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1. 发明专利

TW201502853A 可認證的非揮發性記憶體元件及其操作及製造方法审中-公开
简体标题：可认证的非挥发性内存组件及其操作及制造方法
公开(公告)号：TW201502853A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW102125048
申请日：2013-07-12
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI , 謝加千卓克里希納 , SHEKAR, KRISHNA CHANDRA , 陳暉 , CHEN, HUI
IPC分类号： G06F21/71 , G06F21/79
摘要：記憶體元件封裝封住兩個分開的晶片，一個是標準的非揮發性記憶體積體電路(“IC”)晶片，及另一個是合適的認證IC晶片。任一晶片可堆疊於另一晶片上，或晶片可並排放置。外部接點可對應標準的非揮發性記憶體IC晶片的電源及信號需求，使得記憶體元件封裝之輸出-引腳可表示為標準的輸出引腳。認證IC晶片之電源及信號需求可滿足用於非揮發性記憶體積體電路晶片之一些或全部引腳，或滿足元件封裝之其他未使用之引腳。一或多個額外外部接點可專門加入於認證積體電路晶片。一或多個信號可專屬於標準的非揮發性記憶體IC晶片與認證IC晶片之間。
简体摘要：内存组件封装封住两个分开的芯片，一个是标准的非挥发性内存集成电路(“IC”)芯片，及另一个是合适的认证IC芯片。任一芯片可堆栈于另一芯片上，或芯片可并排放置。外部接点可对应标准的非挥发性内存IC芯片的电源及信号需求，使得内存组件封装之输出-引脚可表示为标准的输出引脚。认证IC芯片之电源及信号需求可满足用于非挥发性内存集成电路芯片之一些或全部引脚，或满足组件封装之其他未使用之引脚。一或多个额外外部接点可专门加入于认证集成电路芯片。一或多个信号可专属于标准的非挥发性内存IC芯片与认证IC芯片之间。

2. 发明专利

TWI503842B 電阻式記憶體裝置及其記憶胞有权
简体标题：电阻式内存设备及其记忆胞
公开(公告)号：TWI503842B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW102143476
申请日：2013-11-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI , 蘇源茂 , SU, YUAN MOU , 蘇畫羽 , SU, HUA-YU , 金寧泰 , KIM, YOUNG-TAE , 柳德鉉 , RYU, DOUK-HYOUN
IPC分类号： G11C8/08

3. 发明专利

TW201423759A 用以產生參考電流之參考單元電路以及方法审中-公开
简体标题：用以产生参考电流之参考单元电路以及方法
公开(公告)号：TW201423759A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101146529
申请日：2012-12-11
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林紀舜 , LIN, CHI-SHUN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG , 謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI
IPC分类号： G11C5/14 , G05F3/24
摘要：本發明提供一種參考單元電路，適用於一非易失性記憶體。參考單元電路包括一參考單元陣列、一第一電流鏡電路以及一第二電流鏡電路。參考單元陣列包括至少一列浮閘電晶體，用以產生一參考電流。第一電流鏡電路用以根據上述參考單元陣列所產生之上述參考電流，產生一鏡射電流。第二電流鏡電路用以接收上述鏡射電流，並根據上述鏡射電流以及複數致能訊號中之一被選取者，產生一已調整參考電流，其中上述致能訊號分別相應於上述非易失性記憶體之複數操作，並且上述已調整參考電流係用以決定上述非易失性記憶體之複數記憶體單元的邏輯狀態。
简体摘要：本发明提供一种参考单元电路，适用于一非易失性内存。参考单元电路包括一参考单元数组、一第一电流镜电路以及一第二电流镜电路。参考单元数组包括至少一列浮闸晶体管，用以产生一参考电流。第一电流镜电路用以根据上述参考单元数组所产生之上述参考电流，产生一镜射电流。第二电流镜电路用以接收上述镜射电流，并根据上述镜射电流以及复数致能信号中之一被选取者，产生一已调整参考电流，其中上述致能信号分别相应于上述非易失性内存之复数操作，并且上述已调整参考电流系用以决定上述非易失性内存之复数内存单元的逻辑状态。

4. 发明专利

TWI640895B 可認證的非揮發性記憶體元件及其操作及製造方法有权
简体标题：可认证的非挥发性内存组件及其操作及制造方法
公开(公告)号：TWI640895B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW102125048
申请日：2013-07-12
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI , 謝加千卓克里希納 , SHEKAR, KRISHNA CHANDRA , 陳暉 , CHEN, HUI
IPC分类号： G06F21/71 , G06F21/79

5. 发明专利

TW201521039A 電阻式記憶體裝置及其記憶胞审中-公开
简体标题：电阻式内存设备及其记忆胞
公开(公告)号：TW201521039A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102143476
申请日：2013-11-28
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI , 蘇源茂 , SU, YUAN MOU , 蘇畫羽 , SU, HUA-YU , 金寧泰 , KIM, YOUNG-TAE , 柳德鉉 , RYU, DOUK-HYOUN
IPC分类号： G11C8/08
摘要：一種電阻式記憶體裝置及其記憶胞。電阻式記憶胞包括第一電晶體、第二電晶體、第一電阻以及第二電阻。第一電晶體的第一端及第二端分別耦接至第一位元線及參考電壓。第二電晶體的第一端及第二端分別耦接至第二位元線及參考電壓。第一電阻串接在第一電晶體的第一端及第一位元線的耦接路徑間或串接在第一電晶體的第二端及參考電壓的耦接路徑間。第二電阻串接在第二電晶體的第一端及第二位元線的耦接路徑間或串接在第二電晶體的第二端及參考電壓的耦接路徑間。
简体摘要：一种电阻式内存设备及其记忆胞。电阻式记忆胞包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻以及第二电阻。第一晶体管的第一端及第二端分别耦接至第一比特线及参考电压。第二晶体管的第一端及第二端分别耦接至第二比特线及参考电压。第一电阻串接在第一晶体管的第一端及第一比特线的耦接路径间或串接在第一晶体管的第二端及参考电压的耦接路径间。第二电阻串接在第二晶体管的第一端及第二比特线的耦接路径间或串接在第二晶体管的第二端及参考电压的耦接路径间。

6. 发明专利

TWI485713B 用以產生參考電流之參考單元電路以及方法有权
简体标题：用以产生参考电流之参考单元电路以及方法
公开(公告)号：TWI485713B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101146529
申请日：2012-12-11
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林紀舜 , LIN, CHI-SHUN , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG , 謝明輝 , SHIEH, MING-HUEI
IPC分类号： G11C5/14 , G05F3/24

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