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1. 发明专利

TWI539583B 導通孔結構、封裝結構以及光感測元件封裝有权
简体标题：导通孔结构、封装结构以及光传感组件封装
公开(公告)号：TWI539583B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW103131187
申请日：2014-09-10
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：張香鈜 , CHANG, HSIANG HUNG , 陳文志 , CHEN, WEN CHIH , 芮嘉瑋 , JUI, CHIA WEI , 蕭志誠 , HSIAO, ZHI CHENG , 柯正達 , KO, CHENG TA , 李榮賢 , LEE, RONG SHEN , 楊省樞 , YANG, SHENG SHU
IPC分类号： H01L27/14 , H01L23/52

2. 发明专利

TWI382512B 具氣密性之三維晶圓堆疊有权
简体标题：具气密性之三维晶圆堆栈
公开(公告)号：TWI382512B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW097133663
申请日：2008-09-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：譚瑞敏 , TAIN, RA MIN , 張恕銘 , CHANG, SHU MING , 廖錫卿 , LIAU, SHYI CHING , 駱韋仲 , LO, WEI CHUNG , 李榮賢 , LEE, RONG SHEN , 張緝熙 , CHANG, CHI SHIH
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/562 , H01L25/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201528483A 導通孔結構、封裝結構以及光感測元件封裝审中-公开
简体标题：导通孔结构、封装结构以及光传感组件封装
公开(公告)号：TW201528483A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103131187
申请日：2014-09-10
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：張香鈜 , CHANG, HSIANG HUNG , 陳文志 , CHEN, WEN CHIH , 芮嘉瑋 , JUI, CHIA WEI , 蕭志誠 , HSIAO, ZHI CHENG , 柯正達 , KO, CHENG TA , 李榮賢 , LEE, RONG SHEN , 楊省樞 , YANG, SHENG SHU
IPC分类号： H01L27/14 , H01L23/52
摘要：本揭露提出了適用於堆疊式半導體元件封裝的多種導通孔結構，其與元件的接墊之間可具有較大的接觸區域，有助於大幅降低訊號傳輸的電性阻抗，使得採用此導通孔結構的封裝結構，例如光感測元件封裝，可具有良好的電性表現與可靠度。此外，本揭露所提出的導通孔結構可相容於現有的半導體元件封裝製程，步驟簡單。相較於其他導通孔結構的設計，本揭露的導通孔結構具有高製程效率以及低成本的優勢。
简体摘要：本揭露提出了适用于堆栈式半导体组件封装的多种导通孔结构，其与组件的接垫之间可具有较大的接触区域，有助于大幅降低信号传输的电性阻抗，使得采用此导通孔结构的封装结构，例如光传感组件封装，可具有良好的电性表现与可靠度。此外，本揭露所提出的导通孔结构可兼容于现有的半导体组件封装制程，步骤简单。相较于其他导通孔结构的设计，本揭露的导通孔结构具有高制程效率以及低成本的优势。

4. 发明专利

TW387117B 增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝失效
简体标题：增进散热与电磁屏蔽效应之半导体封装
公开(公告)号：TW387117B
公开(公告)日：2000-04-11
申请号：TW087110862
申请日：1998-07-02
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：王興昇 , 李榮賢 , 陳棓煌
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要：本發明包含有一基板，晶片，信號傳遞裝置以做為晶片與基板之間之電性連結，導體球陣列(BGA)做為對外訊號之傳遞，晶片、基板與一散熱元件間則以絕緣封裝體加以覆蓋，散熱元件，具有支撐器位於角落凸出於金屬板之下表面以利於與基板連接，基板包含一島位用以置放上述之晶片，一電源環形成於島位之周圍用以輸入電源，一接地環則環繞於電源環，上述之接地環具有複數個接地墊以銜接散熱元件之支撐器。
简体摘要：本发明包含有一基板，芯片，信号传递设备以做为芯片与基板之间之电性链接，导体球数组(BGA)做为对外信号之传递，芯片、基板与一散热组件间则以绝缘封装体加以覆盖，散热组件，具有支撑器位于角落凸出于金属板之下表面以利于与基板连接，基板包含一岛位用以置放上述之芯片，一电源环形成于岛位之周围用以输入电源，一接地环则环绕于电源环，上述之接地环具有复数个接地垫以衔接散热组件之支撑器。

5. 发明专利

TW457610B 一次成型半導體構裝的方法及其結構失效
简体标题：一次成型半导体构装的方法及其结构
公开(公告)号：TW457610B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089118036
申请日：2000-09-04
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：王興昇 , 李榮賢 , 戴江漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/82
摘要：一種一次成型半導體構裝的方法及其結構，係將凸塊成長(Bumping)、接合(assembly)以及植球(Ball attachment)的製程整合為一個單一的製程，使得構裝的製程更加簡化。該方法主要是在構裝時，在一基板的I/O焊墊上形成貫穿孔，然後將該基板與一晶片對位相疊，使該晶片與該基板的I/O焊墊彼此相對準，並在該基板外表面的I/O焊墊與球焊墊(Ball Pad)上塗佈助焊劑與置放導電球或單純塗佈導電膏，然後經一迴焊(Reflow)步驟後，使該基板與該晶片相接合，同時完成凸塊成長、接合與植球的製程。
简体摘要：一种一次成型半导体构装的方法及其结构，系将凸块成长(Bumping)、接合(assembly)以及植球(Ball attachment)的制程集成为一个单一的制程，使得构装的制程更加简化。该方法主要是在构装时，在一基板的I/O焊垫上形成贯穿孔，然后将该基板与一芯片对位相叠，使该芯片与该基板的I/O焊垫彼此相对准，并在该基板外表面的I/O焊垫与球焊垫(Ball Pad)上涂布助焊剂与置放导电球或单纯涂布导电膏，然后经一回焊(Reflow)步骤后，使该基板与该芯片相接合，同时完成凸块成长、接合与植球的制程。

6. 发明专利

TWI364995B 平面揚聲器之組裝結構 ASSEMBLY STRUCTURE OF PLANAR SPEAKER 有权
简体标题：平面扬声器之组装结构 ASSEMBLY STRUCTURE OF PLANAR SPEAKER
公开(公告)号：TWI364995B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW097149537
申请日：2008-12-18
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林育民 , 劉昌和 , 黃昱瑋 , 陳明道 , 李榮賢
IPC分类号： H04R
CPC分类号： H04R19/02 , H04R1/403 , H04R17/005 , H04R19/013
摘要：一種平面揚聲器之組裝結構，包括至少二揚聲器單體以及至少一連接元件。各揚聲器單體包括第一電極、振膜及第二電極。連接元件包括第一導電層、第二導電層及第一絕緣層。第一導電層以一定面積電性連接第一電極，其分別具有平行於接觸面的第三長度及第一長度。第二導電層以一定面積電性連接第二電極，其分別具有平行於接觸面的第四、第五長度及第二長度。第三長度小於或等於二揚聲器單體的第一長度之和。第三、第四及第五長度之和小於或等於第一長度及第二長度之和。
简体摘要：一种平面扬声器之组装结构，包括至少二扬声器单体以及至少一连接组件。各扬声器单体包括第一电极、振膜及第二电极。连接组件包括第一导电层、第二导电层及第一绝缘层。第一导电层以一定面积电性连接第一电极，其分别具有平行于接触面的第三长度及第一长度。第二导电层以一定面积电性连接第二电极，其分别具有平行于接触面的第四、第五长度及第二长度。第三长度小于或等于二扬声器单体的第一长度之和。第三、第四及第五长度之和小于或等于第一长度及第二长度之和。

7. 发明专利

TW201005905A 具氣密性之三維晶圓堆疊 HERMETIC WAFER-TO-WAFER STACKING 审中-公开
简体标题：具气密性之三维晶圆堆栈 HERMETIC WAFER-TO-WAFER STACKING
公开(公告)号：TW201005905A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW097133663
申请日：2008-09-02
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：譚瑞敏 , 張恕銘 , 廖錫卿 , 駱韋仲 , 李榮賢 , 張緝熙
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/562 , H01L25/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種具有氣密結構之晶圓堆疊，該晶圓堆疊係包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一第一裝置層與一第一基板，其中該第一裝置層具有至少一晶片及至少一低介電材料層；一第二晶圓，設置在該第一晶圓之上，其具有一第二裝置層；以及一封閉結構，其係設置於該至少一晶片上且設置於該至少一晶片的切割道之內側，其中該封閉結構係從該第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其的靠近該第一基板之另一側。
简体摘要：本发明系提供一种具有气密结构之晶圆堆栈，该晶圆堆栈系包含一第一晶圆，该第一晶圆具有一第一设备层与一第一基板，其中该第一设备层具有至少一芯片及至少一低介电材料层；一第二晶圆，设置在该第一晶圆之上，其具有一第二设备层；以及一封闭结构，其系设置于该至少一芯片上且设置于该至少一芯片的切割道之内侧，其中该封闭结构系从该第一设备层远离该第一基板的一侧延伸至其的靠近该第一基板之另一侧。

8. 发明专利

TW399310B 覆晶式球形陣列之半導體的構裝有权
简体标题：覆晶式球形数组之半导体的构装
公开(公告)号：TW399310B
公开(公告)日：2000-07-21
申请号：TW087120039
申请日：1998-12-01
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：呂芳俊 , 李榮賢 , 黃新鉗 , 羅曉餘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2924/15311
摘要：一種覆晶式球形陣列的半導體構裝，包括一連結在一半導體晶元表面的金屬散熱元件。此散熱元件具有一結合的結構，用來結合自身和半導體晶元組立於上的球形陣列基板。此散熱元件保護該晶元免於受損，同時也幫助散熱。第一種構裝組合，在散熱元件上提供接觸實體，以將散熱元件連結到形成在一球形陣列基板上的接觸墊。第二種構裝組合，將散熱元件固定在連結在一球形陣列基板上的支撐結構。支撐釘子形成在支撐結構上，並且環扣在散熱元件之接觸實體上的通口裡。兩種構裝組合都可使用習知的構裝或測試的設備，來測試或製造本發明之半導體晶元構裝。
简体摘要：一种覆晶式球形数组的半导体构装，包括一链接在一半导体芯片表面的金属散热组件。此散热组件具有一结合的结构，用来结合自身和半导体芯片组立于上的球形数组基板。此散热组件保护该芯片免于受损，同时也帮助散热。第一种构装组合，在散热组件上提供接触实体，以将散热组件链接到形成在一球形数组基板上的接触垫。第二种构装组合，将散热组件固定在链接在一球形数组基板上的支撑结构。支撑钉子形成在支撑结构上，并且环扣在散热组件之接触实体上的通口里。两种构装组合都可使用习知的构装或测试的设备，来测试或制造本发明之半导体芯片构装。

9. 发明专利

TWI373119B 具有磁屏蔽結構之半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MAGNETIC SHIELDING STRUCTURE 有权
简体标题：具有磁屏蔽结构之半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MAGNETIC SHIELDING STRUCTURE
公开(公告)号：TWI373119B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW096151614
申请日：2007-12-31
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：唐敏注 , 黃玉婷 , 李榮賢 , 陳文彥
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種具有磁屏蔽結構之半導體裝置，包括有一基板、一設置於該基板上之半導體裝置以及一環繞於該半導體裝置之一環體。在另一實施例中，更包括有設置於該環體上並覆蓋該半導體裝置之一蓋體。其中環體與蓋體皆由導磁材料所組成。根據本發明之實施例，其係利用環繞於半導體裝置周圍之導磁材料，以有效屏蔽外來磁場。
简体摘要：本发明揭露一种具有磁屏蔽结构之半导体设备，包括有一基板、一设置于该基板上之半导体设备以及一环绕于该半导体设备之一环体。在另一实施例中，更包括有设置于该环体上并覆盖该半导体设备之一盖体。其中环体与盖体皆由导磁材料所组成。根据本发明之实施例，其系利用环绕于半导体设备周围之导磁材料，以有效屏蔽外来磁场。

10. 发明专利

TWI368445B 駐極體揚聲器單體的電極連接結構 CONNECTING STRUCTURE OF A ELECTRODE OF A ELECTRET SPEAKER UNIT 有权
简体标题：驻极体扬声器单体的电极连接结构 CONNECTING STRUCTURE OF A ELECTRODE OF A ELECTRET SPEAKER UNIT
公开(公告)号：TWI368445B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：TW097130533
申请日：2008-08-11
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林育民 , 劉昌和 , 黃昱瑋 , 陳明道 , 李榮賢
IPC分类号： H04R
CPC分类号： H04R1/06
摘要：一種駐極體揚聲器單體的電極連接結構。此揚聲器單體包括至少一電極層，此電極層是導電材料所組成，或是由非導電材料表面形成導電層所組成。此電極連接結構包括導電電極與膠材。此導電電極用以提供揚聲器單體用以發聲的音源訊號。此膠材將導電電極平行貼附於電極層之表面，此膠材具有黏著特性，將導電電極與電極層達到電性連接導通，其中此膠材以一定面積黏著於電極層之表面緊鄰導電電極之一側。
简体摘要：一种驻极体扬声器单体的电极连接结构。此扬声器单体包括至少一电极层，此电极层是导电材料所组成，或是由非导电材料表面形成导电层所组成。此电极连接结构包括导电电极与胶材。此导电电极用以提供扬声器单体用以发声的音源信号。此胶材将导电电极平行贴附于电极层之表面，此胶材具有黏着特性，将导电电极与电极层达到电性连接导通，其中此胶材以一定面积黏着于电极层之表面紧邻导电电极之一侧。

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