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1. 发明专利

TW200711058A 金屬氧化物半導體薄膜、結構及方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILMS, STRUCTURES AND METHODS 审中-公开
简体标题：金属氧化物半导体薄膜、结构及方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILMS, STRUCTURES AND METHODS
公开(公告)号：TW200711058A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095111337
申请日：2006-03-30
申请人：莫克斯托尼克斯股份有限公司 MOXTRONICS, INC.
发明人：陸永瑞 YUNGRYEL RYU , 李泰錫 TAE-SEOK LEE , 亨利W. 懷特 HENRY W. WHITE
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/28 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/00 , C01G11/00 , C01G11/006 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/46 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02554 , H01L21/0256 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02617 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01S5/0213 , H01S5/3018
摘要：用於提昇半導體裝置性能的材料與結構包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、含有鎂以利晶格匹配之ZnBeO合金材料、以及BeO材料。在ZnBeO合金系統(亦即Zu1-xBexO)中,可改變Be的原子比例x來增加氧化鋅的能帶間隙値,以使其高於氧化鋅的能帶間隙値;而在ZnCdOSe合金系統(亦即Zn1-yCdyO1-zSez)中,可改變Cd的原子比例y與Se的原子比例z來降低氧化鋅的能帶間隙値,以使其低於氧化鋅的能帶間隙値。利用所選擇之摻質元素,所形成的每一種合金可為未經摻雜、p型摻雜、或n型摻雜;這些合金可以單獨或以組合方式加以使用,以形成可發射一定範圍波長値的主動光子層、如單一與多重量子井之異質結構、以及超晶格層或覆層,並可用以製造光學或電子半導體裝置。這些就可用於提昇半導體裝置的功能、容量與性能。
简体摘要：用于提升半导体设备性能的材料与结构包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、含有镁以利晶格匹配之ZnBeO合金材料、以及BeO材料。在ZnBeO合金系统(亦即Zu1-xBexO)中,可改变Be的原子比例x来增加氧化锌的能带间隙値,以使其高于氧化锌的能带间隙値;而在ZnCdOSe合金系统(亦即Zn1-yCdyO1-zSez)中,可改变Cd的原子比例y与Se的原子比例z来降低氧化锌的能带间隙値,以使其低于氧化锌的能带间隙値。利用所选择之掺质元素,所形成的每一种合金可为未经掺杂、p型掺杂、或n型掺杂;这些合金可以单独或以组合方式加以使用,以形成可发射一定范围波长値的主动光子层、如单一与多重量子井之异质结构、以及超晶格层或覆层,并可用以制造光学或电子半导体设备。这些就可用于提升半导体设备的功能、容量与性能。

2. 发明专利

TW200729490A 高效能FET裝置及方法 HIGH-PERFORMANCE FET DEVICE AND METHOD 审中-公开
简体标题：高性能FET设备及方法 HIGH-PERFORMANCE FET DEVICE AND METHOD
公开(公告)号：TW200729490A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095109365
申请日：2006-03-17
申请人：莫克斯托尼克斯股份有限公司 MOXTRONICS, INC.
发明人：陸永瑞 YUNGRYEL RYU , 李泰錫 TAE-SEOK LEE , 亨利W. 懷特 HENRY W. WHITE
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有閘極電壓偏壓供應電路元件以改善半導體場效電晶體(FET)裝置效能的磊晶層狀結構,其利用一種結構,該結構包含基板、於該基板上磊晶生長的n-形式或p-形式的第一層半導體薄膜且於該基板及第一層薄膜之間有緩衝層的可能性、具有與該第一半導體層的導電率形式相反的主動層導電率形式於該第一半導體層磊晶生長的主動半導體層、具有擁有閘極區域及汲極區域的主動層及源極區域具有至閘極的電接觸、足以形成FET的汲極及源極區域、在該基板或該第一半導體層的電接觸、及電連接至閘極接觸及至基板或第一半導體層的閘極電壓偏壓供應電路元件,其具有電壓極性及足夠增加裝置效能的値。此具有閘極電壓偏壓供應電路元件的磊晶層狀結構可用於改善半導體FET裝置的功能及高頻率效能。
简体摘要：一种具有闸极电压偏压供应电路组件以改善半导体场效应管(FET)设备性能的磊晶层状结构,其利用一种结构,该结构包含基板、于该基板上磊晶生长的n-形式或p-形式的第一层半导体薄膜且于该基板及第一层薄膜之间有缓冲层的可能性、具有与该第一半导体层的导电率形式相反的主动层导电率形式于该第一半导体层磊晶生长的主动半导体层、具有拥有闸极区域及汲极区域的主动层及源极区域具有至闸极的电接触、足以形成FET的汲极及源极区域、在该基板或该第一半导体层的电接触、及电连接至闸极接触及至基板或第一半导体层的闸极电压偏压供应电路组件,其具有电压极性及足够增加设备性能的値。此具有闸极电压偏压供应电路组件的磊晶层状结构可用于改善半导体FET设备的功能及高频率性能。

3. 发明专利

TW200723521A 金屬氧化物半導體裝置及薄膜結構與方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES AND FILM STRUCTURES AND METHODS 审中-公开
简体标题：金属氧化物半导体设备及薄膜结构与方法 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES AND FILM STRUCTURES AND METHODS
公开(公告)号：TW200723521A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095109364
申请日：2006-03-17
申请人：莫克斯托尼克斯股份有限公司 MOXTRONICS, INC.
发明人：陸永瑞 YUNGRYEL RYU , 李泰錫 TAE-SEOK LEE , 亨利W. 懷特 HENRY W. WHITE
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/28 , H01S5/327 , H01S5/34 , H01S5/3425
摘要：一種用於改善半導體裝置的層及薄膜結構包含單一量子井與多重量子井以及雙異質結構與超晶格結構。
简体摘要：一种用于改善半导体设备的层及薄膜结构包含单一量子井与多重量子井以及双异质结构与超晶格结构。

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