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1. 发明专利

TW508649B OE/RF元件複合凸塊晶圓級構裝之製造方法及其結構失效
简体标题： OE/RF组件复合凸块晶圆级构装之制造方法及其结构
公开(公告)号：TW508649B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090131469
申请日：2001-12-19
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：盧明 , 駱韋仲 , 陳玄芳
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係一種OE/RF元件複合凸塊晶圓級構裝之製造方法及其結構，本發明運用在光電等高頻元件之晶圓級構裝之製程上，首先複合凸塊(compliant bump)以及無電鍍金屬製程技術加以結合運用在光電等高頻元件之晶圓級構裝製程上，亦即，先在完成前段製程之光電元件晶圓的焊墊上形成一凸塊，接著，再運用無電鍍技術將凸塊的表層沉積一層金屬層，並且，同時在光電元件晶圓的背面形成一層金屬層，如此，即可達到製程上的簡化，並且，整個結構具有複合凸塊的緩衝功效。
简体摘要：本发明系一种OE/RF组件复合凸块晶圆级构装之制造方法及其结构，本发明运用在光电等高频组件之晶圆级构装之制程上，首先复合凸块(compliant bump)以及无电镀金属制程技术加以结合运用在光电等高频组件之晶圆级构装制程上，亦即，先在完成前段制程之光电组件晶圆的焊垫上形成一凸块，接着，再运用无电镀技术将凸块的表层沉积一层金属层，并且，同时在光电组件晶圆的背面形成一层金属层，如此，即可达到制程上的简化，并且，整个结构具有复合凸块的缓冲功效。

2. 发明专利

TW472308B 增益型晶圓電鍍製程失效
简体标题：增益型晶圆电镀制程
公开(公告)号：TW472308B
公开(公告)日：2002-01-11
申请号：TW090100013
申请日：2001-01-02
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：盧明 , 盧思維
IPC分类号： H01L
摘要：一種增益型晶圓電鍍製程，用以在晶圓上製作焊料凸塊；將電鍍時所需的配電線路與埠端重佈線路相整合，亦即在進行埠端重佈線路的製作時，同時在晶圓之切割道(Scribe Line)上形成犧牲電路，藉由該犧牲電路作為電鍍時對外部電性連接之配電線路，因而可省去額外在晶圓上形成電鍍晶種層的步驟，並且在將焊料凸塊迴焊的步驟後，仍可對該焊料凸塊進行表面電鍍改質或修裯增厚。
简体摘要：一种增益型晶圆电镀制程，用以在晶圆上制作焊料凸块；将电镀时所需的配电线路与端口端重布线路相集成，亦即在进行端口端重布线路的制作时，同时在晶圆之切割道(Scribe Line)上形成牺牲电路，借由该牺牲电路作为电镀时对外部电性连接之配电线路，因而可省去额外在晶圆上形成电镀晶种层的步骤，并且在将焊料凸块回焊的步骤后，仍可对该焊料凸块进行表面电镀改质或修裯增厚。

3. 发明专利

TW517360B 增益型晶圓級構裝之結構及其製造方法有权
简体标题：增益型晶圆级构装之结构及其制造方法
公开(公告)号：TW517360B
公开(公告)日：2003-01-11
申请号：TW090131458
申请日：2001-12-19
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：駱韋仲 , 黃新鉗 , 盧明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/45124 , H01L2224/48724 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要：本發明揭露一種增益型晶圓級構裝(wafer level package)之結構及其製造方法，主要是直接對整個晶圓進行封裝，然後再予以切割形成單一的晶粒構裝；藉由提供具有多個積體電路晶粒之矽晶圓基板，每一晶粒的第一 I/O(輸入/輸出)焊墊旁分別以兩層彈性層，一層塗佈在整個晶圓使第一I/O焊墊表面露出，一層則印刷在部份第一層彈性層上，接著形成金屬線以實現埠端重佈，使其一端延伸至第二彈性層上形成具周邊排列或面矩陣排列的I/O焊墊，最後植入焊料球於第二彈性層的I/O焊墊上，由於本發明採用兩層彈性層作為應力緩衝層，可製作出低成本而可靠度高的構裝結構。
简体摘要：本发明揭露一种增益型晶圆级构装(wafer level package)之结构及其制造方法，主要是直接对整个晶圆进行封装，然后再予以切割形成单一的晶粒构装；借由提供具有多个集成电路晶粒之硅晶圆基板，每一晶粒的第一 I/O(输入/输出)焊垫旁分别以两层弹性层，一层涂布在整个晶圆使第一I/O焊垫表面露出，一层则印刷在部份第一层弹性层上，接着形成金属线以实现端口端重布，使其一端延伸至第二弹性层上形成具周边排列或面矩阵排列的I/O焊垫，最后植入焊料球于第二弹性层的I/O焊垫上，由于本发明采用两层弹性层作为应力缓冲层，可制作出低成本而可靠度高的构装结构。

4. 发明专利

TW466570B 簡易式塊狀彈性體的製程方法失效
简体标题：简易式块状弹性体的制程方法
公开(公告)号：TW466570B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW090101086
申请日：2001-01-18
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：盧思維 , 盧明 , 林志榮
IPC分类号： H01L
摘要：一種簡易式塊狀彈性體的製程方法，毋須增加額外的切割製程以及設備投資，即可將彈性體分割成塊狀；利用電鍍的方式在晶圓之切割道上形成金屬牆，然後在該晶圓上塗佈一層彈性體，藉由該金屬牆使得塗佈於該晶圓上之彈性體分隔成塊狀，降低因該彈性體之熱膨脹係數差異所造成之過大的應力。
简体摘要：一种简易式块状弹性体的制程方法，毋须增加额外的切割制程以及设备投资，即可将弹性体分割成块状；利用电镀的方式在晶圆之切割道上形成金属墙，然后在该晶圆上涂布一层弹性体，借由该金属墙使得涂布于该晶圆上之弹性体分隔成块状，降低因该弹性体之热膨胀系数差异所造成之过大的应力。

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