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    • 2. 发明专利
    • 在自旋轉移力矩記憶體中之寫入操作技術
    • 在自旋转移力矩内存中之写入操作技术
    • TW201637009A
    • 2016-10-16
    • TW104138560
    • 2015-11-20
    • 英特爾公司INTEL CORPORATION
    • 尼艾米 海莉亞NAEIMI, HELIA
    • G11C11/16
    • G11C11/1675G11C7/04G11C7/1006G11C7/1045G11C11/1659
    • 用以在自旋轉移力矩(STT)記憶體中寫入操作之設備、系統、以及方法被說明。於一實施例中,一記憶體包含至少一自旋轉移力矩(STT)記憶體裝置、接近該STT記憶體裝置之溫度感測器、以及一控制器,該控制器包含至少部份地包括硬體邏輯之邏輯,用以監視該溫度感測器之一輸出,當該溫度感測器之該輸出未超出一臨界溫度時則實行一第一寫入操作協定,以及當該溫度感測器之該輸出超出該臨界溫度時則實行一第二寫入操作協定。其他實施例也被揭示並且申請其專利權益。
    • 用以在自旋转移力矩(STT)内存中写入操作之设备、系统、以及方法被说明。于一实施例中,一内存包含至少一自旋转移力矩(STT)内存设备、接近该STT内存设备之温度传感器、以及一控制器,该控制器包含至少部份地包括硬件逻辑之逻辑,用以监视该温度传感器之一输出,当该温度传感器之该输出未超出一临界温度时则实行一第一写入操作协定,以及当该温度传感器之该输出超出该临界温度时则实行一第二写入操作协定。其他实施例也被揭示并且申请其专利权益。