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2. 发明专利

TW201741489A 膜形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW201741489A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106115213
申请日：2017-05-09
申请人：菲爾科技股份有限公司 , PHILTECH INC.
发明人：古村雄二 , FURUMURA, YUJI , 清水紀嘉 , SHIMIZU, NORIYOSHI , 西原晋治 , NISHIHARA, SHINJI , 拝形英里 , HAIKATA, ERI , 石川真人 , ISHIKAWA, MASATO
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/30 , C23C16/403 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , G02F1/133345 , G02F2201/501 , H01L31/02167 , H01L51/5253 , Y02E10/50
摘要：本發明的目的係提供一種在室溫下高速地且被覆性優異地將化合物膜加以成膜之方法。本發明係關於一種膜形成方法，其係具備有積蓄機構、瞬間加熱部及反應室之膜形成裝置的膜形成方法，前述積蓄機構係各自積蓄第一原料氣體與第二原料氣體；前述瞬間加熱部係將前述第一原料氣體與前述第二原料氣體加熱；前述反應室係放置有溫度比前述瞬間加熱部之加熱溫度還低溫之基體，且前述膜形成方法係包含：使積蓄於積蓄機構的第一原料氣體與第二原料氣體通過瞬間加熱部，並生成第一氣體分子物種與第二氣體分子物種，且使該第一氣體分子物種與該第二氣體分子物種突出並供給至放置有基體且減壓後之具有一定容量的反應室，使得第一氣體分子物種的分壓與第二氣體分子物種的分壓急速上昇，而將第一氣體分子物種或第二氣體分子物種交互地重複引導至基體的表面，且使第一氣體分子物種或第二氣體分子物種反應，並於基體的表面形成化合物膜。
简体摘要：本发明的目的系提供一种在室温下高速地且被覆性优异地将化合物膜加以成膜之方法。本发明系关于一种膜形成方法，其系具备有积蓄机构、瞬间加热部及反应室之膜形成设备的膜形成方法，前述积蓄机构系各自积蓄第一原料气体与第二原料气体；前述瞬间加热部系将前述第一原料气体与前述第二原料气体加热；前述反应室系放置有温度比前述瞬间加热部之加热温度还低温之基体，且前述膜形成方法系包含：使积蓄于积蓄机构的第一原料气体与第二原料气体通过瞬间加热部，并生成第一气体分子物种与第二气体分子物种，且使该第一气体分子物种与该第二气体分子物种突出并供给至放置有基体且减压后之具有一定容量的反应室，使得第一气体分子物种的分压与第二气体分子物种的分压急速上升，而将第一气体分子物种或第二气体分子物种交互地重复引导至基体的表面，且使第一气体分子物种或第二气体分子物种反应，并于基体的表面形成化合物膜。

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