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1. 发明专利

TW202005080A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器及顯示像素审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器及显示像素
公开(公告)号：TW202005080A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108141613
申请日：2014-08-22
申请人：美商蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG, SHIH-CHANG , 洪銘欽 , HUNG, MING-CHIN , 余承和 , YU, CHENG-HO , 常鼎國 , CHANG, TING-KUO , 詹西迪-勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI, ABBAS , 林上智 , LIN, SHANG-CHIH , 金孔武 , KIM, KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN-YAO , 李思賢 , LEE, SZU-HSIEN , 陳昱丞 , CHEN, YU-CHENG , 大沢裕史 , OSAWA, HIROSHI , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 林敬偉 , LIN, CHIN-WEI , 崔幸源 , CHOI, JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI, TSUNG-TING
IPC分类号： H01L27/32 , G09G3/3225
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

3. 发明专利

TW201731095A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201731095A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106116789
申请日：2014-08-22
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG,SHIH-CHANG , 洪銘欽 , HUNG,MING-CHIN , 余承和 , YU,CHENG-HO , 常鼎國 , CHANG,TING-KUO , 詹西迪-勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI,ABBAS , 林上智 , LIN,SHANG-CHIH , 金孔武 , KIM,KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG,CHUN-YAO , 李思賢 , LEE,SZU-HSIEN , 陳昱丞 , CHEN,YU-CHENG , 大沢裕史 , OSAWA,HIROSHI , 朴英培 , PARK,YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA,VASUDHA , 林敬偉 , LIN,CHIN-WEI , 崔幸源 , CHOI,JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI,TSUNG-TING
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/7869
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

4. 发明专利

TW201630180A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201630180A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105113335
申请日：2014-08-22
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG, SHIH CHANG , 洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 余承和 , YU, CHENG HO , 常鼎國 , CHANG, TING KUO , 詹西迪勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI, ABBAS , 林上智 , LIN, SHANG CHIH , 金孔武 , KIM, KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 李思賢 , LEE, SZU HSIEN , 陳昱丞 , CHEN, YU CHENG , 大沢裕史 , OSAWA, HIROSHI , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 林敬偉 , LIN, CHIN WEI , 崔幸源 , CHOI, JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI, TSUNG TING
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/7869
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

5. 发明专利

TW201629944A 具垂直閘極線延伸及最小化邊界之顯示器审中-公开
简体标题：具垂直闸极线延伸及最小化边界之显示器
公开(公告)号：TW201629944A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104131945
申请日：2015-09-25
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 梁丙悳 , YANG, BYUNG DUK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 金景旭 , KIM, KYUNG WOOK , 張世昌 , CHANG, SHIH CHANG , 李思賢 , LEE, SZU HSIEN
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/1362 , H01L23/528 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L23/522
CPC分类号： G09G3/3648 , G02F1/13338 , G02F1/134309 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13456 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04104 , G06F2203/04112 , G09F9/30 , G09G3/3666 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2300/0413 , G09G2300/0426 , G09G2310/0281 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種顯示器，其可具有以多列及多行配置的像素之一陣列。每一像素可具有用於控制與彼像素相關聯之輸出光之量之一電晶體。該等電晶體可為具有作用區、第一與第二源極汲極端子及閘極之薄膜電晶體。閘極線可用於將閘極控制信號分配至每一列中的該等電晶體之閘極。垂直於該等閘極線延行之資料線可用於沿著像素行分配影像資料。該等閘極線可連接至平行於該等資料線延行之閘極線延伸件。該等資料線每一者可與該等閘極線延伸件中之一各別者重疊。介層孔可用於將該等閘極線延伸件連接至該等閘極線。該等閘極線延伸件可均具有相同之長度。
简体摘要：本发明系关于一种显示器，其可具有以多列及多行配置的像素之一数组。每一像素可具有用于控制与彼像素相关联之输出光之量之一晶体管。该等晶体管可为具有作用区、第一与第二源极汲极端子及闸极之薄膜晶体管。闸极线可用于将闸极控制信号分配至每一列中的该等晶体管之闸极。垂直于该等闸极线延行之数据线可用于沿着像素行分配影像数据。该等闸极线可连接至平行于该等数据线延行之闸极线延伸件。该等数据线每一者可与该等闸极线延伸件中之一各别者重叠。介层孔可用于将该等闸极线延伸件连接至该等闸极线。该等闸极线延伸件可均具有相同之长度。

6. 发明专利

TW201511256A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201511256A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103129082
申请日：2014-08-22
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG, SHIH CHANG , 洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 余承和 , YU, CHENG HO , 常鼎國 , CHANG, TING KUO , 詹西迪勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI, ABBAS , 林上智 , LIN, SHANG CHIH , 金孔武 , KIM, KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 李思賢 , LEE, SZU HSIEN , 陳昱丞 , CHEN, YU CHENG , 大沢裕史 , OSAWA, HIROSHI , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 林敬偉 , LIN, CHIN WEI , 崔幸源 , CHOI, JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI, TSUNG TING
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/7869
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

7. 发明专利

TW201405536A 用於電子顯示器之像素架構审中-公开
简体标题：用于电子显示器之像素架构
公开(公告)号：TW201405536A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102121241
申请日：2013-06-14
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 金孔武 , KIM, KYUNG WOOK , 張世昌 , CHANG, SHIH CHANG , 李思賢 , LEE, SZU HSIEN , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE
IPC分类号： G09G3/36
CPC分类号： G09G3/3648 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G09G2300/0426
摘要：一種用於針對一電子裝置提供一視覺或視訊輸出之電子顯示器。該電子裝置包括經組態以啟動一第一像素列及一第二像素列之一電晶體層。對於該第一像素列及該第二像素列中之每一像素，該電晶體層包括一開關電晶體、一像素電極及一共同電極。該電子裝置進一步包括用於選擇性地啟動每一像素之一像素控制器。該像素控制器包括一第一閘極線、一第一驅動線及一第二驅動線。在操作期間，該第一閘極線針對該第一像素列中之一第一像素且針對該第二像素列中之一第二像素將一電荷提供至該像素電極，且該第一驅動線針對該第一像素啟動該開關電晶體，且該第二驅動線針對該第二像素啟動該開關電晶體。
简体摘要：一种用于针对一电子设备提供一视觉或视频输出之电子显示器。该电子设备包括经组态以启动一第一像素列及一第二像素列之一晶体管层。对于该第一像素列及该第二像素列中之每一像素，该晶体管层包括一开关晶体管、一像素电极及一共同电极。该电子设备进一步包括用于选择性地启动每一像素之一像素控制器。该像素控制器包括一第一闸极线、一第一驱动线及一第二驱动线。在操作期间，该第一闸极线针对该第一像素列中之一第一像素且针对该第二像素列中之一第二像素将一电荷提供至该像素电极，且该第一驱动线针对该第一像素启动该开关晶体管，且该第二驱动线针对该第二像素启动该开关晶体管。

8. 发明专利

TWI688091B 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器有权
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TWI688091B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107119338
申请日：2014-08-22
申请人：美商蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG,SHIH-CHANG , 洪銘欽 , HUNG,MING-CHIN , 余承和 , YU,CHENG-HO , 常鼎國 , CHANG,TING-KUO , 詹西迪-勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI,ABBAS , 林上智 , LIN,SHANG-CHIH , 金孔武 , KIM,KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG,CHUN-YAO , 李思賢 , LEE,SZU-HSIEN , 陳昱丞 , CHEN,YU-CHENG , 大沢裕史 , OSAWA,HIROSHI , 朴英培 , PARK,YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA,VASUDHA , 林敬偉 , LIN,CHIN-WEI , 崔幸源 , CHOI,JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI,TSUNG-TING
IPC分类号： H01L27/32

9. 发明专利

TW201834238A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201834238A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107119338
申请日：2014-08-22
申请人：美商蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG,SHIH-CHANG , 洪銘欽 , HUNG,MING-CHIN , 余承和 , YU,CHENG-HO , 常鼎國 , CHANG,TING-KUO , 詹西迪-勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI,ABBAS , 林上智 , LIN,SHANG-CHIH , 金孔武 , KIM,KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG,CHUN-YAO , 李思賢 , LEE,SZU-HSIEN , 陳昱丞 , CHEN,YU-CHENG , 大沢裕史 , OSAWA,HIROSHI , 朴英培 , PARK,YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA,VASUDHA , 林敬偉 , LIN,CHIN-WEI , 崔幸源 , CHOI,JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI,TSUNG-TING
IPC分类号： H01L27/32
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

10. 发明专利

TWI570699B 具垂直閘極線延伸及最小化邊界之顯示器有权
简体标题：具垂直闸极线延伸及最小化边界之显示器
公开(公告)号：TWI570699B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104131945
申请日：2015-09-25
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 梁丙悳 , YANG, BYUNG DUK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 金景旭 , KIM, KYUNG WOOK , 張世昌 , CHANG, SHIH CHANG , 李思賢 , LEE, SZU HSIEN
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/1362 , H01L23/528 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L23/522
CPC分类号： G09G3/3648 , G02F1/13338 , G02F1/134309 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13456 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04104 , G06F2203/04112 , G09F9/30 , G09G3/3666 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2300/0413 , G09G2300/0426 , G09G2310/0281 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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