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1. 发明专利

TW201642444A 記憶體裝置审中-公开
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TW201642444A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104123573
申请日：2015-07-21
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：吳鐵將 , WU, TIEHCHIANG
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L29/0642 , H01L27/10823 , H01L27/10888
摘要：一種記憶體裝置包含基板、閘極結構、第一主動區、第二主動區與觸點。閘極結構置於基板中。第一主動區與第二主動區置於基板中，且分別置於閘極結構的相對側。閘極結構、第一主動區與第二主動區形成一記憶體單元。觸點置於第一主動區上並接觸第一主動區。觸點與第一主動區之間的界面為馬鞍狀。
简体摘要：一种内存设备包含基板、闸极结构、第一主动区、第二主动区与触点。闸极结构置于基板中。第一主动区与第二主动区置于基板中，且分别置于闸极结构的相对侧。闸极结构、第一主动区与第二主动区形成一内存单元。触点置于第一主动区上并接触第一主动区。触点与第一主动区之间的界面为马鞍状。

2. 发明专利

TW201701411A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201701411A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104124999
申请日：2015-07-31
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：吳鐵將 , WU, TIEHCHIANG
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/10823 , H01L21/3085 , H01L29/4236 , H01L29/66621 , H01L29/66659
摘要：本發明提供一種半導體裝置，包括基材、第一主動區、第二主動區以及閘極結構。第一主動區和第二主動區設於基材中。閘極結構包括底部、和第一主動區連接的第一側壁，以及和第二主動區連接的第二側壁。第一側壁和底部具有第一交點，從第一交點往基材延伸出第一水平線，而第一側壁和第一水平線具有第一夾角。第二側壁和底部具有第二交點，從第二交點往基材延伸出第二水平線，而第二側壁和第二水平線具有第二夾角。第一夾角異於第二夾角。本發明另提供一種製造半導體裝置的方法。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，包括基材、第一主动区、第二主动区以及闸极结构。第一主动区和第二主动区设于基材中。闸极结构包括底部、和第一主动区连接的第一侧壁，以及和第二主动区连接的第二侧壁。第一侧壁和底部具有第一交点，从第一交点往基材延伸出第一水平线，而第一侧壁和第一水平线具有第一夹角。第二侧壁和底部具有第二交点，从第二交点往基材延伸出第二水平线，而第二侧壁和第二水平线具有第二夹角。第一夹角异于第二夹角。本发明另提供一种制造半导体设备的方法。

3. 发明专利

TW201635432A 半導體結構與其製備方法审中-公开
简体标题：半导体结构与其制备方法
公开(公告)号：TW201635432A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104122761
申请日：2015-07-14
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：施信益 , SHIH, SHINGYIH , 吳鐵將 , WU, TIEHCHIANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/29
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體結構，包含一基板、一第一穿孔與一第二穿孔。第一穿孔設置於基板中並填充一導電材料，而第二穿孔同樣設置於基板中並填充一絕緣材料，且絕緣材料的楊氏模量小於導電材料的楊氏模量以平衡導電材料產生的應力。
简体摘要：一种半导体结构，包含一基板、一第一穿孔与一第二穿孔。第一穿孔设置于基板中并填充一导电材料，而第二穿孔同样设置于基板中并填充一绝缘材料，且绝缘材料的杨氏模量小于导电材料的杨氏模量以平衡导电材料产生的应力。

4. 发明专利

TWI571964B 半導體結構與其製備方法有权
简体标题：半导体结构与其制备方法
公开(公告)号：TWI571964B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104122761
申请日：2015-07-14
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：施信益 , SHIH, SHINGYIH , 吳鐵將 , WU, TIEHCHIANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/29
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201705446A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201705446A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104129354
申请日：2015-09-04
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：吳鐵將 , WU, TIEHCHIANG
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8238 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L27/10876 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種半導體裝置，其包含基板、閘結構、通道層、第一主動區域及第二主動區域。閘結構設置於基板中。通道層夾置於閘結構及基板之間。通道層的材料係選自由矽鍺(silicon-germanium)磊晶材料、矽碳(silicon-carbon)磊晶材料及其組合所組成之群組。第一主動區域及第二主動區域設置於基板中，且分別設置於閘結構的相異側。一種半導體裝置的製造方法亦在此揭露。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，其包含基板、闸结构、信道层、第一主动区域及第二主动区域。闸结构设置于基板中。信道层夹置于闸结构及基板之间。信道层的材料系选自由硅锗(silicon-germanium)磊晶材料、硅碳(silicon-carbon)磊晶材料及其组合所组成之群组。第一主动区域及第二主动区域设置于基板中，且分别设置于闸结构的相异侧。一种半导体设备的制造方法亦在此揭露。

6. 发明专利

TW201701412A 記憶體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201701412A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104125256
申请日：2015-08-04
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：吳鐵將 , WU, TIEHCHIANG
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
摘要：本發明係關於一種記憶體裝置及其製造方法。該記憶體裝置包括：一基板；一第一主動區以及一第二主動區交替配置於該基板中；一閘極結構配置於該基板中並且介於該第一主動區以及該第二主動區之間；以及一垂直接點結構配置於該基板之上並且電性連接至該第一主動區及該第二主動區中之一者，其中該垂直接點結構包括一含矽元件及一金屬矽化物元件垂直於該基板。
简体摘要：本发明系关于一种内存设备及其制造方法。该内存设备包括：一基板；一第一主动区以及一第二主动区交替配置于该基板中；一闸极结构配置于该基板中并且介于该第一主动区以及该第二主动区之间；以及一垂直接点结构配置于该基板之上并且电性连接至该第一主动区及该第二主动区中之一者，其中该垂直接点结构包括一含硅组件及一金属硅化物组件垂直于该基板。

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