠层结构系对应形成于该第二凹陷区内，以及一第一半导体层之延伸区系对应配置于与一预定切割线重叠的该第一凹陷区内；形成至少一第一电极于该第一凹陷区内之该第一半导体层延伸区；以及，形成一第二电极于该第二凹陷区内之叠层结构上。

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