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1. 发明专利

TW201712860A 橫向超級接面金氧半場效電晶體元件及端接結構审中-公开
简体标题：横向超级接面金氧半场效应管组件及端接结构
公开(公告)号：TW201712860A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105118344
申请日：2016-06-13
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：博多馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 帕德馬納班凱西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7823 , H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1079 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/4175 , H01L29/41766 , H01L29/66681 , H01L29/66712 , H01L29/7809 , H01L29/7811 , H01L29/7816
摘要：本發明涉及一種金氧半場效電晶體(MOSFET)元件及端接結構，尤其涉及一種橫向超級接面金氧半場效電晶體元件及端接結構；一種橫向超級接面金氧半場效電晶體元件包括一個閘極結構、一個連接到橫向超級接面結構的第一立柱以及一個緊靠第一立柱的第二立柱。該橫向超級接面金氧半場效電晶體元件包括第一立柱，當金氧半場效電晶體接通時接收來自通道的電流，並將電流分配至橫向超級接面結構，用作汲極漂流區。位於第一立柱附近的第二立柱用於當金氧半場效電晶體元件斷開時，夾斷第一立柱，防止金氧半場效電晶體元件在汲極端承受的高電壓接觸閘極結構。在一些實施例中，橫向超級接面金氧半場效電晶體元件還包括用於汲極、源極以及本體接觸摻雜區梳的端接結構。
简体摘要：本发明涉及一种金氧半场效应管(MOSFET)组件及端接结构，尤其涉及一种横向超级接面金氧半场效应管组件及端接结构；一种横向超级接面金氧半场效应管组件包括一个闸极结构、一个连接到横向超级接面结构的第一立柱以及一个紧靠第一立柱的第二立柱。该横向超级接面金氧半场效应管组件包括第一立柱，当金氧半场效应管接通时接收来自信道的电流，并将电流分配至横向超级接面结构，用作汲极漂流区。位于第一立柱附近的第二立柱用于当金氧半场效应管组件断开时，夹断第一立柱，防止金氧半场效应管组件在汲极端承受的高电压接触闸极结构。在一些实施例中，横向超级接面金氧半场效应管组件还包括用于汲极、源极以及本体接触掺杂区梳的端接结构。

3. 发明专利

TWI411097B 高電壓半導體裝置中的積體肖特基二極體有权
简体标题：高电压半导体设备中的积体肖特基二极管
公开(公告)号：TWI411097B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW099129122
申请日：2010-08-30
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 博多馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 朱廷剛 , ZHU, TINGGANG
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/66712 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/66325 , H01L29/7395 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/872

4. 发明专利

TWI618154B 用於製備橫向超級接面結構的方法有权
简体标题：用于制备横向超级接面结构的方法
公开(公告)号：TWI618154B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105118346
申请日：2016-06-13
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：博多馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 帕德馬納班凱西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/26513 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/7818

5. 发明专利

TWI613732B 溝槽式MOSFET及其製備方法有权
简体标题：沟槽式MOSFET及其制备方法
公开(公告)号：TWI613732B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105130535
申请日：2016-09-22
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：王曉彬 , WANG, XIAOBIN , 博多馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 索拉普保羅 , THORUP, PAUL
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/772
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/265 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L29/7813

6. 发明专利

TW201801186A 溝槽式MOSFET及其製備方法审中-公开
简体标题：沟槽式MOSFET及其制备方法
公开(公告)号：TW201801186A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105130535
申请日：2016-09-22
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：王曉彬 , WANG, XIAOBIN , 博多馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 索拉普保羅 , THORUP, PAUL
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/772
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/265 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：本發明涉及一種溝槽式MOSFET，包括第一導電類型的半導體襯底；設於半導體襯底的第一預設區中的多個並排設置的呈現為條狀的第一溝槽，其長度方向沿著第一方向延伸；設於半導體襯底的第二預設區中的多個並排設置的呈現為條狀的第二溝槽，其長度方向沿著與第一方向相垂直的第二方向延伸；位於第一、第二溝槽內的控制閘極，和形成在第一、第二溝槽側壁附近的半導體襯底中的第二導電類型的本體區，及形成在本體區頂部的第一導電類型的源極區。
简体摘要：本发明涉及一种沟槽式MOSFET，包括第一导电类型的半导体衬底；设于半导体衬底的第一默认区中的多个并排设置的呈现为条状的第一沟槽，其长度方向沿着第一方向延伸；设于半导体衬底的第二默认区中的多个并排设置的呈现为条状的第二沟槽，其长度方向沿着与第一方向相垂直的第二方向延伸；位于第一、第二沟槽内的控制闸极，和形成在第一、第二沟槽侧壁附近的半导体衬底中的第二导电类型的本体区，及形成在本体区顶部的第一导电类型的源极区。

7. 发明专利

TW201701362A 用於製備橫向超級接面結構的方法审中-公开
简体标题：用于制备横向超级接面结构的方法
公开(公告)号：TW201701362A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105118346
申请日：2016-06-13
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：博多馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 帕德馬納班凱西克 , PADMANABHAN, KARTHIK , 耶爾馬茲哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/26513 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/7818
摘要：本發明涉及一種用於製備超級接面結構的方法，尤其涉及一種用於製備橫向超級接面結構的方法；一種在半導體元件中製備橫向超級接面結構的製備方法，使用N和P型離子注入到基極外延層中。在一些實施例中，基極外延層為本征外延層或輕摻雜外延層。該方法同時將N和P型離子注入到基極外延層中。連續重複進行外延和注入工藝，在半導體基極層上製備多個注入的基極外延層。形成所需數量的注入基極外延層之後，對半導體結構退火，形成含有交替N和P型薄半導體區的橫向超級接面結構。確切地說，通過離子注入工藝和後續的退火，製成交替的N和P型薄超級接面層。本發明所述的製備方法，確保在橫向超級接面元件中實現良好的電荷控制。
简体摘要：本发明涉及一种用于制备超级接面结构的方法，尤其涉及一种用于制备横向超级接面结构的方法；一种在半导体组件中制备横向超级接面结构的制备方法，使用N和P型离子注入到基极外延层中。在一些实施例中，基极外延层为本征外延层或轻掺杂外延层。该方法同时将N和P型离子注入到基极外延层中。连续重复进行外延和注入工艺，在半导体基极层上制备多个注入的基极外延层。形成所需数量的注入基极外延层之后，对半导体结构退火，形成含有交替N和P型薄半导体区的横向超级接面结构。确切地说，通过离子注入工艺和后续的退火，制成交替的N和P型薄超级接面层。本发明所述的制备方法，确保在横向超级接面组件中实现良好的电荷控制。

8. 发明专利

TWI429051B 具有對稱擊穿電壓的暫態電壓抑制器及其製備方法有权
简体标题：具有对称击穿电压的暂态电压抑制器及其制备方法
公开(公告)号：TWI429051B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099113694
申请日：2010-04-29
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 博多馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04 , H01L21/77
CPC分类号： H01L29/861 , H01L27/0259 , H01L29/10 , H01L29/6609

9. 发明专利

TW201044541A 具有對稱擊穿電壓的暫態電壓抑制器 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR HAVING SYMMETRICAL BREAKDOWN VOLTAGES 审中-公开
简体标题：具有对称击穿电压的暂态电压抑制器 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR HAVING SYMMETRICAL BREAKDOWN VOLTAGES
公开(公告)号：TW201044541A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099113694
申请日：2010-04-29
申请人：萬國半導體股份有限公司
发明人：管靈鵬 , 博多馬督兒 , 叭剌安荷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/861 , H01L27/0259 , H01L29/10 , H01L29/6609
摘要：一種垂直暫態電壓抑制器(TVS)裝置,包括一個第一導電類型的重摻雜的半導體襯底、一個形成在襯底上具有第一厚度的第一導電類型的外延層,一個形成在外延層中、位於外延層的中間區域的第二導電類型的基極區。此基極區和外延層在基極區的兩邊提供一個基本對稱的垂直摻雜結構。在一個實施例中,通過高能植入,形成此基極區。在另一個實施例中,將此基極區作為一個掩埋層。選取合適的外延層和基極區的摻雜濃度,將暫態電壓抑制器(TVS)裝置配置成一個基於穿通二極體的暫態電壓抑制器(TVS)或一個雪崩模式暫態電壓抑制器(TVS)。
简体摘要：一种垂直暂态电压抑制器(TVS)设备,包括一个第一导电类型的重掺杂的半导体衬底、一个形成在衬底上具有第一厚度的第一导电类型的外延层,一个形成在外延层中、位于外延层的中间区域的第二导电类型的基极区。此基极区和外延层在基极区的两边提供一个基本对称的垂直掺杂结构。在一个实施例中,通过高能植入,形成此基极区。在另一个实施例中,将此基极区作为一个掩埋层。选取合适的外延层和基极区的掺杂浓度,将暂态电压抑制器(TVS)设备配置成一个基于穿通二极管的暂态电压抑制器(TVS)或一个雪崩模式暂态电压抑制器(TVS)。

10. 发明专利

TW201110318A 高電壓半導體裝置中的積體肖特基二極體 INTEGRATED SCHOTTKY DIODE IN HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：高电压半导体设备中的积体肖特基二极管 INTEGRATED SCHOTTKY DIODE IN HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201110318A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099129122
申请日：2010-08-30
申请人：萬國半導體股份有限公司
发明人：管靈鵬 , 叭剌安荷 , 博多馬督兒 , 朱廷剛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66712 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/66325 , H01L29/7395 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/872
摘要：本發明提出了一種在由有源元件區和終止區構成的半導體襯底中製備半導體功率裝置的方法。該方法包括:在半導體襯底頂面上的終止區和有源組件區中,生長場氧化層,並形成圖案;在遠離場氧化層一段縫隙區域的半導體襯底的頂面上,設置一個多晶矽層,並形成圖案;通過空白的本體摻雜植入,在半導體襯底中形成本體摻雜區,與縫隙區充分對齊,然後將本體摻雜區擴散到半導體襯底中的本體區;植入包圍著本體區的高濃度本體摻雜區,其摻雜濃度比本體區的摻雜濃度還高;以及利用源極掩膜植入源極區,源極區的導電類型與本體區相反,源極區包圍在本體區中,並被高濃度的本體摻雜區包圍著。
简体摘要：本发明提出了一种在由有源组件区和终止区构成的半导体衬底中制备半导体功率设备的方法。该方法包括:在半导体衬底顶面上的终止区和有源组件区中,生长场氧化层,并形成图案;在远离场氧化层一段缝隙区域的半导体衬底的顶面上,设置一个多晶硅层,并形成图案;通过空白的本体掺杂植入,在半导体衬底中形成本体掺杂区,与缝隙区充分对齐,然后将本体掺杂区扩散到半导体衬底中的本体区;植入包围着本体区的高浓度本体掺杂区,其掺杂浓度比本体区的掺杂浓度还高;以及利用源极掩膜植入源极区,源极区的导电类型与本体区相反,源极区包围在本体区中,并被高浓度的本体掺杂区包围着。

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