基本信息:
- 专利标题： 記憶體裝置及其製造方法
- 专利标题（英）：Memory device and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：内存设备及其制造方法
- 申请号：TW104125256 申请日：2015-08-04
- 公开(公告)号：TW201701412A 公开(公告)日：2017-01-01
- 发明人： 吳鐵將 , WU, TIEHCHIANG
- 申请人： 華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
- 申请人地址： 桃園市
- 专利权人： 華亞科技股份有限公司,INOTERA MEMORIES, INC.
- 当前专利权人： 華亞科技股份有限公司,INOTERA MEMORIES, INC.
- 当前专利权人地址： 桃園市
- 代理人： 李世章; 秦建譜
- 优先权： 14/742,682 20150617
- 主分类号： H01L21/8242
- IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L27/108
摘要：
本發明係關於一種記憶體裝置及其製造方法。該記憶體裝置包括：一基板；一第一主動區以及一第二主動區交替配置於該基板中；一閘極結構配置於該基板中並且介於該第一主動區以及該第二主動區之間；以及一垂直接點結構配置於該基板之上並且電性連接至該第一主動區及該第二主動區中之一者，其中該垂直接點結構包括一含矽元件及一金屬矽化物元件垂直於該基板。
摘要（中）：
本发明系关于一种内存设备及其制造方法。该内存设备包括：一基板；一第一主动区以及一第二主动区交替配置于该基板中；一闸极结构配置于该基板中并且介于该第一主动区以及该第二主动区之间；以及一垂直接点结构配置于该基板之上并且电性连接至该第一主动区及该第二主动区中之一者，其中该垂直接点结构包括一含硅组件及一金属硅化物组件垂直于该基板。
摘要（英）：
The present disclosure relates to a memory device and a method for fabricating the same. The memory device comprises: a substrate; a first active region and a second active region alternately disposed in the substrate; a gate structure disposed in the substrate between the first active region and the second active region; and a vertical contact structure disposed above the substrate and electrically connected to one of the first active region and the second active region, wherein the vertical contact structure comprises a silicon-containing element and a metal silicide element vertical to the substrate.
公开/授权文献:
- TWI619205B 記憶體裝置及其製造方法 公开/授权日：2018-03-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8242 | .........动态随机存取存储结构（DRAM） |