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2. 发明专利

TW201834105A 磨光裝置审中-公开
简体标题：磨光设备
公开(公告)号：TW201834105A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107118720
申请日：2011-12-23
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小畠嚴貴 , KOBATA, ITSUKI , 小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 大野勝俊 , ONO, KATSUTOSHI , 木下將毅 , KINOSHITA, MASAKI , 金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種用於磨光基板之磨光裝置。該磨光裝置包括：磨光台，係固定磨光墊；頂環，係壓抵該基板於該磨光墊；第一及第二光學頭，係各自提供該光至該基板且接收來自該基板之反射光；複數分光鏡，係各自測量該接收之反射光在每一波長處之強度；以及處理器，係製作光譜以顯示該反射光之強度與波長之間的關係。該第一光學頭係設置成面對被該基板之中心，且該第二光學頭係設置成面對該基板之周圍部。
简体摘要：本发明提供一种用于磨光基板之磨光设备。该磨光设备包括：磨光台，系固定磨光垫；顶环，系压抵该基板于该磨光垫；第一及第二光学头，系各自提供该光至该基板且接收来自该基板之反射光；复数分光镜，系各自测量该接收之反射光在每一波长处之强度；以及处理器，系制作光谱以显示该反射光之强度与波长之间的关系。该第一光学头系设置成面对被该基板之中心，且该第二光学头系设置成面对该基板之周围部。

3. 发明专利

TWI614088B 研磨方法及研磨裝置有权
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TWI614088B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW101139196
申请日：2012-10-24
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/013 , B24B37/20 , B24B49/04 , B24B49/12 , H01L21/30625

4. 发明专利

TW201323148A 研磨方法及研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TW201323148A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101139196
申请日：2012-10-24
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/013 , B24B37/20 , B24B49/04 , B24B49/12 , H01L21/30625
摘要：本發明提供一種研磨方法，可在基板研磨中取得正確的矽層厚度，根據獲得的矽層厚度來正確地決定基板的研磨終點。本研磨方法係將從基板反射的紅外線強度除以特定基準強度，算出相對反射率，產生表示相對反射率與紅外線波長的關係的分光波形，對分光波形進行傅立葉變換處理，決定矽層厚度與對應的頻率成分的強度，在上述決定的頻率成分的強度比特定閾值高的情況下，認定前述決定的矽層厚度為信賴性高的測定值，根據該信賴性高的測定值達到特定目標值的時間點來決定基板的研磨終點。
简体摘要：本发明提供一种研磨方法，可在基板研磨中取得正确的硅层厚度，根据获得的硅层厚度来正确地决定基板的研磨终点。本研磨方法系将从基板反射的红外线强度除以特定基准强度，算出相对反射率，产生表示相对反射率与红外线波长的关系的分光波形，对分光波形进行傅里叶变换处理，决定硅层厚度与对应的频率成分的强度，在上述决定的频率成分的强度比特定阈值高的情况下，认定前述决定的硅层厚度为信赖性高的测定值，根据该信赖性高的测定值达到特定目标值的时间点来决定基板的研磨终点。

5. 发明专利

TW201829120A 研磨方法及研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TW201829120A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143718
申请日：2012-10-24
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12
摘要：本發明提供一種研磨方法，可在基板研磨中取得正確的矽層厚度，根據獲得的矽層厚度來正確地決定基板的研磨終點。本研磨方法係將從基板反射的紅外線強度除以特定基準強度，算出相對反射率，產生表示相對反射率與紅外線波長的關係的分光波形，對分光波形進行傅立葉變換處理，決定矽層厚度與對應的頻率成分的強度，在上述決定的頻率成分的強度比特定閾值高的情況下，認定前述決定的矽層厚度為信賴性高的測定值，根據該信賴性高的測定值達到特定目標值的時間點來決定基板的研磨終點。
简体摘要：本发明提供一种研磨方法，可在基板研磨中取得正确的硅层厚度，根据获得的硅层厚度来正确地决定基板的研磨终点。本研磨方法系将从基板反射的红外线强度除以特定基准强度，算出相对反射率，产生表示相对反射率与红外线波长的关系的分光波形，对分光波形进行傅里叶变换处理，决定硅层厚度与对应的频率成分的强度，在上述决定的频率成分的强度比特定阈值高的情况下，认定前述决定的硅层厚度为信赖性高的测定值，根据该信赖性高的测定值达到特定目标值的时间点来决定基板的研磨终点。

6. 发明专利

TWI624881B 研磨方法有权
公开(公告)号：TWI624881B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW106126249
申请日：2014-04-23
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI
IPC分类号： H01L21/463 , H01L21/67

7. 发明专利

TWI538076B 磨光裝置、磨光方法及磨光墊有权
简体标题：磨光设备、磨光方法及磨光垫
公开(公告)号：TWI538076B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW100148258
申请日：2011-12-23
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小畠嚴貴 , KOBATA, ITSUKI , 小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 大野勝俊 , ONO, KATSUTOSHI , 木下將毅 , KINOSHITA, MASAKI , 金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/26 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B49/12 , H01L21/31053 , H01L21/67075 , H01L21/67092 , H01L21/67253 , H01L21/68721 , H01L22/26

8. 外观设计

TWD171549S 研磨墊之部分有权
简体标题：研磨垫之部分
公开(公告)号：TWD171549S
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103302479
申请日：2014-04-29
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
设计人：木下毅 , KINOSHITA, MASAKI , 金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI

9. 发明专利

TWI485036B 研磨裝置有权
简体标题：研磨设备
公开(公告)号：TWI485036B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW097123652
申请日：2008-06-25
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI , 草宏明 , KUSA, HIROAKI , 藤井將喜 , FUJII, MASAKI
IPC分类号： B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC分类号： B24B49/12 , B24B9/065 , B24B37/005

10. 发明专利

TWI414755B 用於試料圖案檢查裝置之ＸＹ座標補正裝置及方法有权
简体标题：用于试料图案检查设备之ＸＹ座标补正设备及方法
公开(公告)号：TWI414755B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW096113900
申请日：2007-04-20
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI , 水內啓介 , MIZUUCHI, KEISUKE
IPC分类号： G01B7/004 , G03F9/00 , G01B9/04 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3045 , G01N23/00 , H01J37/28 , H01J2237/2817 , H01L21/681

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