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1. 发明专利

TW201802813A 非揮發性半導體儲存裝置审中-公开
简体标题：非挥发性半导体存储设备
公开(公告)号：TW201802813A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106115407
申请日：2017-05-10
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：妹尾真言 , SENOO, MAKOTO , 林小峰 , LIM, SEOW-FONG
IPC分类号： G11C11/4063 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/005 , G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C13/0059 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2213/79 , G11C2213/82
摘要：本發明的非揮發性半導體儲存裝置10包括：記憶體陣列20，包含多個記憶元件；選擇部件，基於位址資料來選擇所述記憶體陣列的記憶元件；模式選擇部30，選擇RAM模式與快閃模式中的任一個，所述RAM模式是根據寫入資料而使記憶元件的資料能夠覆寫的模式，所述快閃模式是當寫入資料為第1值時使記憶元件的資料能夠覆寫，而為第2值時禁止重寫的模式；以及寫入控制部件，根據由動作模式選擇部30所選擇的RAM模式或快閃模式來對選擇記憶元件進行寫入資料的寫入。
简体摘要：本发明的非挥发性半导体存储设备10包括：内存数组20，包含多个记忆组件；选择部件，基于位址数据来选择所述内存数组的记忆组件；模式选择部30，选择RAM模式与快闪模式中的任一个，所述RAM模式是根据写入数据而使记忆组件的数据能够覆写的模式，所述快闪模式是当写入数据为第1值时使记忆组件的数据能够覆写，而为第2值时禁止重写的模式；以及写入控制部件，根据由动作模式选择部30所选择的RAM模式或快闪模式来对选择记忆组件进行写入数据的写入。

2. 发明专利

TWI645409B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI645409B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106122204
申请日：2017-07-03
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：村上洋樹 , MURAKAMI, HIROKI , 妹尾真言 , SENOO, MAKOTO
IPC分类号： G11C16/06

3. 发明专利

TW201532071A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201532071A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103103798
申请日：2014-02-05
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：妹尾真言 , SENOO, MAKOTO
IPC分类号： G11C8/12 , G11C16/06
摘要：本發明提供一種可高速動作、且可靈活地進行數據的讀取及編寫的半導體記憶裝置。本發明的快閃記憶體包括：頁面緩衝器/感測電路，包括可保持大小與記憶陣列的頁面對應的數據的揮發性記憶元件；及高速緩衝暫存器，包括可保持大小與記憶陣列的頁面對應的數據的非揮發性記憶元件。頁面緩衝器/感測電路包括感測電路、數據暫存器、傳輸閘極，數據暫存器可與輸入輸出緩衝器進行數據的收發。高速緩衝暫存器包括RRAM，RRAM可經由傳輸閘極而與輸入輸出緩衝器進行數據的收發，且可經由傳輸閘極而與數據暫存器進行數據的收發。
简体摘要：本发明提供一种可高速动作、且可灵活地进行数据的读取及编写的半导体记忆设备。本发明的闪存包括：页面缓冲器/传感电路，包括可保持大小与记忆数组的页面对应的数据的挥发性记忆组件；及高速缓冲寄存器，包括可保持大小与记忆数组的页面对应的数据的非挥发性记忆组件。页面缓冲器/传感电路包括传感电路、数据寄存器、传输闸极，数据寄存器可与输入输出缓冲器进行数据的收发。高速缓冲寄存器包括RRAM，RRAM可经由传输闸极而与输入输出缓冲器进行数据的收发，且可经由传输闸极而与数据寄存器进行数据的收发。

4. 发明专利

TWI642058B 半導體儲存裝置有权
简体标题：半导体存储设备
公开(公告)号：TWI642058B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106109826
申请日：2017-03-23
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：妹尾真言 , SENOO, MAKOTO , 須藤直昭 , SUDO, NAOAKI
IPC分类号： G11C16/10

5. 发明专利

TW201822208A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201822208A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106122204
申请日：2017-07-03
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：村上洋樹 , MURAKAMI, HIROKI , 妹尾真言 , SENOO, MAKOTO
IPC分类号： G11C16/06
摘要：提供半導體記憶裝置，同步於來自外部的控制訊號而可高速動作。半導體記憶裝置，具有資料輸入部110，回應外部控制訊號而接收命令及位址等輸入資料；記憶體陣列部130，包含複數記憶體元件；資料輸出部140，回應外部控制訊號而輸出從記憶體陣列部被讀取的資料；以及，具有延遲補償功能的控制部160。延遲補償功能，在輸入資料被接收的期間，評估內部電路的延遲時間，將由評估而得的延遲資訊貯存在記憶裝置，且基於延遲資訊調整資料輸出部140的輸出時序。
简体摘要：提供半导体记忆设备，同步于来自外部的控制信号而可高速动作。半导体记忆设备，具有数据输入部110，回应外部控制信号而接收命令及位址等输入数据；内存数组部130，包含复数内存组件；数据输出部140，回应外部控制信号而输出从内存数组部被读取的数据；以及，具有延迟补偿功能的控制部160。延迟补偿功能，在输入数据被接收的期间，评估内部电路的延迟时间，将由评估而得的延迟信息贮存在记忆设备，且基于延迟信息调整数据输出部140的输出时序。

6. 发明专利

TW201533744A 半導體記憶裝置及抹除方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及抹除方法
公开(公告)号：TW201533744A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106816
申请日：2014-02-27
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：妹尾真言 , SENOO, MAKOTO
IPC分类号： G11C16/14 , G11C16/06
摘要：一種可靠性高的資料抹除的半導體記憶裝置及抹除方法。抹除方法是用以抹除形成有具有NAND串的記憶體陣列的半導體記憶裝置。對NAND串的選擇電晶體的閘極施加預定電位，且對NAND串的記憶胞的字元線施加預定電位。對形成有NAND串的基板區域，在第1時刻施加抹除電壓，且在自第1時刻起固定時間後的第2時刻，使選擇電晶體的閘極浮置。
简体摘要：一种可靠性高的数据抹除的半导体记忆设备及抹除方法。抹除方法是用以抹除形成有具有NAND串的内存数组的半导体记忆设备。对NAND串的选择晶体管的闸极施加预定电位，且对NAND串的记忆胞的字符线施加预定电位。对形成有NAND串的基板区域，在第1时刻施加抹除电压，且在自第1时刻起固定时间后的第2时刻，使选择晶体管的闸极浮置。

7. 发明专利

TWI686933B 半導體儲存裝置以及讀出方法有权
简体标题：半导体存储设备以及读出方法
公开(公告)号：TWI686933B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107137608
申请日：2018-10-24
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：山内一貴 , YAMAUCHI, KAZUKI , 妹尾真言 , SENOO, MAKOTO , 村上洋樹 , MURAKAMI, HIROKI
IPC分类号： H01L27/11529 , G11C7/12

8. 发明专利

TWI614878B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI614878B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW106110700
申请日：2017-03-30
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：村上洋樹 , MURAKAMI, HIROKI , 妹尾真言 , SENOO, MAKOTO
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： G11C16/32 , G11C5/066 , G11C7/1066 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C2207/108

9. 发明专利

TWI534817B 半導體記憶裝置及抹除方法有权
简体标题：半导体记忆设备及抹除方法
公开(公告)号：TWI534817B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103106816
申请日：2014-02-27
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：妹尾真言 , SENOO, MAKOTO
IPC分类号： G11C16/14 , G11C16/06

10. 发明专利

TWI523036B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI523036B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103103798
申请日：2014-02-05
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：妹尾真言 , SENOO, MAKOTO
IPC分类号： G11C8/12 , G11C16/06

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