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1. 发明专利

TW201708144A 載體基板、積層體、電子裝置之製造方法审中-公开
简体标题：载体基板、积层体、电子设备之制造方法
公开(公告)号：TW201708144A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105120619
申请日：2016-06-29
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：小野和孝 , ONO, KAZUTAKA , 八百板隆俊 , YAOITA, TAKATOSHI , 臼井玲大 , USUI, REO , 江畑研一 , EBATA, KENICHI , 秋山順 , AKIYAMA, JUN
IPC分类号： C03C3/091 , B32B17/00 , B32B7/06 , H01L23/15 , H01L21/50
CPC分类号： H01L27/1266 , B32B7/12 , B32B17/00 , B32B17/10 , B32B38/10 , B32B43/006 , B32B2307/30 , B32B2307/308 , B32B2307/546 , B32B2307/734 , B32B2315/08 , B32B2457/00 , C03C3/091 , C03C17/22 , C03C17/23 , C03C17/30 , C03C17/32 , G02F1/133516 , G02F1/1341 , G02F1/1368 , G02F2001/13415 , G02F2202/104 , H01L21/6835 , H01L27/1222 , H01L27/1274 , H01L29/78672 , H01L2221/6835 , H01L2221/68386
摘要：本發明提供一種載體基板，其於再利用複數次而進行電子裝置之製造時電子裝置之製造良率亦優異。本發明係關於一種載體基板，其係於在基板之表面製造電子裝置用構件時貼合於該基板而使用者，載體基板至少包含第1玻璃基板，該第1玻璃基板之下述壓實度為80ppm以下。壓實度：將第1玻璃基板自室溫以100℃/小時升溫並於600℃下進行80分鐘之加熱處理後以100℃/小時冷卻至室溫之情形時之收縮率。
简体摘要：本发明提供一种载体基板，其于再利用复数次而进行电子设备之制造时电子设备之制造良率亦优异。本发明系关于一种载体基板，其系于在基板之表面制造电子设备用构件时贴合于该基板而用户，载体基板至少包含第1玻璃基板，该第1玻璃基板之下述压实度为80ppm以下。压实度：将第1玻璃基板自室温以100℃/小时升温并于600℃下进行80分钟之加热处理后以100℃/小时冷却至室温之情形时之收缩率。

2. 发明专利

TW201630180A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201630180A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105113335
申请日：2014-08-22
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG, SHIH CHANG , 洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 余承和 , YU, CHENG HO , 常鼎國 , CHANG, TING KUO , 詹西迪勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI, ABBAS , 林上智 , LIN, SHANG CHIH , 金孔武 , KIM, KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 李思賢 , LEE, SZU HSIEN , 陳昱丞 , CHEN, YU CHENG , 大沢裕史 , OSAWA, HIROSHI , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 林敬偉 , LIN, CHIN WEI , 崔幸源 , CHOI, JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI, TSUNG TING
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/7869
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

3. 发明专利

TWI514037B 液晶顯示器之加熱器有权
简体标题：液晶显示器之加热器
公开(公告)号：TWI514037B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW102140457
申请日：2007-04-04
申请人：寇平公司 , KOPIN CORPORATION
发明人：張琨 , ZHANG, KUN , 赫曼費德瑞克P , HERRMANN, FREDERICK P.
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/136 , H01L29/772
CPC分类号： G02F1/133382 , G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F2202/104 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G2300/0426 , G09G2320/041

4. 发明专利

TW201407234A 液晶顯示器之加熱器审中-公开
简体标题：液晶显示器之加热器
公开(公告)号：TW201407234A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102140457
申请日：2007-04-04
申请人：寇平公司 , KOPIN CORPORATION
发明人：張琨 , ZHANG, KUN , 赫曼費德瑞克P , HERRMANN, FREDERICK P.
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/136 , H01L29/772
CPC分类号： G02F1/133382 , G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F2202/104 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G2300/0426 , G09G2320/041
摘要：一種用於液晶顯示器(LCD)像素陣列之中的加熱器，其係使用一共用電壓多晶矽線路來供應熱能給該等像素單元，而並非使用主動控制電晶體輸入線路，諸如閘極輸入線路。此方式讓該顯示器可於預熱過程中被啟動。
简体摘要：一种用于液晶显示器(LCD)像素数组之中的加热器，其系使用一共享电压多晶硅线路来供应热能给该等像素单元，而并非使用主动控制晶体管输入线路，诸如闸极输入线路。此方式让该显示器可于预热过程中被启动。

5. 发明专利

TW201323367A 平面顯示器用玻璃基板及其製造方法审中-公开
简体标题：平面显示器用玻璃基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201323367A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW102107053
申请日：2012-06-29
申请人：安瀚視特股份有限公司 , AVANSTRATE INC.
发明人：小山昭浩 , KOYAMA, AKIHIRO , 阿美諭 , AMI, SATOSHI , 市川學 , ICHIKAWA, MANABU
IPC分类号： C03C3/076 , C03B3/02 , C03B17/06 , G02F1/1333
CPC分类号： C03C3/091 , C03C3/093 , G02F2001/133302 , G02F2202/104
摘要：本發明係提供一種包含應變點或玻璃轉移點所代表之低溫黏性範圍內之特性溫度較高、熱收縮率較小、且於利用直接通電加熱之熔解時可避免熔解槽熔損之問題發生之玻璃的p-Si．TFT平面顯示器用玻璃基板及其製造方法。本發明之玻璃基板包含含有52~78質量% SiO2、3~25質量% Al2O3、3~15質量% B2O3、3~25質量% RO(其中，RO為MgO、CaO、SrO及BaO之合量)、0.01~1質量% Fe2O3、0~0.3質量% Sb2O3，且實質上不含As2O3，質量比(SiO2+Al2O3)/B2O3為7~30之範圍，且質量比(SiO2+Al2O3)/RO為6以上之玻璃。本發明之玻璃基板之製造方法包括以下步驟：至少使用直接通電加熱熔解調合成上述玻璃組成之玻璃原料而獲得熔融玻璃之熔解步驟；將上述熔融玻璃成形為平板狀玻璃之成形步驟；以及緩冷上述平板狀玻璃之緩冷步驟。
简体摘要：本发明系提供一种包含应变点或玻璃转移点所代表之低温黏性范围内之特性温度较高、热收缩率较小、且于利用直接通电加热之熔解时可避免熔解槽熔损之问题发生之玻璃的p-Si．TFT平面显示器用玻璃基板及其制造方法。本发明之玻璃基板包含含有52~78质量% SiO2、3~25质量% Al2O3、3~15质量% B2O3、3~25质量% RO(其中，RO为MgO、CaO、SrO及BaO之合量)、0.01~1质量% Fe2O3、0~0.3质量% Sb2O3，且实质上不含As2O3，质量比(SiO2+Al2O3)/B2O3为7~30之范围，且质量比(SiO2+Al2O3)/RO为6以上之玻璃。本发明之玻璃基板之制造方法包括以下步骤：至少使用直接通电加热熔解调合成上述玻璃组成之玻璃原料而获得熔融玻璃之熔解步骤；将上述熔融玻璃成形为平板状玻璃之成形步骤；以及缓冷上述平板状玻璃之缓冷步骤。

6. 发明专利

TW200813539A 瞬間接通加熱器 INSTANT-ON HEATER 审中-公开
简体标题：瞬间接通加热器 INSTANT-ON HEATER
公开(公告)号：TW200813539A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096111982
申请日：2007-04-04
申请人：寇平公司 KOPIN CORPORATION
发明人：張琨 ZHANG, KUN , 費德瑞克P 赫曼 HERRMANN, FREDERICK P.
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： G02F1/133382 , G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F2202/104 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G2300/0426 , G09G2320/041
摘要：一種用於液晶顯示器(LCD)像素陣列之中的加熱器,其係使用一共用電壓多晶矽線路來供應熱能給該等像素單元,而並非使用主動控制電晶體輸入線路,諸如閘極輸入線路。此方式讓該顯示器可於預熱過程中被啓動。
简体摘要：一种用于液晶显示器(LCD)像素数组之中的加热器,其系使用一共享电压多晶硅线路来供应热能给该等像素单元,而并非使用主动控制晶体管输入线路,诸如闸极输入线路。此方式让该显示器可于预热过程中被启动。

7. 发明专利

TWI234673B 液晶顯示裝置用TFT陣列基板及其製造方法,以及使用該基板之液晶顯示裝置及其製造方法 TFT ARRAY SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE UTILIZING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：液晶显示设备用TFT数组基板及其制造方法,以及使用该基板之液晶显示设备及其制造方法 TFT ARRAY SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE UTILIZING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI234673B
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：TW088105119
申请日：1999-03-31
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：小川一文 , 足立和泰
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L21/02667 , G02F1/1368 , G02F2202/104 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要：本發明之目的在完成，不需要實施雷射退火，也能以低溫處理形成質地良好且大面積之聚矽層之方法，藉以提供，縱使畫面很大，仍少有顯示不均之高精細度之poly-si型TFT陣列基板。此目的可藉由，具有，在基板上形成，通道領域使用聚矽半導體層之poly-si型TFT之處理過程之液晶顯示裝置用TFT陣列基板之製造方法，來達成，該方法具有，對上述基板照射預先附加有能量將其激發之矽粒子使其堆積下來，令其在基板上堆積矽粒子之階段，形成聚矽層之聚矽層形成步驟。
简体摘要：本发明之目的在完成，不需要实施激光退火，也能以低温处理形成质地良好且大面积之聚硅层之方法，借以提供，纵使画面很大，仍少有显示不均之高精细度之poly-si型TFT数组基板。此目的可借由，具有，在基板上形成，信道领域使用聚硅半导体层之poly-si型TFT之处理过程之液晶显示设备用TFT数组基板之制造方法，来达成，该方法具有，对上述基板照射预先附加有能量将其激发之硅粒子使其堆积下来，令其在基板上堆积硅粒子之阶段，形成聚硅层之聚硅层形成步骤。

8. 发明专利

TW200303036A 用於液晶顯示器之薄膜電晶體基材及其製造方法 THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY(LCD)AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：用于液晶显示器之薄膜晶体管基材及其制造方法 THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY(LCD)AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200303036A
公开(公告)日：2003-08-16
申请号：TW092100918
申请日：2003-01-16
申请人：日進鑽石股份有限公司 ILJIN DIAMOND CO., LTD.
发明人：徐熙尚 SUH, HEE-SANG , 柳然赫 YOU,YEON-HEOK
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2202/104
摘要：本發明揭示一種薄膜電晶體基材，其具有一能保證根據資料電壓增加時會有足夠的儲存電容之電容器結構。該薄膜電晶體基材包括一安排在透明絕緣基材的毗連單元圖素間之黑色基質；在該黑色基質上形成的第一氧化物薄膜；在該第一氧化物薄膜上形成一經重摻雜之多晶矽層圖案。該黑色基質、該第一氧化物及該經重摻雜的多晶矽層圖案可形成一電容器。在該第一與第二氧化物薄膜上形成一活性多晶矽層圖案。在該活性多晶矽層圖案的曝露表面上形成一第三氧化物薄膜。在包含該第一接觸孔的第二氧化物薄膜上及在該第三氧化物薄膜的選擇區域上形成一複晶閘極圖案，其與該下層的重摻雜多晶矽層圖案電連接。
简体摘要：本发明揭示一种薄膜晶体管基材，其具有一能保证根据数据电压增加时会有足够的存储电容之电容器结构。该薄膜晶体管基材包括一安排在透明绝缘基材的毗连单元图素间之黑色基质；在该黑色基质上形成的第一氧化物薄膜；在该第一氧化物薄膜上形成一经重掺杂之多晶硅层图案。该黑色基质、该第一氧化物及该经重掺杂的多晶硅层图案可形成一电容器。在该第一与第二氧化物薄膜上形成一活性多晶硅层图案。在该活性多晶硅层图案的曝露表面上形成一第三氧化物薄膜。在包含该第一接触孔的第二氧化物薄膜上及在该第三氧化物薄膜的选择区域上形成一复晶闸极图案，其与该下层的重掺杂多晶硅层图案电连接。

9. 发明专利

TW540099B 液晶顯示用薄膜半導體元件及該製造方法有权
简体标题：液晶显示用薄膜半导体组件及该制造方法
公开(公告)号：TW540099B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090111739
申请日：2001-05-16
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：田村太久夫 , 尾形潔 , 高原洋一 , 山口裕功 , 木村嘉伸 , 大倉理 , 阿部廣伸 , 下村繁雄 , 齋藤雅和 , 高橋道子
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66757 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2202/104 , H01L29/78675
摘要：本發明可以實現結晶排向性高，且結晶粒徑之參差不齊較少，而且表面突起受到抑制之適合液晶顯示用途之多結晶矽膜。
為此，在照射雷射光進行結晶化處理之前，使用氟酸溶液完全去除形成在非晶質矽膜表面之自然氧化膜，接著，短時間浸泡在H2O2溶液中，使其在非晶質矽膜表面重新形成極薄膜之氧化膜。然後，經由此氧化膜施加雷射退火處理，形成在基板之表面略成平行之方向(111)優先排向之結晶粒子之集合體，結晶之平均粒徑在300 nm以下，其粒徑之標準偏差在平均結晶粒徑之30%以下，結晶表面凹凸之標準偏差在平均粒徑之10%以下之多結晶矽膜。
简体摘要：本发明可以实现结晶排向性高，且结晶粒径之参差不齐较少，而且表面突起受到抑制之适合液晶显示用途之多结晶硅膜。为此，在照射激光光进行结晶化处理之前，使用氟酸溶液完全去除形成在非晶质硅膜表面之自然氧化膜，接着，短时间浸泡在H2O2溶液中，使其在非晶质硅膜表面重新形成极薄膜之氧化膜。然后，经由此氧化膜施加激光退火处理，形成在基板之表面略成平行之方向(111)优先排向之结晶粒子之集合体，结晶之平均粒径在300 nm以下，其粒径之标准偏差在平均结晶粒径之30%以下，结晶表面凹凸之标准偏差在平均粒径之10%以下之多结晶硅膜。

10. 发明专利

TW422966B 圖像顯示裝置及其製造方法有权
简体标题：图像显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TW422966B
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：TW088110113
申请日：1999-06-16
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：秋元肇
IPC分类号： G09F , G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/1251 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2202/104 , G09G3/3648 , G09G2300/0408 , H01L27/1214
摘要：〔課題〕在應付多畫素化，而要提升周邊電路的性能時，很難針對周邊電路與畫素部TFT個別實施最佳設計。
〔解決手段〕上述課題，可以藉將畫素部之多的 TFT之閘極配置在構成通道之多晶矽薄膜的其中一側，且將周邊電路部之一部分的多矽TFT的閘極配置在構成通道之多晶矽薄膜的另一側而獲得解決。
简体摘要：〔课题〕在应付多像素化，而要提升周边电路的性能时，很难针对周边电路与像素部TFT个别实施最佳设计。〔解决手段〕上述课题，可以藉将像素部之多的 TFT之闸极配置在构成信道之多晶硅薄膜的其中一侧，且将周边电路部之一部分的多硅TFT的闸极配置在构成信道之多晶硅薄膜的另一侧而获得解决。

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