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1. 发明专利

TWI632475B 用於設計度量衡標的之電腦實施方法及電腦程式產品有权
简体标题：用于设计度量衡标的之电脑实施方法及电脑进程产品
公开(公告)号：TWI632475B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW104137059
申请日：2015-11-10
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：陳光青 , CHEN, GUANGQING , 柏樹豐 , BAI, SHUFENG , 肯恩艾瑞克理查 , KENT, ERIC RICHARD , 盧彥文 , LU, YEN-WEN , 泰菲保羅安東尼 , TUFFY, PAUL ANTHONY , 王禎祥 , WANG, JEN SHIANG , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 沃特傑斯哲詹 , ZWARTJES, GERTJAN , 必吉斯馬詹沃特 , BIJLSMA, JAN WOUTER
IPC分类号： G06F17/50 , G03F7/20

2. 发明专利

TW202030652A 預測半導體製程良率之方法审中-公开
简体标题：预测半导体制程良率之方法
公开(公告)号：TW202030652A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108141334
申请日：2019-11-14
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：張幼平 , ZHANG, YOUPING , 曼徹奇可夫伯瑞斯 , MENCHTCHIKOV, BORIS , 塔伯里希拉艾米爾 , TABERY, CYRUS EMIL , 鄒毅 , ZOU, YI , 林晨希 , LIN, CHENXI , 程亞娜 , CHENG, YANA , 海斯汀思賽門飛利浦史賓斯 , HASTINGS, SIMON PHILIP SPENCER , 杰尼麥辛姆飛利浦費德里科 , GENIN, MAXIME PHILIPPE FREDERIC
IPC分类号： G06N3/08 , G06F17/10
摘要：本發明描述一種用於預測與在一基板上製造半導體裝置之一製程相關之良率的方法，該方法包含：獲得一經訓練之第一模型，該經訓練之第一模型將模型化參數轉譯為一良率參數，該等模型化參數包含：a)與以下各者中之一或多者相關聯的幾何參數：藉由該製程製造之一裝置元件的一幾何特性、尺寸或位置，及b)經訓練之自由參數；獲得製程參數資料，該製程參數資料包含特性化該製程的製程參數；將該製程參數資料轉換為該等幾何參數的值；及使用該經訓練之第一模型及該等幾何參數的該等值來預測該良率參數。
简体摘要：本发明描述一种用于预测与在一基板上制造半导体设备之一制程相关之良率的方法，该方法包含：获得一经训练之第一模型，该经训练之第一模型将模型化参数转译为一良率参数，该等模型化参数包含：a)与以下各者中之一或多者相关联的几何参数：借由该制程制造之一设备组件的一几何特性、尺寸或位置，及b)经训练之自由参数；获得制程参数数据，该制程参数数据报含特性化该制程的制程参数；将该制程参数数据转换为该等几何参数的值；及使用该经训练之第一模型及该等几何参数的该等值来预测该良率参数。

3. 发明专利

TW202004359A 判定基板之堆疊組態之方法审中-公开
简体标题：判定基板之堆栈组态之方法
公开(公告)号：TW202004359A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108116657
申请日：2019-05-15
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：李丹穎 , LI, DANYING , 范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 艾爾馬克艾柏多摩森 , ELMALK, ABDALMOHSEN , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 陳健輝 , CHEN, JAY JIANHUI , 黃奎鈞 , HUANG, KUI-JUN
IPC分类号： G03F7/20 , G06F17/10
摘要：本文中描述一種用於判定經受一圖案化程序之一基板的一堆疊組態之方法。該方法包括獲得(i)具有一經印刷基板上之位置資訊的一堆疊組態之量測資料，(ii)經組態以基於該基板之一位置而預測一堆疊特性之一基板模型，及(iii)基於該基板模型的包括複數個堆疊組態之一堆疊圖。該方法反覆地基於該量測資料與該堆疊圖之該複數個堆疊組態之間的一擬合，判定該基板模型之模型參數的值；及使用該等模型參數之該等值來基於該基板模型預測一特定位置處之一最佳堆疊組態。
简体摘要：本文中描述一种用于判定经受一图案化进程之一基板的一堆栈组态之方法。该方法包括获得(i)具有一经印刷基板上之位置信息的一堆栈组态之量测数据，(ii)经组态以基于该基板之一位置而预测一堆栈特性之一基板模型，及(iii)基于该基板模型的包括复数个堆栈组态之一堆栈图。该方法反复地基于该量测数据与该堆栈图之该复数个堆栈组态之间的一拟合，判定该基板模型之模型参数的值；及使用该等模型参数之该等值来基于该基板模型预测一特定位置处之一最佳堆栈组态。

4. 发明专利

TW201907236A 度量衡方法及裝置、基板、微影方法及相關之電腦產品审中-公开
简体标题：度量衡方法及设备、基板、微影方法及相关之电脑产品
公开(公告)号：TW201907236A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107114190
申请日：2018-04-26
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 張幼平 , ZHANG, YOUPING
IPC分类号： G03F7/20
摘要：本發明揭示一種量測與一結構形成程序相關之一所關注參數(例如，疊對)之n個值的方法，其中n＞1。該方法包括：對n+1個目標中之每一者執行n次量測，每一量測係藉由具有一不同波長及/或偏振組合之量測輻射而執行；及自n+1個目標之該n次量測判定一所關注參數之n個值，該n個值中之每一者與一不同層對之該所關注參數相關。每一目標包括n+1個層，每一層包括一週期性結構，該等目標包括具有至少一個偏置週期性結構之至少n個偏置目標，該偏置週期性結構以相對於其他層之一位置偏置而形成，對於每一偏置目標，該偏置週期性結構在該等層中之至少一不同層中。亦揭示一種具有此目標之基板及一種用於形成此目標之圖案化器件。
简体摘要：本发明揭示一种量测与一结构形成进程相关之一所关注参数(例如，叠对)之n个值的方法，其中n＞1。该方法包括：对n+1个目标中之每一者运行n次量测，每一量测系借由具有一不同波长及/或偏振组合之量测辐射而运行；及自n+1个目标之该n次量测判定一所关注参数之n个值，该n个值中之每一者与一不同层对之该所关注参数相关。每一目标包括n+1个层，每一层包括一周期性结构，该等目标包括具有至少一个偏置周期性结构之至少n个偏置目标，该偏置周期性结构以相对于其他层之一位置偏置而形成，对于每一偏置目标，该偏置周期性结构在该等层中之至少一不同层中。亦揭示一种具有此目标之基板及一种用于形成此目标之图案化器件。

5. 发明专利

TW202010995A 針對模擬系統之用於判定晶圓之層的蝕刻輪廓的方法审中-公开
简体标题：针对仿真系统之用于判定晶圆之层的蚀刻轮廓的方法
公开(公告)号：TW202010995A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108125920
申请日：2019-07-23
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：陳峰 , CHEN, FENG , 范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 趙望石 , ZHAO, WANGSHI
IPC分类号： G01B11/00 , G01B9/02 , G03F7/20 , G03F1/36 , G06K9/00
摘要：本發明描述一種用於判定一蝕刻輪廓之方法。該方法包含判定一起始遮蔽層輪廓。判定負載資訊。該負載資訊指示該遮蔽層輪廓之一蝕刻速率對所蝕刻的材料之一數量及圖案的相依性。判定通量資訊。該通量資訊指示該蝕刻速率對入射於該遮蔽層輪廓上之輻射的一強度及一散佈角之相依性。判定重新沈積資訊。該重新沈積資訊指示該蝕刻速率對自該遮蔽層輪廓移除且重新沈積回到該遮蔽層輪廓上之材料的一量之相依性。該晶圓之該層的輸出蝕刻輪廓基於該負載資訊、該通量資訊及/或該重新沈積資訊而判定。
简体摘要：本发明描述一种用于判定一蚀刻轮廓之方法。该方法包含判定一起始屏蔽层轮廓。判定负载信息。该负载信息指示该屏蔽层轮廓之一蚀刻速率对所蚀刻的材料之一数量及图案的相依性。判定通量信息。该通量信息指示该蚀刻速率对入射于该屏蔽层轮廓上之辐射的一强度及一散布角之相依性。判定重新沉积信息。该重新沉积信息指示该蚀刻速率对自该屏蔽层轮廓移除且重新沉积回到该屏蔽层轮廓上之材料的一量之相依性。该晶圆之该层的输出蚀刻轮廓基于该负载信息、该通量信息及/或该重新沉积信息而判定。

6. 发明专利

TWI664504B 度量衡方法及裝置、基板、微影方法及相關之電腦產品有权
简体标题：度量衡方法及设备、基板、微影方法及相关之电脑产品
公开(公告)号：TWI664504B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107114190
申请日：2018-04-26
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：范期翔 , FAN, CHI-HSIANG , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 張幼平 , ZHANG, YOUPING
IPC分类号： G03F7/20

7. 发明专利

TWI563349B 量測用於涉及微影之製造程序之製程參數有权
简体标题：量测用于涉及微影之制造进程之制程参数
公开(公告)号：TWI563349B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104104294
申请日：2015-02-09
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 黃得智 , HUANG, TE CHIH , 亞當歐瑪阿布貝克歐瑪 , ADAM, OMER ABUBAKER OMER , 張幼平 , ZHANG, YOUPING
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633 , G01N21/47 , G01N21/8806 , G01N2201/12 , G03F7/70683

8. 发明专利

TW201802613A 度量衡目標、方法與裝置、目標設計方法、電腦程式及微影系統审中-公开
简体标题：度量衡目标、方法与设备、目标设计方法、电脑进程及微影系统
公开(公告)号：TW201802613A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106112007
申请日：2017-04-11
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 凡哈倫理查喬哈奈法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 摩斯艾佛哈德斯柯奈利斯 , MOS, EVERHARDUS CORNELIS , 張幼平 , ZHANG, YOUPING
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70516 , G03F7/70616 , G03F7/70683 , H01L22/00 , H01L22/12 , H01L23/544
摘要：本文中揭示一種量測一目標之方法、包含一目標之關聯基板，及電腦程式。該目標包含重疊之第一週期性結構及第二週期性結構。該方法包含運用量測輻射來照明該目標且偵測所得散射輻射。該第二週期性結構之節距係使得相對於該量測輻射之一波長及其於該目標上之入射角，在該第二週期性結構處不存在由該量測輻射最初入射於該第二週期性結構上引起的傳播性非零繞射。在該第二週期性結構處可存在傳播性非零繞射，該傳播性非零繞射包含由該第一週期性結構進行繞射引起的一或多個非零繞射階之進一步繞射。替代地，該偵測到之散射輻射可包含自該週期性結構處之繞射獲得之非零繞射階，該等非零繞射階已在近場中受到該第二週期性結構干擾。
简体摘要：本文中揭示一种量测一目标之方法、包含一目标之关联基板，及电脑进程。该目标包含重叠之第一周期性结构及第二周期性结构。该方法包含运用量测辐射来照明该目标且侦测所得散射辐射。该第二周期性结构之节距系使得相对于该量测辐射之一波长及其于该目标上之入射角，在该第二周期性结构处不存在由该量测辐射最初入射于该第二周期性结构上引起的传播性非零绕射。在该第二周期性结构处可存在传播性非零绕射，该传播性非零绕射包含由该第一周期性结构进行绕射引起的一或多个非零绕射阶之进一步绕射。替代地，该侦测到之散射辐射可包含自该周期性结构处之绕射获得之非零绕射阶，该等非零绕射阶已在近场中受到该第二周期性结构干扰。

9. 发明专利

TW201633191A 基於程序的度量衡標的設計审中-公开
简体标题：基于进程的度量衡标的设计
公开(公告)号：TW201633191A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104137059
申请日：2015-11-10
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：陳光青 , CHEN, GUANGQING , 柏樹豐 , BAI, SHUFENG , 肯恩艾瑞克理查 , KENT, ERIC RICHARD , 盧彥文 , LU, YEN-WEN , 泰菲保羅安東尼 , TUFFY, PAUL ANTHONY , 王禎祥 , WANG, JEN SHIANG , 張幼平 , ZHANG, YOUPING , 沃特傑斯哲詹 , ZWARTJES, GERTJAN , 必吉斯馬詹沃特 , BIJLSMA, JAN WOUTER
IPC分类号： G06F17/50 , G03F7/20
CPC分类号： G06F17/5009 , G03F7/705 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , G06F17/12 , G06F17/14
摘要：本發明教示用於自動產生可適應多種微影程序及程序擾動之穩固度量衡標的的方法及系統。該方法被稱作「用於控制之設計」。將一總微影程序之個別步驟模型化成一單一程序序列，以模擬實體晶圓處理。彼程序序列推進一三維器件幾何形狀整體之創造，而非逐元件「建置」該器件幾何形狀。
简体摘要：本发明教示用于自动产生可适应多种微影进程及进程扰动之稳固度量衡标的的方法及系统。该方法被称作“用于控制之设计”。将一总微影进程之个别步骤模型化成一单一进程串行，以仿真实体晶圆处理。彼进程串行推进一三维器件几何形状整体之创造，而非逐组件“建置”该器件几何形状。

10. 发明专利

TW201535066A 量測用於涉及微影之製造程序之製程參數审中-公开
简体标题：量测用于涉及微影之制造进程之制程参数
公开(公告)号：TW201535066A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104104294
申请日：2015-02-09
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 黃得智 , HUANG, TE CHIH , 亞當歐瑪阿布貝克歐瑪 , ADAM, OMER ABUBAKER OMER , 張幼平 , ZHANG, YOUPING
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633 , G01N21/47 , G01N21/8806 , G01N2201/12 , G03F7/70683
摘要：本發明揭示一種量測用於涉及微影之一製造程序之一製程參數之方法。在一所揭示配置中，該方法包含：執行一基板上之一區中之疊對誤差之第一量測及第二量測；及基於疊對誤差之該第一量測及該第二量測而獲得該製程參數之一量度。疊對誤差之該第一量測經設計為相比於疊對誤差之該第二量測對該製程參數之一擾動更敏感達一已知量。
简体摘要：本发明揭示一种量测用于涉及微影之一制造进程之一制程参数之方法。在一所揭示配置中，该方法包含：运行一基板上之一区中之叠对误差之第一量测及第二量测；及基于叠对误差之该第一量测及该第二量测而获得该制程参数之一量度。叠对误差之该第一量测经设计为相比于叠对误差之该第二量测对该制程参数之一扰动更敏感达一已知量。

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