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1. 发明专利

TW201715522A 記憶體裝置审中-公开
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TW201715522A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104135408
申请日：2015-10-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：蘇源茂 , SU, YUAN MOU , 賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： G11C7/24 , G11C29/04
摘要：一種記憶體裝置，包括多數個備援記憶列、多數個備援狀態區塊以及邏輯運算單元。備援狀態區塊分別對應多數個檢測程序。各備援狀態區塊包括多數個記憶位元組。記憶位元組分別對應備援記憶列，並用以記憶對應的檢測程序所產生的對應的備援記憶列的使用狀態。邏輯運算單元依據檢測程序中相對早的至少一第一檢測程序所產生的對應的備援記憶列的使用狀態來產生至少一遮罩信號。遮罩信號用以遮罩檢測程序中相對晚的至少一第二檢測程序中所可以使用的備援記憶列。
简体摘要：一种内存设备，包括多数个备援记忆列、多数个备援状态区块以及逻辑运算单元。备援状态区块分别对应多数个检测进程。各备援状态区块包括多数个记忆字节。记忆字节分别对应备援记忆列，并用以记忆对应的检测进程所产生的对应的备援记忆列的使用状态。逻辑运算单元依据检测进程中相对早的至少一第一检测进程所产生的对应的备援记忆列的使用状态来产生至少一遮罩信号。遮罩信号用以遮罩检测进程中相对晚的至少一第二检测进程中所可以使用的备援记忆列。

2. 发明专利

TWI549207B 晶圓及其測試方法有权
简体标题：晶圆及其测试方法
公开(公告)号：TWI549207B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103123115
申请日：2014-07-04
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： H01L21/66

3. 发明专利

TWI523421B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI523421B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103118660
申请日：2014-05-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： H03K19/003

4. 发明专利

TW201603156A 晶圓及其測試方法审中-公开
简体标题：晶圆及其测试方法
公开(公告)号：TW201603156A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103123115
申请日：2014-07-04
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： H01L21/66
摘要：本發明提供一種晶圓，包括：第一晶片；第二晶片，與第一晶片併排設置，其中第一晶片與第二晶片之相對側各具有相對應之多個第一晶片導電墊與多個第二晶片導電墊；及多個第一外部導電墊，設於第一晶片與第二晶片之間，且每一個第一外部導電墊與相對應之第一晶片導電墊及第二晶片導電墊電性連接。本發明亦提供此晶圓之測試方法。
简体摘要：本发明提供一种晶圆，包括：第一芯片；第二芯片，与第一芯片并排设置，其中第一芯片与第二芯片之相对侧各具有相对应之多个第一芯片导电垫与多个第二芯片导电垫；及多个第一外部导电垫，设于第一芯片与第二芯片之间，且每一个第一外部导电垫与相对应之第一芯片导电垫及第二芯片导电垫电性连接。本发明亦提供此晶圆之测试方法。

5. 发明专利

TW201442036A 電源處理裝置以及方法审中-公开
简体标题：电源处理设备以及方法
公开(公告)号：TW201442036A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102114761
申请日：2013-04-25
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： G11C5/14
摘要：一種電源處理裝置，適用於記憶體裝置，其中記憶體裝置包括第一記憶體單元以及第二記憶體單元，包括：第一電壓調節器、第二電壓調節器以及控制器。第一電壓調節器接收外部供應電源之供應電壓，並提供第一內部電壓至第一記憶體單元；第二電壓調節器，接收外部供應電源之供應電壓，並提供第二內部電壓至第二記憶體單元；控制器根據控制信號獨立地致能或失能第一電壓調節器以及第二電壓調節器。
简体摘要：一种电源处理设备，适用于内存设备，其中内存设备包括第一内存单元以及第二内存单元，包括：第一电压调节器、第二电压调节器以及控制器。第一电压调节器接收外部供应电源之供应电压，并提供第一内部电压至第一内存单元；第二电压调节器，接收外部供应电源之供应电压，并提供第二内部电压至第二内存单元；控制器根据控制信号独立地致能或失能第一电压调节器以及第二电压调节器。

6. 发明专利

TWI579862B 記憶體裝置有权
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TWI579862B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104135408
申请日：2015-10-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：蘇源茂 , SU, YUAN MOU , 賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： G11C7/24 , G11C29/04

7. 发明专利

TWI524230B 可攜式電子裝置及其觸碰偵測方法有权
简体标题：可携式电子设备及其触碰侦测方法
公开(公告)号：TWI524230B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103113688
申请日：2014-04-15
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： G06F3/041

8. 发明专利

TWI486958B 熔絲偵測電路有权
简体标题：熔丝侦测电路
公开(公告)号：TWI486958B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW101106859
申请日：2012-03-02
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18

9. 发明专利

TW201337934A 熔絲偵測電路审中-公开
简体标题：熔丝侦测电路
公开(公告)号：TW201337934A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101106859
申请日：2012-03-02
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
摘要：一種熔絲偵測電路，包括預充電開關、偵測開關、第一緩衝器、第二緩衝器以及熔絲。預充電開關依據預充信號以導通或斷開。偵測開關受控於偵測信號以導通或斷開。第一緩衝器的輸入端接收輸出信號，第一緩衝器依據輸出信號以在其輸出端產生等於參考電源或熔絲連接端上的電壓的緩衝信號。第二緩衝器接收並依據緩衝信號產生等於參考電源或參考接地電壓的輸出信號。
简体摘要：一种熔丝侦测电路，包括预充电开关、侦测开关、第一缓冲器、第二缓冲器以及熔丝。预充电开关依据预充信号以导通或断开。侦测开关受控于侦测信号以导通或断开。第一缓冲器的输入端接收输出信号，第一缓冲器依据输出信号以在其输出端产生等于参考电源或熔丝连接端上的电压的缓冲信号。第二缓冲器接收并依据缓冲信号产生等于参考电源或参考接地电压的输出信号。

10. 发明专利

TW201545478A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201545478A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103118660
申请日：2014-05-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：賴志菁 , LAI, CHIH JING
IPC分类号： H03K19/003
摘要：一種半導體裝置，包括多個熔絲閂鎖電路、一電壓監視電路及一閂鎖控制電路。熔絲閂鎖電路依序傳遞一第一控制電壓及一第二控制電壓。熔絲閂鎖電路分別依據一熔絲開關的導通狀態決定一預設資料電壓，並且分別依據第一控制電壓及第二控制電壓輸出對應的預設資料電壓。電壓監視電路接收這些熔絲閂鎖電路所傳送的第一控制電壓及第二控制電壓，且對應地提供一控制回饋電壓。閂鎖控制電路提供第一控制電壓至這些熔絲閂鎖電路，並且依據控制回饋電壓提供第二控制電壓至這些熔絲閂鎖電路。
简体摘要：一种半导体设备，包括多个熔丝闩锁电路、一电压监视电路及一闩锁控制电路。熔丝闩锁电路依序传递一第一控制电压及一第二控制电压。熔丝闩锁电路分别依据一熔丝开关的导通状态决定一默认数据电压，并且分别依据第一控制电压及第二控制电压输出对应的默认数据电压。电压监视电路接收这些熔丝闩锁电路所发送的第一控制电压及第二控制电压，且对应地提供一控制回馈电压。闩锁控制电路提供第一控制电压至这些熔丝闩锁电路，并且依据控制回馈电压提供第二控制电压至这些熔丝闩锁电路。

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