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1. 发明专利

TW202030652A 預測半導體製程良率之方法审中-公开
简体标题：预测半导体制程良率之方法
公开(公告)号：TW202030652A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108141334
申请日：2019-11-14
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：張幼平 , ZHANG, YOUPING , 曼徹奇可夫伯瑞斯 , MENCHTCHIKOV, BORIS , 塔伯里希拉艾米爾 , TABERY, CYRUS EMIL , 鄒毅 , ZOU, YI , 林晨希 , LIN, CHENXI , 程亞娜 , CHENG, YANA , 海斯汀思賽門飛利浦史賓斯 , HASTINGS, SIMON PHILIP SPENCER , 杰尼麥辛姆飛利浦費德里科 , GENIN, MAXIME PHILIPPE FREDERIC
IPC分类号： G06N3/08 , G06F17/10
摘要：本發明描述一種用於預測與在一基板上製造半導體裝置之一製程相關之良率的方法，該方法包含：獲得一經訓練之第一模型，該經訓練之第一模型將模型化參數轉譯為一良率參數，該等模型化參數包含：a)與以下各者中之一或多者相關聯的幾何參數：藉由該製程製造之一裝置元件的一幾何特性、尺寸或位置，及b)經訓練之自由參數；獲得製程參數資料，該製程參數資料包含特性化該製程的製程參數；將該製程參數資料轉換為該等幾何參數的值；及使用該經訓練之第一模型及該等幾何參數的該等值來預測該良率參數。
简体摘要：本发明描述一种用于预测与在一基板上制造半导体设备之一制程相关之良率的方法，该方法包含：获得一经训练之第一模型，该经训练之第一模型将模型化参数转译为一良率参数，该等模型化参数包含：a)与以下各者中之一或多者相关联的几何参数：借由该制程制造之一设备组件的一几何特性、尺寸或位置，及b)经训练之自由参数；获得制程参数数据，该制程参数数据报含特性化该制程的制程参数；将该制程参数数据转换为该等几何参数的值；及使用该经训练之第一模型及该等几何参数的该等值来预测该良率参数。

2. 发明专利

TW202004359A 判定基板之堆疊組態之方法审中-公开
简体标题：判定基板之堆栈组态之方法
公开(公告)号：TW202004359A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108116657
申请日：2019-05-15
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：李丹穎 , LI, DANYING , 范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 艾爾馬克艾柏多摩森 , ELMALK, ABDALMOHSEN , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 陳健輝 , CHEN, JAY JIANHUI , 黃奎鈞 , HUANG, KUI-JUN
IPC分类号： G03F7/20 , G06F17/10
摘要：本文中描述一種用於判定經受一圖案化程序之一基板的一堆疊組態之方法。該方法包括獲得(i)具有一經印刷基板上之位置資訊的一堆疊組態之量測資料，(ii)經組態以基於該基板之一位置而預測一堆疊特性之一基板模型，及(iii)基於該基板模型的包括複數個堆疊組態之一堆疊圖。該方法反覆地基於該量測資料與該堆疊圖之該複數個堆疊組態之間的一擬合，判定該基板模型之模型參數的值；及使用該等模型參數之該等值來基於該基板模型預測一特定位置處之一最佳堆疊組態。
简体摘要：本文中描述一种用于判定经受一图案化进程之一基板的一堆栈组态之方法。该方法包括获得(i)具有一经印刷基板上之位置信息的一堆栈组态之量测数据，(ii)经组态以基于该基板之一位置而预测一堆栈特性之一基板模型，及(iii)基于该基板模型的包括复数个堆栈组态之一堆栈图。该方法反复地基于该量测数据与该堆栈图之该复数个堆栈组态之间的一拟合，判定该基板模型之模型参数的值；及使用该等模型参数之该等值来基于该基板模型预测一特定位置处之一最佳堆栈组态。

3. 发明专利

TW202010995A 針對模擬系統之用於判定晶圓之層的蝕刻輪廓的方法审中-公开
简体标题：针对仿真系统之用于判定晶圆之层的蚀刻轮廓的方法
公开(公告)号：TW202010995A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108125920
申请日：2019-07-23
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：陳峰 , CHEN, FENG , 范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 趙望石 , ZHAO, WANGSHI
IPC分类号： G01B11/00 , G01B9/02 , G03F7/20 , G03F1/36 , G06K9/00
摘要：本發明描述一種用於判定一蝕刻輪廓之方法。該方法包含判定一起始遮蔽層輪廓。判定負載資訊。該負載資訊指示該遮蔽層輪廓之一蝕刻速率對所蝕刻的材料之一數量及圖案的相依性。判定通量資訊。該通量資訊指示該蝕刻速率對入射於該遮蔽層輪廓上之輻射的一強度及一散佈角之相依性。判定重新沈積資訊。該重新沈積資訊指示該蝕刻速率對自該遮蔽層輪廓移除且重新沈積回到該遮蔽層輪廓上之材料的一量之相依性。該晶圓之該層的輸出蝕刻輪廓基於該負載資訊、該通量資訊及/或該重新沈積資訊而判定。
简体摘要：本发明描述一种用于判定一蚀刻轮廓之方法。该方法包含判定一起始屏蔽层轮廓。判定负载信息。该负载信息指示该屏蔽层轮廓之一蚀刻速率对所蚀刻的材料之一数量及图案的相依性。判定通量信息。该通量信息指示该蚀刻速率对入射于该屏蔽层轮廓上之辐射的一强度及一散布角之相依性。判定重新沉积信息。该重新沉积信息指示该蚀刻速率对自该屏蔽层轮廓移除且重新沉积回到该屏蔽层轮廓上之材料的一量之相依性。该晶圆之该层的输出蚀刻轮廓基于该负载信息、该通量信息及/或该重新沉积信息而判定。

4. 发明专利

TWI664504B 度量衡方法及裝置、基板、微影方法及相關之電腦產品有权
简体标题：度量衡方法及设备、基板、微影方法及相关之电脑产品
公开(公告)号：TWI664504B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107114190
申请日：2018-04-26
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 張幼平 , ZHANG, YOUPING
IPC分类号： G03F7/20

5. 发明专利

TW201907236A 度量衡方法及裝置、基板、微影方法及相關之電腦產品审中-公开
简体标题：度量衡方法及设备、基板、微影方法及相关之电脑产品
公开(公告)号：TW201907236A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107114190
申请日：2018-04-26
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 張幼平 , ZHANG, YOUPING
IPC分类号： G03F7/20
摘要：本發明揭示一種量測與一結構形成程序相關之一所關注參數(例如，疊對)之n個值的方法，其中n＞1。該方法包括：對n+1個目標中之每一者執行n次量測，每一量測係藉由具有一不同波長及/或偏振組合之量測輻射而執行；及自n+1個目標之該n次量測判定一所關注參數之n個值，該n個值中之每一者與一不同層對之該所關注參數相關。每一目標包括n+1個層，每一層包括一週期性結構，該等目標包括具有至少一個偏置週期性結構之至少n個偏置目標，該偏置週期性結構以相對於其他層之一位置偏置而形成，對於每一偏置目標，該偏置週期性結構在該等層中之至少一不同層中。亦揭示一種具有此目標之基板及一種用於形成此目標之圖案化器件。
简体摘要：本发明揭示一种量测与一结构形成进程相关之一所关注参数(例如，叠对)之n个值的方法，其中n＞1。该方法包括：对n+1个目标中之每一者运行n次量测，每一量测系借由具有一不同波长及/或偏振组合之量测辐射而运行；及自n+1个目标之该n次量测判定一所关注参数之n个值，该n个值中之每一者与一不同层对之该所关注参数相关。每一目标包括n+1个层，每一层包括一周期性结构，该等目标包括具有至少一个偏置周期性结构之至少n个偏置目标，该偏置周期性结构以相对于其他层之一位置偏置而形成，对于每一偏置目标，该偏置周期性结构在该等层中之至少一不同层中。亦揭示一种具有此目标之基板及一种用于形成此目标之图案化器件。

6. 发明专利

TWI632475B 用於設計度量衡標的之電腦實施方法及電腦程式產品有权
简体标题：用于设计度量衡标的之电脑实施方法及电脑进程产品
公开(公告)号：TWI632475B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW104137059
申请日：2015-11-10
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：陳光青 , CHEN, GUANGQING , 柏樹豐 , BAI, SHUFENG , 肯恩艾瑞克理查 , KENT, ERIC RICHARD , 盧彥文 , LU, YEN-WEN , 泰菲保羅安東尼 , TUFFY, PAUL ANTHONY , 王禎祥 , WANG, JEN SHIANG , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 沃特傑斯哲詹 , ZWARTJES, GERTJAN , 必吉斯馬詹沃特 , BIJLSMA, JAN WOUTER
IPC分类号： G06F17/50 , G03F7/20

7. 发明专利

TW201728868A 用於調整照明之方法及設備审中-公开
简体标题：用于调整照明之方法及设备
公开(公告)号：TW201728868A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105141787
申请日：2016-12-16
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 華那爾派翠克 , WARNAAR, PATRICK , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 肖鋒 , XIAO, FENG , 艾伯特馬汀 , EBERT, MARTIN
IPC分类号： G01B11/02 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70633 , G01N21/956
摘要：本發明揭示一種方法，其包括：將一照明輻射光束投影至一基板上之一度量衡目標上；偵測自該基板上之該度量衡目標反射之輻射；及基於該偵測到輻射來判定該基板上之一特徵之一特性，其中該偵測到輻射之一偏光狀態經可控地選擇以最佳化該偵測到輻射之一品質。
简体摘要：本发明揭示一种方法，其包括：将一照明辐射光束投影至一基板上之一度量衡目标上；侦测自该基板上之该度量衡目标反射之辐射；及基于该侦测到辐射来判定该基板上之一特征之一特性，其中该侦测到辐射之一偏光状态经可控地选择以最优化该侦测到辐射之一品质。

8. 发明专利

TW201730683A 用於量測微影製程的參數之方法與設備，及用於該方法之基板與圖案化裝置审中-公开
简体标题：用于量测微影制程的参数之方法与设备，及用于该方法之基板与图案化设备
公开(公告)号：TW201730683A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105127027
申请日：2016-08-24
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 史密徳韓卓克真海德 , SMILDE, HENDRIK JAN HIDDE , 柴特瑪司艾納諾斯堤斯 , TSIATMAS, ANAGNOSTIS , 凡力司特雅得安喬漢 , VAN LEEST, ADRIAAN JOHAN , 沃馬艾羅克 , VERMA, ALOK , 休威斯湯馬士 , THEEUWES, THOMAS , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 希尼保羅克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70491 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G03F7/70633 , G03F7/70683
摘要：一基板具有藉由一微影製程而形成於其上之第一目標結構及第二目標結構。每一目標結構具有使用第一微影步驟及第二微影步驟而在一基板上之一單一材料層中形成的二維週期性結構，其中，在該第一目標結構中，在該第二微影步驟中界定之特徵相對於在該第一微影步驟中界定之特徵位移一第一偏誤量，該第一偏誤量接近於在該第一微影步驟中形成之該等特徵之一空間週期的一半，且在該第二目標結構中，在該第二微影步驟中界定之特徵相對於在該第一微影步驟中界定之特徵位移一第二偏誤量，該第二偏誤量接近於該空間週期的一半且不同於該第一偏誤量。獲得該第一目標結構之一角度解析散射光譜及該第二目標結構之一角度解析散射光譜，且自使用在該第一目標結構及該第二目標結構之該等散射光譜中所發現的不對稱性之量測來導出一微影製程之一參數之一量測。
简体摘要：一基板具有借由一微影制程而形成于其上之第一目标结构及第二目标结构。每一目标结构具有使用第一微影步骤及第二微影步骤而在一基板上之一单一材料层中形成的二维周期性结构，其中，在该第一目标结构中，在该第二微影步骤中界定之特征相对于在该第一微影步骤中界定之特征位移一第一偏误量，该第一偏误量接近于在该第一微影步骤中形成之该等特征之一空间周期的一半，且在该第二目标结构中，在该第二微影步骤中界定之特征相对于在该第一微影步骤中界定之特征位移一第二偏误量，该第二偏误量接近于该空间周期的一半且不同于该第一偏误量。获得该第一目标结构之一角度解析散射光谱及该第二目标结构之一角度解析散射光谱，且自使用在该第一目标结构及该第二目标结构之该等散射光谱中所发现的不对称性之量测来导出一微影制程之一参数之一量测。

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