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1. 发明专利

TW455957B 混合型晶圓尺度構裝的製作方法及其結構有权
简体标题：混合型晶圆尺度构装的制作方法及其结构
公开(公告)号：TW455957B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW088123173
申请日：1999-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：盧思維 , 陳國銓 , 林志榮 , 汪若蕙 , 胡旭添 , 黃新鉗
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2224/14 , H01L2924/00012
摘要：本發明提供一種混合型晶圓尺度構裝的製作方法及其結構,其主要結構在焊錫凸塊的底部先形成一個彈性體凸塊(Elsatomer)，再製作一個金屬支撐體，然後以一高分子材料如聚亞醯胺(polyimide:PI)包覆，最後再於彈性體上方之金屬層上形成一UBM層,同時將複數個焊錫凸塊形成於在UBM層上方以使焊錫凸塊之尖端部裸露於外，以增加焊錫凸塊的高度,進而提升焊錫凸塊可靠度,並完成晶圓表面上的複數個晶粒同時封裝，之後再切割晶粒即可製成半導體元件。
简体摘要：本发明提供一种混合型晶圆尺度构装的制作方法及其结构,其主要结构在焊锡凸块的底部先形成一个弹性体凸块(Elsatomer)，再制作一个金属支撑体，然后以一高分子材料如聚亚酰胺(polyimide:PI)包覆，最后再于弹性体上方之金属层上形成一UBM层,同时将复数个焊锡凸块形成于在UBM层上方以使焊锡凸块之尖端部裸露于外，以增加焊锡凸块的高度,进而提升焊锡凸块可靠度,并完成晶圆表面上的复数个晶粒同时封装，之后再切割晶粒即可制成半导体组件。

2. 发明专利

TW517360B 增益型晶圓級構裝之結構及其製造方法有权
简体标题：增益型晶圆级构装之结构及其制造方法
公开(公告)号：TW517360B
公开(公告)日：2003-01-11
申请号：TW090131458
申请日：2001-12-19
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：駱韋仲 , 黃新鉗 , 盧明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/45124 , H01L2224/48724 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要：本發明揭露一種增益型晶圓級構裝(wafer level package)之結構及其製造方法，主要是直接對整個晶圓進行封裝，然後再予以切割形成單一的晶粒構裝；藉由提供具有多個積體電路晶粒之矽晶圓基板，每一晶粒的第一 I/O(輸入/輸出)焊墊旁分別以兩層彈性層，一層塗佈在整個晶圓使第一I/O焊墊表面露出，一層則印刷在部份第一層彈性層上，接著形成金屬線以實現埠端重佈，使其一端延伸至第二彈性層上形成具周邊排列或面矩陣排列的I/O焊墊，最後植入焊料球於第二彈性層的I/O焊墊上，由於本發明採用兩層彈性層作為應力緩衝層，可製作出低成本而可靠度高的構裝結構。
简体摘要：本发明揭露一种增益型晶圆级构装(wafer level package)之结构及其制造方法，主要是直接对整个晶圆进行封装，然后再予以切割形成单一的晶粒构装；借由提供具有多个集成电路晶粒之硅晶圆基板，每一晶粒的第一 I/O(输入/输出)焊垫旁分别以两层弹性层，一层涂布在整个晶圆使第一I/O焊垫表面露出，一层则印刷在部份第一层弹性层上，接着形成金属线以实现端口端重布，使其一端延伸至第二弹性层上形成具周边排列或面矩阵排列的I/O焊垫，最后植入焊料球于第二弹性层的I/O焊垫上，由于本发明采用两层弹性层作为应力缓冲层，可制作出低成本而可靠度高的构装结构。

3. 发明专利

TW399310B 覆晶式球形陣列之半導體的構裝有权
简体标题：覆晶式球形数组之半导体的构装
公开(公告)号：TW399310B
公开(公告)日：2000-07-21
申请号：TW087120039
申请日：1998-12-01
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：呂芳俊 , 李榮賢 , 黃新鉗 , 羅曉餘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2924/15311
摘要：一種覆晶式球形陣列的半導體構裝，包括一連結在一半導體晶元表面的金屬散熱元件。此散熱元件具有一結合的結構，用來結合自身和半導體晶元組立於上的球形陣列基板。此散熱元件保護該晶元免於受損，同時也幫助散熱。第一種構裝組合，在散熱元件上提供接觸實體，以將散熱元件連結到形成在一球形陣列基板上的接觸墊。第二種構裝組合，將散熱元件固定在連結在一球形陣列基板上的支撐結構。支撐釘子形成在支撐結構上，並且環扣在散熱元件之接觸實體上的通口裡。兩種構裝組合都可使用習知的構裝或測試的設備，來測試或製造本發明之半導體晶元構裝。
简体摘要：一种覆晶式球形数组的半导体构装，包括一链接在一半导体芯片表面的金属散热组件。此散热组件具有一结合的结构，用来结合自身和半导体芯片组立于上的球形数组基板。此散热组件保护该芯片免于受损，同时也帮助散热。第一种构装组合，在散热组件上提供接触实体，以将散热组件链接到形成在一球形数组基板上的接触垫。第二种构装组合，将散热组件固定在链接在一球形数组基板上的支撑结构。支撑钉子形成在支撑结构上，并且环扣在散热组件之接触实体上的通口里。两种构装组合都可使用习知的构装或测试的设备，来测试或制造本发明之半导体芯片构装。

4. 发明专利

TW456009B 具有增强散熱片與構裝膠體之間接著力的電子裝置有权
简体标题：具有增强散热片与构装胶体之间接着力的电子设备
公开(公告)号：TW456009B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW087115130
申请日：1998-09-09
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林世雄 , 黃新鉗
IPC分类号： H01L , H05K
CPC分类号： H01L2224/48227 , H01L2924/15311
摘要：本發明揭露一種具有增強散熱片與構裝膠體之間接著力的電子裝置。在一電子裝置中，一基板承載至少一半導體晶粒;一散熱片覆蓋並接近晶粒，以便從晶粒帶離熱能;一構裝膠體包覆晶粒及散熱片，提供防止外力侵害的保護作用。散熱片表面形成有壓花條紋，能夠增加構裝膠體與散熱片之間的接著力，避免散熱片與構裝膠體之間的脫層發生。壓花條紋可以直接以散熱片衝壓模具產生，因此額外成本幾近零，並且壓花條紋與散熱片乃一體成形，製作簡易，無額外界面，增加可靠度。
简体摘要：本发明揭露一种具有增强散热片与构装胶体之间接着力的电子设备。在一电子设备中，一基板承载至少一半导体晶粒;一散热片覆盖并接近晶粒，以便从晶粒带离热能;一构装胶体包覆晶粒及散热片，提供防止外力侵害的保护作用。散热片表面形成有压花条纹，能够增加构装胶体与散热片之间的接着力，避免散热片与构装胶体之间的脱层发生。压花条纹可以直接以散热片冲压模具产生，因此额外成本几近零，并且压花条纹与散热片乃一体成形，制作简易，无额外界面，增加可靠度。

5. 发明专利

TW419712B 晶圓級構裝的方法及其結構有权
简体标题：晶圆级构装的方法及其结构
公开(公告)号：TW419712B
公开(公告)日：2001-01-21
申请号：TW088120340
申请日：1999-11-22
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：吳恩柏 , 孔令臣 , 黃新鉗 , 張仲道
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種晶圓級構裝(wafer level package)的方法及其結構，主要是直接對整個晶圓進行封裝，然後再予以切割形成單一的晶粒構裝;藉由提供具有多個積體電路晶粒之矽晶圓，每一晶粒的I/O焊墊上形成有導電金屬柱，之後分別以兩層彈性層，一層塗佈在整個晶圓使金屬柱表面露出，一層則印刷在部份第一層彈性層上，接著形成金屬線以實現埠端重佈，使其一端延伸至第二彈性層上形成具周邊排列或面矩陣排列的I/O焊墊，最後植入焊料球於第二彈性層的I/O焊墊上，由於本發明採用兩層彈性層作為應力緩衝層，可製作出具有低成本而為高可靠度的構裝結構。
简体摘要：本发明揭露一种晶圆级构装(wafer level package)的方法及其结构，主要是直接对整个晶圆进行封装，然后再予以切割形成单一的晶粒构装;借由提供具有多个集成电路晶粒之硅晶圆，每一晶粒的I/O焊垫上形成有导电金属柱，之后分别以两层弹性层，一层涂布在整个晶圆使金属柱表面露出，一层则印刷在部份第一层弹性层上，接着形成金属线以实现端口端重布，使其一端延伸至第二弹性层上形成具周边排列或面矩阵排列的I/O焊垫，最后植入焊料球于第二弹性层的I/O焊垫上，由于本发明采用两层弹性层作为应力缓冲层，可制作出具有低成本而为高可靠度的构装结构。

6. 发明专利

TW445555B 半導體覆晶構裝的方法及其結構有权
简体标题：半导体覆晶构装的方法及其结构
公开(公告)号：TW445555B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW089104011
申请日：2000-03-07
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：吳恩柏 , 瞿宗耀 , 黃新鉗
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：本發明為一種半導體覆晶構裝的方法及其結構,主要是能同時進行凸塊成型(bumping)與接合(bonding)製程,藉由在晶片上形成邊緣型I/O焊墊(edge I/O pad),構裝時,將之對準基板的I/O焊墊,再形成連接基板焊墊與晶片焊墊的焊錫凸塊,以接合晶片與基板;具有製程簡易,具備與覆晶相同之高電氣性能優點,適用於周邊 I/O焊墊排列方式的晶片,而且成本低廉,具提供微細間距(fine pitch)能力，能根本解決熱膨脹係數(CTE)不匹配之可靠性問題，同時適用於晶片面朝上(face-up)與面朝下(face-down)之組裝形態。
简体摘要：本发明为一种半导体覆晶构装的方法及其结构,主要是能同时进行凸块成型(bumping)与接合(bonding)制程,借由在芯片上形成边缘型I/O焊垫(edge I/O pad),构装时,将之对准基板的I/O焊垫,再形成连接基板焊垫与芯片焊垫的焊锡凸块,以接合芯片与基板;具有制程简易,具备与覆晶相同之高电气性能优点,适用于周边 I/O焊垫排列方式的芯片,而且成本低廉,具提供微细间距(fine pitch)能力，能根本解决热膨胀系数(CTE)不匹配之可靠性问题，同时适用于芯片面朝上(face-up)与面朝下(face-down)之组装形态。

7. 发明专利

TW432569B 形成有內建應力測試圖案的積體電路晶粒及其方法有权
简体标题：形成有内置应力测试图案的集成电路晶粒及其方法
公开(公告)号：TW432569B
公开(公告)日：2001-05-01
申请号：TW088113348
申请日：1999-08-05
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：張仲道 , 王家忠 , 黃新鉗
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種形成有內建應力測試圖案的積體電路晶粒及其方法，係將應力測試圖案形成於IC晶粒角落區域，藉由在一矽基板上沈積一介電材料層，接著形成多數個第一金屬材質之對角排列的線性金屬導線，接著沈積一電性絕緣材料層於金屬導線的頂面，最後形成多數個L型第二金屬材質的金屬條，其以L型的兩邊平行於角落區域兩邊的方式排列，並與金屬導線重疊，使電性絕緣材料層介於之間﹔金屬導線和金屬條將分別與接觸墊連接，IC晶粒在封裝後，經由多次的熱循環測試，便能由接觸墊測得兩金屬層間的電阻，決定形成的熱機械應力。
简体摘要：本发明揭露一种形成有内置应力测试图案的集成电路晶粒及其方法，系将应力测试图案形成于IC晶粒角落区域，借由在一硅基板上沉积一介电材料层，接着形成多数个第一金属材质之对角排列的线性金属导线，接着沉积一电性绝缘材料层于金属导线的顶面，最后形成多数个L型第二金属材质的金属条，其以L型的两边平行于角落区域两边的方式排列，并与金属导线重叠，使电性绝缘材料层介于之间﹔金属导线和金属条将分别与接触垫连接，IC晶粒在封装后，经由多次的热循环测试，便能由接触垫测得两金属层间的电阻，决定形成的热机械应力。

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