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    • 10. 发明专利
    • 擁有窄奈米管發射器層形成於寬傳導層上之陰極及其場發射顯示面板
    • 拥有窄奈米管发射器层形成于宽传导层上之阴极及其场发射显示皮肤
    • TW513602B
    • 2002-12-11
    • TW090128771
    • 2001-11-21
    • 財團法人工業技術研究院
    • 李正中廖貞慧鄭華琦王文俊
    • H01JG02F
    • 一種包含數層奈米碳管發射器層(carbon nanotube emitter layers)以發射電子的場發射顯示幕面板裝置,其中該奈米碳管層擁有比其下的傳導層較小的寬度。奈米碳管層的寬度應該低於傳導層寬度的3/4,或者在傳導層(如銀膠層)寬度大約1/4和3/4之間的範圍內。本發明新穎的結構,防止奈米碳管在導入該些奈米管固化製程後,不會在該傳導層側壁上滿溢(overflow),且因此重大地改進朝向螢光粉塗層激射的電子密度,並減低電子散射的影像。結果,FED裝置在影像清澈度(clarity),清晰度(definition)和對比(contrast)上獲得提升。
    • 一种包含数层奈米碳管发射器层(carbon nanotube emitter layers)以发射电子的场发射显示幕皮肤设备,其中该奈米碳管层拥有比其下的传导层较小的宽度。奈米碳管层的宽度应该低于传导层宽度的3/4,或者在传导层(如银胶层)宽度大约1/4和3/4之间的范围内。本发明新颖的结构,防止奈米碳管在导入该些奈米管固化制程后,不会在该传导层侧壁上满溢(overflow),且因此重大地改进朝向萤光粉涂层激射的电子密度,并减低电子散射的影像。结果,FED设备在影像清澈度(clarity),清晰度(definition)和对比(contrast)上获得提升。