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1. 发明专利

TW202005080A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器及顯示像素审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器及显示像素
公开(公告)号：TW202005080A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108141613
申请日：2014-08-22
申请人：美商蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG, SHIH-CHANG , 洪銘欽 , HUNG, MING-CHIN , 余承和 , YU, CHENG-HO , 常鼎國 , CHANG, TING-KUO , 詹西迪-勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI, ABBAS , 林上智 , LIN, SHANG-CHIH , 金孔武 , KIM, KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN-YAO , 李思賢 , LEE, SZU-HSIEN , 陳昱丞 , CHEN, YU-CHENG , 大沢裕史 , OSAWA, HIROSHI , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 林敬偉 , LIN, CHIN-WEI , 崔幸源 , CHOI, JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI, TSUNG-TING
IPC分类号： H01L27/32 , G09G3/3225
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

2. 发明专利

TWI688091B 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器有权
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TWI688091B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107119338
申请日：2014-08-22
申请人：美商蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG,SHIH-CHANG , 洪銘欽 , HUNG,MING-CHIN , 余承和 , YU,CHENG-HO , 常鼎國 , CHANG,TING-KUO , 詹西迪-勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI,ABBAS , 林上智 , LIN,SHANG-CHIH , 金孔武 , KIM,KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG,CHUN-YAO , 李思賢 , LEE,SZU-HSIEN , 陳昱丞 , CHEN,YU-CHENG , 大沢裕史 , OSAWA,HIROSHI , 朴英培 , PARK,YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA,VASUDHA , 林敬偉 , LIN,CHIN-WEI , 崔幸源 , CHOI,JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI,TSUNG-TING
IPC分类号： H01L27/32

3. 发明专利

TW201834238A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201834238A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107119338
申请日：2014-08-22
申请人：美商蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG,SHIH-CHANG , 洪銘欽 , HUNG,MING-CHIN , 余承和 , YU,CHENG-HO , 常鼎國 , CHANG,TING-KUO , 詹西迪-勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI,ABBAS , 林上智 , LIN,SHANG-CHIH , 金孔武 , KIM,KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG,CHUN-YAO , 李思賢 , LEE,SZU-HSIEN , 陳昱丞 , CHEN,YU-CHENG , 大沢裕史 , OSAWA,HIROSHI , 朴英培 , PARK,YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA,VASUDHA , 林敬偉 , LIN,CHIN-WEI , 崔幸源 , CHOI,JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI,TSUNG-TING
IPC分类号： H01L27/32
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

4. 发明专利

TW201731095A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201731095A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106116789
申请日：2014-08-22
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG,SHIH-CHANG , 洪銘欽 , HUNG,MING-CHIN , 余承和 , YU,CHENG-HO , 常鼎國 , CHANG,TING-KUO , 詹西迪-勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI,ABBAS , 林上智 , LIN,SHANG-CHIH , 金孔武 , KIM,KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG,CHUN-YAO , 李思賢 , LEE,SZU-HSIEN , 陳昱丞 , CHEN,YU-CHENG , 大沢裕史 , OSAWA,HIROSHI , 朴英培 , PARK,YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA,VASUDHA , 林敬偉 , LIN,CHIN-WEI , 崔幸源 , CHOI,JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI,TSUNG-TING
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/7869
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

5. 发明专利

TWI520310B 背面通道蝕刻金屬氧化物薄膜電晶體及製程有权
简体标题：背面信道蚀刻金属氧化物薄膜晶体管及制程
公开(公告)号：TWI520310B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102121210
申请日：2013-06-14
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 張世昌 , CHANG, SHIH CHANG , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE
IPC分类号： H01L27/12 , H01L51/56 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H01L2227/323

6. 发明专利

TW201511256A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201511256A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103129082
申请日：2014-08-22
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG, SHIH CHANG , 洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 余承和 , YU, CHENG HO , 常鼎國 , CHANG, TING KUO , 詹西迪勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI, ABBAS , 林上智 , LIN, SHANG CHIH , 金孔武 , KIM, KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 李思賢 , LEE, SZU HSIEN , 陳昱丞 , CHEN, YU CHENG , 大沢裕史 , OSAWA, HIROSHI , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 林敬偉 , LIN, CHIN WEI , 崔幸源 , CHOI, JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI, TSUNG TING
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/7869
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

7. 发明专利

TW201403799A 背面通道蝕刻金屬氧化物薄膜電晶體及製程审中-公开
简体标题：背面信道蚀刻金属氧化物薄膜晶体管及制程
公开(公告)号：TW201403799A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102121210
申请日：2013-06-14
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 張世昌 , CHANG, SHIH CHANG , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE
IPC分类号： H01L27/12 , H01L51/56 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H01L2227/323
摘要：本發明提供一種用於製造一有機發光二極體(OLED)顯示器之方法。該方法包括形成一薄膜電晶體(TFT)基板，該薄膜電晶體(TFT)基板包括一第一金屬層及一第二金屬層。該方法亦包括在該第二金屬層之上沈積一第一鈍化層，及在一通道區域及一儲存電容器區域之上形成一第三金屬層。該第三金屬層經組態以連接至該第二金屬層之一第一部分，該第二金屬層經組態以在穿過一閘極絕緣體及該第一鈍化層之一第一通孔中連接至該第一金屬層。該方法進一步包括在該第三金屬層之上沈積一第二鈍化層，及在該第二鈍化層之上形成一陽極層。該陽極經組態以連接至該第三金屬層之一第二部分，該第三金屬層經組態以在該第一鈍化層及該第二鈍化層之一第二通孔中連接至該第二金屬層。
简体摘要：本发明提供一种用于制造一有机发光二极管(OLED)显示器之方法。该方法包括形成一薄膜晶体管(TFT)基板，该薄膜晶体管(TFT)基板包括一第一金属层及一第二金属层。该方法亦包括在该第二金属层之上沉积一第一钝化层，及在一信道区域及一存储电容器区域之上形成一第三金属层。该第三金属层经组态以连接至该第二金属层之一第一部分，该第二金属层经组态以在穿过一闸极绝缘体及该第一钝化层之一第一通孔中连接至该第一金属层。该方法进一步包括在该第三金属层之上沉积一第二钝化层，及在该第二钝化层之上形成一阳极层。该阳极经组态以连接至该第三金属层之一第二部分，该第三金属层经组态以在该第一钝化层及该第二钝化层之一第二通孔中连接至该第二金属层。

8. 发明专利

TW201630180A 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器审中-公开
简体标题：具有硅及半导电性氧化物薄膜晶体管之显示器
公开(公告)号：TW201630180A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105113335
申请日：2014-08-22
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：張栩常 , CHANG, SHIH CHANG , 洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 余承和 , YU, CHENG HO , 常鼎國 , CHANG, TING KUO , 詹西迪勞德巴利艾巴斯 , JAMSHIDI-ROUDBARI, ABBAS , 林上智 , LIN, SHANG CHIH , 金孔武 , KIM, KYUNG-WOOK , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 李思賢 , LEE, SZU HSIEN , 陳昱丞 , CHEN, YU CHENG , 大沢裕史 , OSAWA, HIROSHI , 朴英培 , PARK, YOUNG BAE , 古塔維蘇哈 , GUPTA, VASUDHA , 林敬偉 , LIN, CHIN WEI , 崔幸源 , CHOI, JAE WON , 蔡宗廷 , TSAI, TSUNG TING
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/7869
摘要：一電子裝置可包括具有在一基板上之顯示像素陣列的一顯示器。該等顯示像素可為有機發光二極體顯示像素或液晶顯示器中之顯示像素。在一有機發光二極體顯示器中，可形成混合薄膜電晶體結構，其包括半導電性氧化物薄膜電晶體、矽薄膜電晶體及電容器結構。該等電容器結構可重疊該等半導電性氧化物薄膜電晶體。有機發光二極體顯示像素可具有氧化物電晶體與矽電晶體之組合。在一液晶顯示器中，顯示驅動器電路可包括矽薄膜電晶體電路，且顯示像素可基於氧化物薄膜電晶體。閘極金屬之一單層或兩個不同層可用於形成矽電晶體閘極及氧化物電晶體閘極。一矽電晶體可具有重疊一浮動閘極結構之一閘極。
简体摘要：一电子设备可包括具有在一基板上之显示像素数组的一显示器。该等显示像素可为有机发光二极管显示像素或液晶显示器中之显示像素。在一有机发光二极管显示器中，可形成混合薄膜晶体管结构，其包括半导电性氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管及电容器结构。该等电容器结构可重叠该等半导电性氧化物薄膜晶体管。有机发光二极管显示像素可具有氧化物晶体管与硅晶体管之组合。在一液晶显示器中，显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路，且显示像素可基于氧化物薄膜晶体管。闸极金属之一单层或两个不同层可用于形成硅晶体管闸极及氧化物晶体管闸极。一硅晶体管可具有重叠一浮动闸极结构之一闸极。

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