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1. 发明专利

TWI503842B 電阻式記憶體裝置及其記憶胞有权
简体标题：电阻式内存设备及其记忆胞
公开(公告)号：TWI503842B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW102143476
申请日：2013-11-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI , 蘇源茂 , SU, YUAN MOU , 蘇畫羽 , SU, HUA-YU , 金寧泰 , KIM, YOUNG-TAE , 柳德鉉 , RYU, DOUK-HYOUN
IPC分类号： G11C8/08

2. 发明专利

TWI579862B 記憶體裝置有权
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TWI579862B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104135408
申请日：2015-10-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：蘇源茂 , SU, YUAN MOU , 賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： G11C7/24 , G11C29/04

3. 发明专利

TW201715522A 記憶體裝置审中-公开
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TW201715522A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104135408
申请日：2015-10-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：蘇源茂 , SU, YUAN MOU , 賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： G11C7/24 , G11C29/04
摘要：一種記憶體裝置，包括多數個備援記憶列、多數個備援狀態區塊以及邏輯運算單元。備援狀態區塊分別對應多數個檢測程序。各備援狀態區塊包括多數個記憶位元組。記憶位元組分別對應備援記憶列，並用以記憶對應的檢測程序所產生的對應的備援記憶列的使用狀態。邏輯運算單元依據檢測程序中相對早的至少一第一檢測程序所產生的對應的備援記憶列的使用狀態來產生至少一遮罩信號。遮罩信號用以遮罩檢測程序中相對晚的至少一第二檢測程序中所可以使用的備援記憶列。
简体摘要：一种内存设备，包括多数个备援记忆列、多数个备援状态区块以及逻辑运算单元。备援状态区块分别对应多数个检测进程。各备援状态区块包括多数个记忆字节。记忆字节分别对应备援记忆列，并用以记忆对应的检测进程所产生的对应的备援记忆列的使用状态。逻辑运算单元依据检测进程中相对早的至少一第一检测进程所产生的对应的备援记忆列的使用状态来产生至少一遮罩信号。遮罩信号用以遮罩检测进程中相对晚的至少一第二检测进程中所可以使用的备援记忆列。

4. 发明专利

TW201521039A 電阻式記憶體裝置及其記憶胞审中-公开
简体标题：电阻式内存设备及其记忆胞
公开(公告)号：TW201521039A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102143476
申请日：2013-11-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI , 蘇源茂 , SU, YUAN MOU , 蘇畫羽 , SU, HUA-YU , 金寧泰 , KIM, YOUNG-TAE , 柳德鉉 , RYU, DOUK-HYOUN
IPC分类号： G11C8/08
摘要：一種電阻式記憶體裝置及其記憶胞。電阻式記憶胞包括第一電晶體、第二電晶體、第一電阻以及第二電阻。第一電晶體的第一端及第二端分別耦接至第一位元線及參考電壓。第二電晶體的第一端及第二端分別耦接至第二位元線及參考電壓。第一電阻串接在第一電晶體的第一端及第一位元線的耦接路徑間或串接在第一電晶體的第二端及參考電壓的耦接路徑間。第二電阻串接在第二電晶體的第一端及第二位元線的耦接路徑間或串接在第二電晶體的第二端及參考電壓的耦接路徑間。
简体摘要：一种电阻式内存设备及其记忆胞。电阻式记忆胞包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻以及第二电阻。第一晶体管的第一端及第二端分别耦接至第一比特线及参考电压。第二晶体管的第一端及第二端分别耦接至第二比特线及参考电压。第一电阻串接在第一晶体管的第一端及第一比特线的耦接路径间或串接在第一晶体管的第二端及参考电压的耦接路径间。第二电阻串接在第二晶体管的第一端及第二比特线的耦接路径间或串接在第二晶体管的第二端及参考电压的耦接路径间。

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