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1. 发明专利

TWI520250B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI520250B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102110465
申请日：2013-03-25
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：桝原弘史 , MASUHARA, HIROFUMI , 新居健一郎 , ARAI, KENICHIRO , 宮城雅宏 , MIYAGI, MASAHIRO , 遠藤亨 , ENDO, TORU
IPC分类号： H01L21/67 , C30B33/08 , C30B33/10 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/30608 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L21/6715

2. 发明专利

TWI510682B 晶棒表面奈米化製程、晶圓製造方法及其晶圓有权
简体标题：晶棒表面奈米化制程、晶圆制造方法及其晶圆
公开(公告)号：TWI510682B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100145551
申请日：2011-12-09
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：錢俊逸 , CHYAN, JIUNN YIH , 李建志 , LI, JIAN JHIH , 楊昆霖 , YANG, KUN LIN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： C30B33/10
CPC分类号： H01L29/16 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/10 , Y10T428/24777

3. 发明专利

TWI697593B 用於執行濕蝕刻製程的系統及方法有权
简体标题：用于运行湿蚀刻制程的系统及方法
公开(公告)号：TWI697593B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW104135866
申请日：2015-10-30
申请人：美商維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：羅倫斯伊蓮娜 , LAWRENCE, ELENA , 斯威曼艾瑞克科特 , ZWIMMANN, ERIC KURT , 摩爾羅拉 , MAUER, LAURA , 泰迪約翰 , TADDEI, JOHN , 克拉克約翰 , CLARK, JOHN , 高伯格大衛A , GOLDBERG, DAVID A. , 俞科威茨強納森 , YUTKOWITZ, JONATHAN
IPC分类号： C30B33/08 , C30B33/10

4. 发明专利

TWI665344B 多晶黑矽PERC電池的拋光制絨方法有权
简体标题：多晶黑硅PERC电池的抛光制绒方法
公开(公告)号：TWI665344B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107110241
申请日：2018-03-26
申请人：中國大陸商常州時創能源科技有限公司 , CHANGZHOU SHICHUANG ENERGY TECHNOLOGY CO.,LTD.
发明人：章圓圓 , ZHANG, YUAN-YUAN , 裴銀強 , PEI, YIN-QIANG , 史文龍 , SHI, WEN-LONG , 錢恩亮 , QIAN, EN-LIANG
IPC分类号： C30B33/00 , C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/04

5. 发明专利

TWI501343B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI501343B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102109857
申请日：2013-03-20
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：三浦淳靖 , MIURA, ATSUYASU , 石井弘晃 , ISHII, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/67 , C30B33/08 , C30B33/10 , H01L21/3213
CPC分类号： B05B12/08 , B05D1/02 , B05D7/24 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67248

6. 发明专利

TW201416417A 單晶矽片制絨添加劑、制絨液及其制絨方法审中-公开
简体标题：单晶硅片制绒添加剂、制绒液及其制绒方法
公开(公告)号：TW201416417A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102148005
申请日：2013-12-24
申请人：常州時創能源科技有限公司
发明人：符黎明 , 陳培良
IPC分类号： C30B33/00 , C30B33/10
CPC分类号： H01L31/0236 , C30B19/00 , C30B19/12 , C30B29/06 , C30B29/54 , C30B33/10 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種單晶矽片制絨添加劑，其成分包括：聚乙二醇、苯甲酸鈉、檸檬酸、水解聚馬來酸酐(Hydrolyzed polymaleic anhydride)、乙酸鈉和餘量的水。本發明還提供一種用於單晶矽片制絨的制絨液，其含有鹼溶液和上述制絨添加劑，所述制絨添加劑與鹼溶液的質量比為0.2~5:100，所述鹼溶液為無機鹼或有機鹼的水溶液。本發明另提供一種單晶矽片的制絨方法，利用上述制絨液對單晶矽片進行表面制絨。上述單晶矽片制絨添加劑應用於單晶矽片的絨面製作時，不需要使用大量的異丙醇或乙醇，大量降低制絨液的化學需氧量，並且可以獲得均勻、細小、密集的絨面金字塔，因此，可以降低制絨成本，減少環境污染，有利於晶體矽太陽電池的製程穩定，具有較好的實用價值。
简体摘要：本发明提供一种单晶硅片制绒添加剂，其成分包括：聚乙二醇、苯甲酸钠、柠檬酸、水解聚马来酸酐(Hydrolyzed polymaleic anhydride)、乙酸钠和余量的水。本发明还提供一种用於单晶硅片制绒的制绒液，其含有碱溶液和上述制绒添加剂，所述制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.2~5:100，所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液。本发明另提供一种单晶硅片的制绒方法，利用上述制绒液对单晶硅片进行表面制绒。上述单晶硅片制绒添加剂应用於单晶硅片的绒面制作时，不需要使用大量的异丙醇或乙醇，大量降低制绒液的化学需氧量，并且可以获得均匀、细小、密集的绒面金字塔，因此，可以降低制绒成本，减少环境污染，有利于晶体硅太阳电池的制程稳定，具有较好的实用价值。

7. 发明专利

TW202027289A 發光元件用半導體基板之製造方法及發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件用半导体基板之制造方法及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW202027289A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138141
申请日：2019-10-23
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：石崎順也 , ISHIZAKI, JUN-YA
IPC分类号： H01L31/0392 , C30B29/42 , C30B33/10
摘要：本發明為一種發光元件用半導體基板之製造方法及發光元件之製造方法，該發光元件用半導體基板之製造方法包含：於初始基板上形成選擇蝕刻層之步驟；將第一半導體層、活性層及第二半導體層依序藉由磊晶成長而形成，形成發光部之步驟；將支持基板與該初始基板接合，使其成為接合基板之步驟；以及藉由以蝕刻將該選擇蝕刻層除去，而將該初始基板從該接合基板除去之步驟；該方法，準備接合面側具有呈凸形之翹曲的支持基板，藉由利用該支持基板之該翹曲將該選擇蝕刻層從該接合基板之外周部緩緩往內側蝕刻，而將該初始基板從該接合基板剝離。藉此，提供一種發光元件用半導體基板之製造方法，藉由僅將選擇蝕刻層選擇性地蝕刻而將初始基板從磊晶功能層剝離，藉以使初始基板成為可再利用，可追求低成本化。
简体摘要：本发明为一种发光组件用半导体基板之制造方法及发光组件之制造方法，该发光组件用半导体基板之制造方法包含：于初始基板上形成选择蚀刻层之步骤；将第一半导体层、活性层及第二半导体层依序借由磊晶成长而形成，形成发光部之步骤；将支持基板与该初始基板接合，使其成为接合基板之步骤；以及借由以蚀刻将该选择蚀刻层除去，而将该初始基板从该接合基板除去之步骤；该方法，准备接合面侧具有呈凸形之翘曲的支持基板，借由利用该支持基板之该翘曲将该选择蚀刻层从该接合基板之外周部缓缓往内侧蚀刻，而将该初始基板从该接合基板剥离。借此，提供一种发光组件用半导体基板之制造方法，借由仅将选择蚀刻层选择性地蚀刻而将初始基板从磊晶功能层剥离，借以使初始基板成为可再利用，可追求低成本化。

8. 发明专利

TWI666353B 針對矽晶圓之製絨方法及執行該方法之製絨設備有权
简体标题：针对硅晶圆之制绒方法及运行该方法之制绒设备
公开(公告)号：TWI666353B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107100223
申请日：2018-01-03
申请人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN , 蔡弼丞 , TSAI, PI CHEN , 楊家福 , YANG, CHIA FU , 許曉萍 , HSU, HSIAO PING
IPC分类号： C30B33/10 , C30B35/00

9. 发明专利

TW201843361A 多晶矽破碎物的製造方法、及管理多晶矽破碎物的表面金屬濃度的方法审中-公开
简体标题：多晶硅破碎物的制造方法、及管理多晶硅破碎物的表面金属浓度的方法
公开(公告)号：TW201843361A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107113703
申请日：2018-04-23
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：西村茂樹 , NISHIMURA, SHIGEKI
IPC分类号： C30B33/10 , C30B29/06
摘要：本發明是關於一種多晶矽破碎物的製造方法，其包含：以西門子法製造多晶矽棒的步驟；將該多晶矽棒破碎，得到多晶矽破碎物的步驟；及在清洗槽內蝕刻多晶矽破碎物的清洗步驟，在該清洗步驟，使具有控制的形狀及尺寸的多晶矽小片群存在於清洗槽內，測定該多晶矽小片群在蝕刻處理前後的重量變化，管理清洗步驟的多晶矽破碎物的製造方法。此外，本發明是關於管理多晶矽破碎物的表面金屬濃度的方法。
简体摘要：本发明是关于一种多晶硅破碎物的制造方法，其包含：以西门子法制造多晶硅棒的步骤；将该多晶硅棒破碎，得到多晶硅破碎物的步骤；及在清洗槽内蚀刻多晶硅破碎物的清洗步骤，在该清洗步骤，使具有控制的形状及尺寸的多晶硅小片群存在于清洗槽内，测定该多晶硅小片群在蚀刻处理前后的重量变化，管理清洗步骤的多晶硅破碎物的制造方法。此外，本发明是关于管理多晶硅破碎物的表面金属浓度的方法。

10. 发明专利

TW201615905A 用於執行濕蝕刻製程的系統及方法审中-公开
简体标题：用于运行湿蚀刻制程的系统及方法
公开(公告)号：TW201615905A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104135866
申请日：2015-10-30
申请人：維克精密表面處理股份有限公司 , VEECO PRECISION SURFACE PROCESSING LLC
发明人：羅倫斯伊蓮娜 , LAWRENCE, ELENA , 斯威曼艾瑞克科特 , ZWIMMANN, ERIC KURT , 摩爾羅拉 , MAUER, LAURA , 泰迪約翰 , TADDEI, JOHN , 克拉克約翰 , CLARK, JOHN , 高伯格大衛A , GOLDBERG, DAVID A. , 俞科威茨強納森 , YUTKOWITZ, JONATHAN
IPC分类号： C30B33/08 , C30B33/10
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/67046 , H01L21/6708 , H01L21/76898 , H01L22/20
摘要：本發明係揭露一種用於執行一濕蝕刻製程之系統及方法。該系統包含可由一轉移裝置接達之多個處理站，該等處理站包含一測量站，其於該製程中在每一蝕刻步驟之前與之後光學測量一晶圓的厚度。該系統亦包含一控制器，其鑒於一目標晶圓輪廓而分析該厚度量測結果，並動態地即時產生用於每一蝕刻步驟之一蝕刻配方。此外，該製程控制器可促使一單一晶圓濕蝕刻站根據所產生的蝕刻配方蝕刻晶圓。此外，該系統可基於該預蝕刻與後蝕刻厚度量測結果及該目標蝕刻輪廓，產生及/或改良該等蝕刻配方。
简体摘要：本发明系揭露一种用于运行一湿蚀刻制程之系统及方法。该系统包含可由一转移设备接达之多个处理站，该等处理站包含一测量站，其于该制程中在每一蚀刻步骤之前与之后光学测量一晶圆的厚度。该系统亦包含一控制器，其鉴于一目标晶圆轮廓而分析该厚度量测结果，并动态地实时产生用于每一蚀刻步骤之一蚀刻配方。此外，该制程控制器可促使一单一晶圆湿蚀刻站根据所产生的蚀刻配方蚀刻晶圆。此外，该系统可基于该预蚀刻与后蚀刻厚度量测结果及该目标蚀刻轮廓，产生及/或改良该等蚀刻配方。

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